陶瓷电容器0805封装是什么规格

瓷片电容的识别方法：电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。电容的基本单位用法拉(F)表示，其它单位还有：毫法(mF)、微法 (μF)/mju:/、纳法(nF)、皮法(pF)。其中：1法拉=1000毫法(mF)，1毫法=1000微法(μF)，1微法=1000纳法 (nF)，1纳法=1000皮法(pF)

容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10 μF/16V

容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示

字母表示法：1m=1000 μF 1P2=1.2PF 1n=1000PF

数字表示法：三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。三位数字的前两位数字为标称容量的有效数字，第三位数字表示有效数字后面零的个数，它们的单位都是pF。

如：102表示标称容量为1000pF。

221表示标称容量为220pF。

224表示标称容量为22x10(4)pF。

在这种表示法中有一个特殊情况，就是当第三位数字用"9"表示时，是用有效数字乘上10的-1次方来表示容量大小。

如：229表示标称容量为22x(10-1)pF=2.2pF。

允许误差 ±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20%

如：一瓷片电容为104J表示容量为0.1 μF、误差为±5%

温度补偿型NPO(COG)是Ⅰ类瓷片电容；X7R；X5R；Y5U；Y5V是Ⅱ类瓷片电容Ⅰ类瓷片电容特点是容量稳定性好，基本不随温度；电压；时间的变化而变化，容量也比较小

NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器

它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的

NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一

在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃,电容量随频率的变化小于±0.3ΔC

NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%,相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的

其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%

NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同,大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好

应用在电容稳定性有要求的场合

Ⅱ类瓷片电容特点是容量稳定相对较差，但是容量相对也大些

X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器

当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%,需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的

X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的,它也随时间的变化而变化,大约每10年变化1%ΔC,表现为10年变化了约5%

X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用,而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下

它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大

Y5V瓷片电容是有一定温度限制的通用电容器,在工作温度-30℃到85℃范围内其容量变化为+22%到-82%、介质损耗为5%

Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达100μF的电容器

Y5V瓷片电容适合用于去耦、平滑用

高压陶瓷电容一个主要的特点就是耐压高，电压一般大于1KV的电压。高压陶瓷电容常规有2KV、3KV、4KV电压。常用于高压场合。最高的可达30KV的电压。

高压陶瓷电容，以陶瓷材料为介质的圆片形电容器。外壳是陶瓷的，用来绝缘。陶瓷电容封装必须要用环氧树脂进行封装。

如果高压陶瓷电容不用环氧树脂封装，就会让陶瓷电容直接接触空气，这会直接影响到电容器的容量和容抗。陶瓷电容如果接触到空气，其容量就会变低，甚至使得高压陶瓷电容可能会从原本想生产的2000PF的高压陶瓷电容如果没有封装会变成几百PF的电容。另外如果陶瓷电容如果接触空气也会导致其容抗降低，而且随着电阻值和容量越来越小，将会导致陶瓷电容性能尽失。所以高压陶瓷电容生产过程必须要进行封装。以上元器件知识由JEC为您提供。

1960年左右陶瓷叠片电容作为商品开始开发

1970年，随着混合IC、计算机、以及便携电子设备的进步也随之迅速的发展起来，瓷片电容成为电子设备中不可缺少的零部件，而其中技术参数也是学者们研究的重点

现在的陶瓷介质电容的全部数量约占电容市场的70%左右

因为陶瓷介质电容的绝缘体材料主要使用陶瓷，其基本构造是将陶瓷和内部电极交相重叠

陶瓷材料有几个种类

自从考虑电子产品无害化特别是无铅化后，高介电系数的PB（铅）退出瓷片电容技术参数领域，现在主要使用TiO2(二氧化钛)、BaTiO3,CaZrO3(锆酸钙)等

和其它的电容相比具有体积小、容量大、耐热性好、适合批量生产、价格低等优点

由于原材料丰富，结构简单，价格低廉，而且电容量范围较宽（一般有几个PF到上百μF），损耗较小，电容量温度系数可根据要求在很大范围内调整

瓷片电容技术参数品种繁多，外形尺寸相差甚大从0402（约1×0.5mm）封装的贴片电容到大型的功率瓷片电容

按使用的介质材料特性可分为Ⅰ型、Ⅱ型和半导体瓷片电容；按无功功率大小可分为低功率、高功率瓷片电容；按工作电压可分为低压和高压瓷片电容；按结构形状可分为圆片形、管型、鼓形、瓶形、筒形、板形、叠片、独石、块状、支柱式、穿心式等

