功放前级超重低音开关的板子，电路板上写着102，瓷片电容写着821，这个瓷片电容是什么作用的

在陶瓷电容中一般DC50V以下叫低压，DC100V~500V为中高压，DC1000V~6000V和为高压，DC6000V以上为超高压。

高压陶瓷电容一个主要的特点就是耐压高，电压一般大于1KV的电压。高压陶瓷电容常规有2KV、3KV、4KV电压。常用于高压场合。最高的可达30KV的电压。

高压陶瓷电容，以陶瓷材料为介质的圆片形电容器。外壳是陶瓷的，用来绝缘。陶瓷电容封装必须要用环氧树脂进行封装。

如果高压陶瓷电容不用环氧树脂封装，就会让陶瓷电容直接接触空气，这会直接影响到电容器的容量和容抗。陶瓷电容如果接触到空气，其容量就会变低，甚至使得高压陶瓷电容可能会从原本想生产的2000PF的高压陶瓷电容如果没有封装会变成几百PF的电容。另外如果陶瓷电容如果接触空气也会导致其容抗降低，而且随着电阻值和容量越来越小，将会导致陶瓷电容性能尽失。所以高压陶瓷电容生产过程必须要进行封装。以上元器件知识由JEC为您提供。

而独石电容器，大多50V，100V。200V的独石电容器都很少见，容量大的独石电容电压很小。独石电容器大多应用在控制回路（信号回路）。瓷片电容器，尺寸一般比独石电容器大不少。只要空间放得下，容量一致，应用场合要求那么严格，替代是可以的。

独石电容可以做的体积更小，容量更大。在大容量的电容下，瓷片电容无法做到。

独石电容和瓷片电容同属陶瓷电容，而且各自又可细分为不同的类型和用途，例如高频陶瓷电容、低频陶瓷电容、高频独石电容、低频独石电容。只要电容的应用频段和ESR水平相当，就可替换。一般频率低于1MHz都可混用。

容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10 μF/16V

容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示

字母表示法：1m=1000 μF 1P2=1.2PF 1n=1000PF

数字表示法：三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。三位数字的前两位数字为标称容量的有效数字，第三位数字表示有效数字后面零的个数，它们的单位都是pF。

如：102表示标称容量为1000pF。

221表示标称容量为220pF。

224表示标称容量为22x10(4)pF。

在这种表示法中有一个特殊情况，就是当第三位数字用"9"表示时，是用有效数字乘上10的-1次方来表示容量大小。

如：229表示标称容量为22x(10-1)pF=2.2pF。

允许误差 ±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20%

如：一瓷片电容为104J表示容量为0.1 μF、误差为±5%

瓷片电容222M/2kv表示22*10^2pf=2200pf=2.2nf，耐压2千伏，最大容量误差为20%。

容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10μF/16V，容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示。

瓷片电容的识别方法：电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。电容的基本单位用法拉(F)表示，其它单位还有：毫法(mF)、微法(μF)/mju:/、纳法(nF)、皮法(pF)。其中：1法拉=1000毫法(mF)，1毫法=1000微法(μF)，1微法=1000纳法(nF)，1纳法=1000皮法(pF)。

扩展资料：

陶瓷电容有二个端子的非极性元件，早期最常使用陶瓷电容是碟型电容器，比晶体管问世的时间要早，在1930年代到1950年代就应用在许多的真空管设备（如广播接收器）中，后来陶瓷电容也广泛使用在晶体管设备中。至2007年止，由于陶瓷电容相较于其他低容值电容的高容量及低成本优势，陶瓷电容仍广泛使用在各种电子设备中。

EIA也有针对电容的温度系数有三个字的识别码。对于不是Class1的非温度补偿型电容，第一个字对应工作温度的下限，第二个字为数字，对应工作温度的上限，第三个字对应在温度范围内的电容值变动。

陶瓷电容的电感性较其他主要电容器（薄膜电容或电解电容）要低，因此适用于高频的应用，一般可以到达数百MHz，若在电路上进行微调，甚至可以到达1GHz。若希望达到更高自共振频率，需要使用更昂贵及少见的电容，例如玻璃电容或云母电容。

参考资料来源：百度百科——瓷片电容

参考资料来源：百度百科——电容值

电容的基本单位用法拉(F)表示，其它单位还有：毫法(mF)、微法(μF)/mju:/、纳法(nF)、皮法(pF)

