瓷片电容332M,331，68，682，5分别是多大的

332M为3300pF=3.3nF=0.0033μF，M——III级精度——误差±20%。

331为330pF=0.33nF=0.00033μF

68为68pF

682为6800pF=6.8nF=0.0068μF

5为5pF

附：小瓷片、涤纶电容的标识含义（给你学习）

1F（法）=1000000 μF（微法），即106μF（微法）

1μF（微法）=1000 nF (纳法)，即103nF（纳法）=1000,000 pF (皮法)

1nF (纳法) =1000 pF (皮法) ，即103pF（皮法）

104表示为：10,0000 pF(皮法)=100 nF (纳法)=0.1μF（微法）；

223表示为：22,000 pF(皮法)=22 nF (纳法)=0.022μF（微法）；

684表示为：68,0000 pF(皮法)=680 nF (纳法) =0.68μF（微法）；

105表示为：10,00000 pF(皮法)=1000 nF (纳法)=1μF（微法）。

1、电容耐压、误差标识意义

I类、II类电容的耐压代号：

A:：1.0V G： 4.0V B:：1.25V W:：4.5V C:：1.6V H:：5.0V D： 2.0V

J:：6.3V E:：2.5V K:：8.0V F:：3.15V Z:：9.0V

以上字母前面的数字表示10的多少次幂，如2A就表示耐压为1.0×10^2=100V； 2J就表示耐压为6.3×10^2=630V。

2、电容器精度等级表示方法

常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同。用字母表示：

D——0.05级——±0.5%；

F——0.1级——±1%；

G——0.2级——±2%；

J—— I 级——±5%；

K—— II 级——±10%；

M—— III 级——±20%。

只能用1KV以上的332代替，或者用耐压不低于1KV的其他容值的电容通过串或并的方法，让容值接近3300pf。耐压只能高不能低。容值只能相等或接近，不能过高或过低。否则只会让系统工作状况严重恶劣，甚至引起其他元件损坏。

建议你用682代替的，应该是瞎扯。虽然不知道你说的这个电容用在什么地方，但容值相差一倍多，系统工况肯定是不好的。

瓷片电容/50是指瓷片电容最大工作电压50，电容容量为pF或者10nF（就是10*10的三次方pF,就是pF,pF=1nF,所以容量就是10nF）。电容是由两个金属极，中间夹有绝缘材料（介质）构成的。由于绝缘材料的不同，所构成的电容器的种类也有所不同 按结构分：固定电容，可变电容，微调电容； 介质材料分：按介质材料可分为：气体介质电容，液体介质电容，无机固体介质电容，有机固体介质电容。 按极性分为：有极性电容和无极性电容。 电容作用：电容在电路中具有隔断直流电，通过交流电的作用，因此常用于级间耦合、滤波、去耦、旁路及调谐等。硬之城上面应该有这个型号，可以去看看有没有教程之类的，不行的话就请教下客服最直接了一对一解决问题。

那叫 瓷片电容

定义

瓷片电容(ceramiccapacitor)是一种用陶瓷材料作介质,在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜,再经高温烧结后作为电极而成的电容器。通常用于高稳定振荡回路中，作为回路、旁路电容器及垫整电容器。

分类

瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。

优缺点

优点：稳定，绝缘性好，耐高压

缺点：容量比较小

作用

MLCC(1类)—微型化,高频化,超低损耗,低ESR,高稳定,高耐压,高绝缘,高可靠,无极性,低容值,低成本,耐高温.主要应用于高频电路中.

MLCC(2类)—微型化,高比容,中高压,无极性,高可靠,耐高温,低ESR,低成本.主要应用于中,低频电路中作隔直,耦合,旁路和滤波等电容器使用。

3300pF 告诉你电容的读数 最后一位是科学记数法 你用前两位乘以最后一位的科学记数法 就行例如 332 最后一位是2，那就是10的2次方 ，100. 然后用33*100=3300PF

你好：

——★1、瓷片电容器的容量较小，都是以 PF 为单位的，最后的数字，为 0 的个数。

——★2、“221K2KV”  中，221 代表容量：22 后面加 1 个 0 ，即 220 P 。

——★3、“332J1600V”  ，332 就是容量：33 后面加 2 个 0 ，为 3300 P 。