瓷片电容的分类：瓷片电容技术参数从介质类型主要可以分为两类，即Ⅰ类瓷片电容技术参数和Ⅱ类瓷片电容技术参数

Ⅰ类瓷片电容技术参数（ClassⅠceramiccapacitor），过去称高频瓷片电容技术参数（High-freqencyceramiccapacitor），是指用介质损耗小、绝缘电阻高、介电常数随温度呈线性变化的陶瓷介质制造的电容

它特别适用于谐振回路，以及其它要求损耗小和电容量稳定的电路，或用于温度补偿

Ⅱ类瓷片电容技术参数（ClassⅡceramiccapacitor）过去称为为低频瓷片电容技术参数（Lowfrequencycermiccapacitor），指用铁电陶瓷作介质的电容，因此也称铁电瓷片电容技术参数

这类电容的比电容大，电容量随温度呈非线性变化，损耗较大，常在电子设备中用于旁路、耦合或用于其它对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中

常见的Ⅱ类瓷片电容技术参数有：X7R、X5R、Y5V、Z5U其中：X7R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字7位最高工作温度+125℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；X5R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；Y5V表示为：第一位Y为最低工作温度-30℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母V为随温度变化的容值偏差+22%，-82%±15%

Z5U表示为：第一位Z为最低工作温度+10℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母U为随温度变化的容值偏差+22%，-56%

电容：可分为无极性和有极性两类,无极性电容下述两类封装最为常见,即0805、0603；而有极性电容也就是我们平时所称的电解电容,一般我们平时用的最多的为铝电解电容,由于其电解质为铝,所以其温度稳定性以及精度都不是很高,而贴片元件由于其紧贴电路版,所以要求温度稳定性要高,所以贴片电容以钽电容为多,根据其耐压不同,贴片电容又可分为A、B、C、D 四个系列,具体分类如下：

类型封装形式耐压

A 3216 10V

B 3528 16V

C 6032 25V

D 7343 35V

贴片电容的尺寸表示法有两种,一种是英寸为单位来表示,一种是以毫米为单位来表示,贴

片电容的系列型号有0402、0603、0805、1206、1812、2010、2225、2512,是英寸表示法,04 表示长度是0.04 英寸,02 表示宽度0.02 英寸,其他类同

线路上标示c10 是330uF 电解电容，电解电容有极性贴片电容没有，这就是其中一个区别，而且330uF贴片电容也很难找到。

陶瓷电容C1210C106K4PACTU说明：

描述对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况。CAP CER 10UF 16V 10% X5R 1210无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

标准包装类别家庭系列包装电容电压 - 额定容差温度系数安装类型工作温度应用等级封装/外壳大小/尺寸高度 - 安装（最大值）厚度（最大值）引线间距特性引线形式产品目录页面其它名称。

IC 为 Integrated Circuit(集成电路块)之英文缩写，业界一般以 IC 的封装形式来划分其类型，传统 IC 有 SOP、SOJ、QFP、PLCC 等等，现在比较新型的 IC 有 BGA、CSP、FLIP CHIP 等等，这些零件类型因其 PIN (零件脚)的多寡大小以及 PIN 与 PIN 之间的间距不一样，呈现出各种各样的形状。

1、SOP(Small outline Package):零件两面有脚，脚向外张开（一般称为鸥翼型引脚）.

2、SOJ(Small outline J-lead Package):零件两面有脚，脚向零件底部弯曲（J 型引脚）。

3、QFP(Quad Flat Package):零件四边有脚，零件脚向外张开。

4、PLCC(Plastic Leadless Chip Carrier):零件四边有脚，零件脚向零件底部弯曲。

5、BGA(Ball Grid Array):零件表面无脚，其脚成球状矩阵排列于零件底部。

6、CSP（CHIP SCAL PACKAGE）：零件尺寸包装。

扩展资料：

电子封装元件：

1、AE, ANT:天线（antenna）

2、B:电池（battery）

3、BR:桥式整流器（bridge rectifier）

4、C:电容器（capacitor）

5、CRT:阴极射线管（cathode ray tube）

6、D或CR:二极管（diode）

7、DSP:数字信号处理器（digital signal processor）

8、F:保险丝（fuse）

9、FET:场效晶体管（field effect transistor）

10、GDT:气体放电管（gas discharge tube）

11、IC:集成电路（integrated circuit）

12、J:跳线或跳接点（jumper）

13、JFET:结型场效应管（junction gate field-effect transistor）

参考资料来源：百度百科-贴片元器件封装形式

参考资料来源：百度百科-电子封装