陶瓷电容是怎样封装的

开关电源上常用高压贴片电容和大容量贴片电容，主要有以下封装：

1kv

100p

1206封装

1kv

221

1206封装

1kv

102

1206封装

1kv

222

1206封装

1kv

472

1206封装

1kv

103

1206封装

630v

104

1812封装

10u/25v

1210封装

10u/16v

1206封装

以上都为陶瓷x7r材质，耐温-55-125度。损耗（df）小于2。5%

可代替传统插件瓷片和cbb以及铝电解缩小体积

成。其特点是：体积小、耐热性好、损耗小、绝缘电阻高，但容量小，适用于高频电路。

几种常用电容器的结构和特点

电容器是电子设备中常用的电子元件，下面对几种常用电容器的结构和特点作以简要介

绍，以供大家参考。

1．铝电解电容器：它是由铝圆筒做负极、里面装有液体电解质，插人一片弯曲的铝带做正极制成。还需经直流电压处理，做正极的片上形成一层氧化膜做介质。其特点是容量大、但是漏电大、稳定性差、有正负极性，适于电源滤波或低频电路中，使用时，正、负极不要接反。

2．钽铌电解电容器：它用金属钽或者铌做正极，用稀硫酸等配液做负极，用钽或铌表面生成的氧化膜做介质制成。其特点是：体积小、容量大、性能稳定、寿命长。绝缘电阻大。温度性能好，用在要求较高的设备中。

铁电陶瓷电容容量较大，但损耗和温度系数较大，适用于低频电路。

4．云母电容器：用金属箔或在云母片上喷涂银层做电极板，极板和云母一层一层叠合后，再压铸在胶木粉或封固在环氧树脂中制成。其特点是：介质损耗小、绝缘电阻大。温度系数小，适用于高频电路。

5.薄膜电容器：结构相同于纸介电容器，介质是涤纶或聚苯乙烯。涤纶薄膜电容，介质常

数较高，体积小、容量大、稳定性较好，适宜做旁路电容。

聚苯乙烯薄膜电容器，介质损耗小、绝缘电阻高，但温度系数大，可用于高频电路。

6.纸介电容器：用两片金属箔做电极，夹在极薄的电容纸中，卷成圆柱形或者扁柱形芯

子，然后密封在金属壳或者绝缘材料壳中制成。它的特点是体积较小，容量可以做得较大。但是固有电感和损耗比较大，适用于低频电路。

7 金属化纸介电容器：结构基本相同于纸介电容器，它是在电容器纸上覆上一层金属膜来

代金属箔，体积小、容里较大，一般用于低频电路。

8 油浸纸介电容器：它是把纸介电容浸在经过特别处理的油里，能增强其耐压。其特点是

电容量大、耐压高，但体积较大。

此外，在实际应用中，第一要根据不同的用途选择不同类型的电容器；第二要考虑到电容

器的标称容量，允许误差、耐压值、漏电电阻等技术参数；第三对于有正、负极性的电解电容器来说，正、负极在焊接时不要接反

电容器的作用

电容器在电子线路中的作用一般概括为：通交流、阻直流。

电容器通常起滤波、旁路、耦合、去耦、转相等电气作用，是电子线路必不可少的组成部分。

在集成电路、超大规模集成电路已经大行其道的今天，电容器作为一种分立式无源元件仍然大量使用于各种功能的电路中，其在电路中所起的重要作用可见一斑。

作贮能元件也是电容器的一个重要应用领域，同电池等储能元件相比，电容器可以瞬时充放电，并且充放电电流基本上不受限制，可以为熔焊机、闪光灯等设备提供大功率的瞬时脉冲电流。

电容器还常常被用以改善电路的品质因子，如节能灯用电容器。

隔直流：作用是阻止直流通过而让交流通过。

旁路（去耦）：为交流电路中某些并联的元件提供低阻抗通路。

耦合：作为两个电路之间的连接，允许交流信号通过并传输到下一级电路

滤波：将整流以后的锯齿波变为平滑的脉动波，接近于直流。

温度补偿：针对其它元件对温度的适应性不够带来的影响，而进行补偿，改善电路的稳定性。

计时：电容器与电阻器配合使用，确定电路的时间常数。

调谐：对与频率相关的电路进行系统调谐，比如手机、收音机、电视机。

整流：在预定的时间开或者关半闭导体开关元件。

储能：储存电能，用于必须要的时候释放。例如相机闪光灯，加热设备等等。

如今某些电容的储能水平已经接近锂电池的水准，一个电容储存的电能可以供一个手机使用一天。

买本电子方面的书或在网上搜一下. 会有很多资料.