其中：1法拉=1000毫法(mF)，1毫法=1000微法(μF)，1微法=1000纳法(nF)，1纳法=1000皮法(pF)瓷片电容的电容量一般以pF（10的-12次方F）为单位，早期产品多采用直接标注，如1000p、220p等；现在一般以常用指数表示法，如102、221，前两位数是电容量的有效数字，后一位数是后面添零的个数，如102表示有效数是10，2表示后面再添2个0，即1000pF；221表示有效数22，1表示后面再添1个0，即220pF

1、容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10μF/16V；2、容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示；字母表示法：1F=10^6uF=10^12pF1F＝1000000µF1m=1000μF1P=1pF（如470P=470pF）1P2=1.2PF1n=1000PF；数字表示法：三位数字的表示法也称电容量的数码表示法

三位数字的前两位数字为标称容量的有效数字，第三位数字表示有效数字后面零的个数，它们的单位都是pF

如：102表示标称容量为10×(10^2)pF=1000pF=0.001µF；103表示标称容量为10×(10^3)pF=10000pF=0.01µF；104表示标称容量为10×(10^4)pF=100000pF=0.1µF；105表示标称容量为10×(10^5)pF=1000000pF=1µF；470表示标称容量为47pF；223表示标称容量为(22×(10^3))pF（即22000pF）；224表示标称容量为(22×(10^4))pF（即220000pF）=0.22uF安规电容和高压陶瓷电容容量误差用符号F、G、J、K、L、M来表示，允许误差分别对应为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%、±20%

X7

R，X5R，Y5U，Y5V是另一个等级的，

前者等级的容量稳定性很好，基本不随温度，电压，时间等变化而变化，但是一般容量都很小。而后者等级的瓷介电容容量稳定性很差，随着温度，电压，时间变化幅度较大，所以一般用在对容量稳定性要求不高的场合。

瓷片电容通常不使用在于脉冲电路中，因为这种电容比较容易被脉冲电压挤坏，虽然比较容易被脉冲电压挤坏，但是他的稳定性相对其它电容来说还是高的，并且瓷片电容还具有很强的耐高温性质和绝缘性质。瓷片电容优点很多，但是缺点还是有的，那就是容量不能做的很大，这在当下大家都追求高容量的情况下是一个很大的缺点，但是已经有很多改进的方法来让陶瓷电容也能做到比较大的容量同时体积比较小。

瓷片电容是一种用陶瓷作为介质的电容器，它和其它的金属电容相比具有高度的稳定性，特别是在震荡回路中这种稳定性甚为明显。瓷片电容分两种，一种具有高频瓷介，一种就是低频瓷介的。高频瓷介的电容器一般是用于工作频率较高的状态，低频瓷介则相反应用于频率较低的环境，用作对稳定性不高的场合。

瓷片电容的作用是什么介绍如下：

瓷片电容通常用于高稳定振荡回路中，作为回路、旁路电容器及垫整电容器。

优点：稳定，绝缘性好，耐高压，无极性，成本低廉。

缺点：容量比较小。

陶瓷电容器（ceramic capacitor；ceramic condenser ）又称为瓷介电容器或独石电容器。顾名思义，瓷介电容器就是介质材料为陶瓷的电容器。根据陶瓷材料的不同，可以分为低频陶瓷电容器和高频陶瓷电容器两类。按结构形式分类，又可分为圆片状电容器、管状电容器、矩形电容器、片状电容器、穿心电容器等多种。

陶瓷电容和电解电容的区别：

1、材质不同

陶瓷电容无极性，电解电容有极性。

2、容量不同

陶瓷电容的容量一般较小，电解电容的容值可以做得很大。

3、用途不同

陶资电容一般用于信号源滤波，而电解电容一般用于电源部分。

作用：

电解电容器广泛应用于家用电器和各种电子产品中，其容量范围较大，一般为1~33000μF，额定工作电压范围为6.3~700V。其缺点是介质损耗、容量误差较大（最大允许偏差为+100%、-20%），耐高温性较差，存放时间长容易失效。

陶瓷电容高频特性好，多用于高频电路。瓷片电容可滤除高频纹波，故可用作高通滤波。瓷片电容可用于纯交流电路。