你不是搞电子的.你可以学一下,PROTEL软件.里面有很多公司的元件库.

有很多封装.一个一个看看.

大的来说,元件有插装和贴装.

1．BGA 球栅阵列封装

2．CSP 芯片缩放式封装

3．COB 板上芯片贴装

4．COC 瓷质基板上芯片贴装

5．MCM 多芯片模型贴装

6．LCC 无引线片式载体

7．CFP 陶瓷扁平封装

8．PQFP 塑料四边引线封装

9．SOJ 塑料J形线封装

10．SOP 小外形外壳封装

11．TQFP 扁平簿片方形封装

12．TSOP 微型簿片式封装

13．CBGA 陶瓷焊球阵列封装

14．CPGA 陶瓷针栅阵列封装

15．CQFP 陶瓷四边引线扁平

16．CERDIP 陶瓷熔封双列

17．PBGA 塑料焊球阵列封装

18．SSOP 窄间距小外型塑封

19．WLCSP 晶圆片级芯片规模封装

20．FCOB 板上倒装片

慢慢学八.

零件封装是指实际零件焊接到电路板时所指示的外观和焊点的位置。是纯粹的空间概念.因此不同的元件可共用同一零件封装，同种元件也可有不同的零件封装。像电阻，有传统的针插式，这种元件体积较大，电路板必须钻孔才能安置元件，完成钻孔后，插入元件，再过锡炉或喷锡（也可手焊），成本较高，较新的设计都是采用体积小的表面贴片式元件（SMD）这种元件不必钻孔，用钢膜将半熔状锡膏倒入电路板，再把SMD元件放上，即可焊接在电路板上了。

电阻 AXIAL

无极性电容 RAD

电解电容 RB-

电位器 VR

二极管 DIODE

三极管 TO

电源稳压块78和79系列 TO－126H和TO-126V

场效应管 和三极管一样

整流桥 D－44 D－37 D－46

单排多针插座 CON SIP

双列直插元件 DIP

晶振 XTAL1

电阻：RES1，RES2，RES3，RES4；封装属性为axial系列

无极性电容：cap封装属性为RAD-0.1到rad-0.4

电解电容：electroi封装属性为rb.2/.4到rb.5/1.0

电位器：pot1,pot2；封装属性为vr-1到vr-5

二极管：封装属性为diode-0.4(小功率）diode-0.7(大功率）

三极管：常见的封装属性为to-18（普通三极管）to-22(大功率三极管）to-3(大功率达林

顿管）

电源稳压块有78和79系列；78系列如7805，7812，7820等

79系列有7905，7912，7920等

常见的封装属性有to126h和to126v

整流桥：BRIDGE1,BRIDGE2: 封装属性为D系列（D-44，D-37，D-46）

电阻： AXIAL0.3-AXIAL0.7 其中0.4-0.7指电阻的长度，一般用AXIAL0.4

瓷片电容：RAD0.1-RAD0.3。 其中0.1-0.3指电容大小，一般用RAD0.1

电解电容：RB.1/.2-RB.4/.8 其中.1/.2-.4/.8指电容大小。一般<100uF用

RB.1/.2,100uF-470uF用RB.2/.4,>470uF用RB.3/.6

二极管： DIODE0.4-DIODE0.7 其中0.4-0.7指二极管长短，一般用DIODE0.4

发光二极管：RB.1/.2

集成块： DIP8-DIP40, 其中8－40指有多少脚，8脚的就是DIP8

贴片电阻

0603表示的是封装尺寸 与具体阻值没有关系

但封装尺寸与功率有关 通常来说

0201 1/20W

0402 1/16W

0603 1/10W

0805 1/8W

1206 1/4W

电容电阻外形尺寸与封装的对应关系是:

0402=1.0x0.5

0603=1.6x0.8

0805=2.0x1.2

1206=3.2x1.6

1210=3.2x2.5

1812=4.5x3.2

2225=5.6x6.5

关于零件封装我们在前面说过，除了DEVICE。LIB库中的元件外，其它库的元件都已经有了

固定的元件封装，这是因为这个库中的元件都有多种形式：以晶体管为例说明一下：

晶体管是我们常用的的元件之一，在DEVICE。LIB库中，简简单单的只有NPN与PNP之分，但

实际上，如果它是NPN的2N3055那它有可能是铁壳子的TO—3，如果它是NPN的2N3054，则有

可能是铁壳的TO-66或TO-5，而学用的CS9013，有TO-92A，TO-92B，还有TO-5，TO-46，TO-5

2等等，千变万化。

还有一个就是电阻，在DEVICE库中，它也是简单地把它们称为RES1和RES2，不管它是100Ω

还是470KΩ都一样，对电路板而言，它与欧姆数根本不相关，完全是按该电阻的功率数来决

定的我们选用的1/4W和甚至1/2W的电阻，都可以用AXIAL0.3元件封装，而功率数大一点的话

，可用AXIAL0.4,AXIAL0.5等等。现将常用的元件封装整理如下：

电阻类及无极性双端元件 AXIAL0.3-AXIAL1.0

无极性电容 RAD0.1-RAD0.4

有极性电容 RB.2/.4-RB.5/1.0

二极管 DIODE0.4及 DIODE0.7

石英晶体振荡器 XTAL1

晶体管、FET、UJT TO-xxx(TO-3,TO-5)

可变电阻（POT1、POT2） VR1-VR5

当然，我们也可以打开C:\Client98\PCB98\library\advpcb.lib库来查找所用零件的对应封

装。

这些常用的元件封装，大家最好能把它背下来，这些元件封装，大家可以把它拆分成两部分

来记如电阻AXIAL0.3可拆成AXIAL和0.3，AXIAL翻译成中文就是轴状的，0.3则是该电阻在印

刷电路板上的焊盘间的距离也就是300mil（因为在电机领域里，是以英制单位为主的。同样

的，对于无极性的电容，RAD0.1-RAD0.4也是一样；对有极性的电容如电解电容，其封装为R

B.2/.4，RB.3/.6等，其中“.2”为焊盘间距，“.4”为电容圆筒的外径。

对于晶体管，那就直接看它的外形及功率，大功率的晶体管，就用TO—3，中功率的晶体管

，如果是扁平的，就用TO-220，如果是金属壳的，就用TO-66，小功率的晶体管，就用TO-5

，TO-46，TO-92A等都可以，反正它的管脚也长，弯一下也可以。

对于常用的集成IC电路，有DIPxx，就是双列直插的元件封装，DIP8就是双排，每排有4个引

脚，两排间距离是300mil,焊盘间的距离是100mil。SIPxx就是单排的封装。等等。

值得我们注意的是晶体管与可变电阻，它们的包装才是最令人头痛的，同样的包装，其管脚

可不一定一样。例如，对于TO-92B之类的包装，通常是1脚为E（发射极），而2脚有可能是

B极（基极），也可能是C（集电极）；同样的，3脚有可能是C，也有可能是B，具体是那个

，只有拿到了元件才能确定。因此，电路软件不敢硬性定义焊盘名称（管脚名称），同样的

，场效应管，MOS管也可以用跟晶体管一样的封装，它可以通用于三个引脚的元件。

Q1-B，在PCB里，加载这种网络表的时候，就会找不到节点（对不上）。

在可变电阻上也同样会出现类似的问题；在原理图中，可变电阻的管脚分别为1、W、及2，

所产生的网络表，就是1、2和W，在PCB电路板中，焊盘就是1，2，3。当电路中有这两种元

件时，就要修改PCB与SCH之间的差异最快的方法是在产生网络表后，直接在网络表中，将晶

体管管脚改为1，2，3；将可变电阻的改成与电路板元件外形一样的1，2，3即可。

IC 为 Integrated Circuit(集成电路块)之英文缩写，业界一般以 IC 的封装形式来划分其类型，传统 IC 有 SOP、SOJ、QFP、PLCC 等等，现在比较新型的 IC 有 BGA、CSP、FLIP CHIP 等等，这些零件类型因其 PIN (零件脚)的多寡大小以及 PIN 与 PIN 之间的间距不一样，呈现出各种各样的形状。

1、SOP(Small outline Package):零件两面有脚，脚向外张开（一般称为鸥翼型引脚）.

2、SOJ(Small outline J-lead Package):零件两面有脚，脚向零件底部弯曲（J 型引脚）。

3、QFP(Quad Flat Package):零件四边有脚，零件脚向外张开。

4、PLCC(Plastic Leadless Chip Carrier):零件四边有脚，零件脚向零件底部弯曲。

5、BGA(Ball Grid Array):零件表面无脚，其脚成球状矩阵排列于零件底部。

6、CSP（CHIP SCAL PACKAGE）：零件尺寸包装。

扩展资料：

电子封装元件：

1、AE, ANT:天线（antenna）

2、B:电池（battery）

3、BR:桥式整流器（bridge rectifier）

4、C:电容器（capacitor）

5、CRT:阴极射线管（cathode ray tube）

6、D或CR:二极管（diode）

7、DSP:数字信号处理器（digital signal processor）

8、F:保险丝（fuse）

9、FET:场效晶体管（field effect transistor）

10、GDT:气体放电管（gas discharge tube）

11、IC:集成电路（integrated circuit）

12、J:跳线或跳接点（jumper）

13、JFET:结型场效应管（junction gate field-effect transistor）

参考资料来源：百度百科-贴片元器件封装形式

参考资料来源：百度百科-电子封装

1960年左右陶瓷叠片电容作为商品开始开发

1970年，随着混合IC、计算机、以及便携电子设备的进步也随之迅速的发展起来，瓷片电容成为电子设备中不可缺少的零部件，而其中技术参数也是学者们研究的重点

现在的陶瓷介质电容的全部数量约占电容市场的70%左右

因为陶瓷介质电容的绝缘体材料主要使用陶瓷，其基本构造是将陶瓷和内部电极交相重叠

陶瓷材料有几个种类

自从考虑电子产品无害化特别是无铅化后，高介电系数的PB（铅）退出瓷片电容技术参数领域，现在主要使用TiO2(二氧化钛)、BaTiO3,CaZrO3(锆酸钙)等

和其它的电容相比具有体积小、容量大、耐热性好、适合批量生产、价格低等优点

由于原材料丰富，结构简单，价格低廉，而且电容量范围较宽（一般有几个PF到上百μF），损耗较小，电容量温度系数可根据要求在很大范围内调整

瓷片电容技术参数品种繁多，外形尺寸相差甚大从0402（约1×0.5mm）封装的贴片电容到大型的功率瓷片电容

按使用的介质材料特性可分为Ⅰ型、Ⅱ型和半导体瓷片电容；按无功功率大小可分为低功率、高功率瓷片电容；按工作电压可分为低压和高压瓷片电容；按结构形状可分为圆片形、管型、鼓形、瓶形、筒形、板形、叠片、独石、块状、支柱式、穿心式等

瓷片电容的分类：瓷片电容技术参数从介质类型主要可以分为两类，即Ⅰ类瓷片电容技术参数和Ⅱ类瓷片电容技术参数

Ⅰ类瓷片电容技术参数（ClassⅠceramiccapacitor），过去称高频瓷片电容技术参数（High-freqencyceramiccapacitor），是指用介质损耗小、绝缘电阻高、介电常数随温度呈线性变化的陶瓷介质制造的电容

它特别适用于谐振回路，以及其它要求损耗小和电容量稳定的电路，或用于温度补偿

Ⅱ类瓷片电容技术参数（ClassⅡceramiccapacitor）过去称为为低频瓷片电容技术参数（Lowfrequencycermiccapacitor），指用铁电陶瓷作介质的电容，因此也称铁电瓷片电容技术参数

这类电容的比电容大，电容量随温度呈非线性变化，损耗较大，常在电子设备中用于旁路、耦合或用于其它对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中

常见的Ⅱ类瓷片电容技术参数有：X7R、X5R、Y5V、Z5U其中：X7R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字7位最高工作温度+125℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；X5R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；Y5V表示为：第一位Y为最低工作温度-30℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母V为随温度变化的容值偏差+22%，-82%±15%

Z5U表示为：第一位Z为最低工作温度+10℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母U为随温度变化的容值偏差+22%，-56%

容抗的大小跟通过的频率关系：

f＝1/(2×π×C×Xc)

根据公式可知，容抗越小，通过的频率也越低，反之则越高；如电视的天线(高频)放大器所用的电容量都是小于100P的。

0805：代表电容的尺寸规格，0805=2.0mmx1.2mm

KR:电容容值误差代码，KR=+-10%

X7R:电容的分类代码，X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器

9bb：耐压值，9bb=50V

821：代表电容大小。821=820pf

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