瓷片电容103什么意思

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1.瓷片电容104是100000皮法（pF），也就是100纳法（nF），采用的是数字表示法，三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。

2.三位数字的前两位数字为标称容量的有效数字，第三位数字表示有效数字后面零的个数，它们的单位都是pF。

104为0.1uF的瓷片电容。瓷片电容读法：104=10*10的4次方pF=0.1uF，相同的型号有103、102、224、223、222、474、473、472等。

瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。

电容的容量标识的几种方法。

第一就是直接标识，如其电解电容，容量47uf，电容耐压25v。其次则是使用单位nf：如涤纶电容，标称4n7，即4.7nf，转换为pf即为4700pf。还有的例如：10n，即0.01uf33n，即0.033uf。后面的63是指电容耐压63v。

此外还有就是数学计数法。如瓷片电容，标值103，容量就是：10x1000pf=0.01uf.如果标值473，即为47X1000pf=0.047uf。(后面的4、3，都表示10的多少次方)。

又如：332=33X100pf=3300pf。电容的使用，都应该在指定的耐压下工作。现在的好多质量不高的产品，就因为使用了耐压不足的电容而引起故障(常见电容爆裂)。

瓷片电容是一种用陶瓷材料作介质,在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜,再经高温烧结后作为电极而成的电容器。通常用于高稳定振荡回路中，作为回路、旁路电容器及垫整电容器。103意思是说电容为0.01uF，瓷片电容读法：103=10*10的3次方pF=0.01uF。

电容器，通常简称其容纳电荷的本领为电容，用字母C表示。定义1：电容器，顾名思义，是“装电的容器”，是一种容纳电荷的器件。电容的种类也是有很多种，以下简单按照介质分类的几种电容：

1、陶瓷电容：以高介电常数、低损耗的陶瓷材料为介质，体积小，电感小。

2、云母电容：以云母片作介质的电容器。性能优良，高稳定，高精密。

3、纸质电容：纸介电容器的电极用铝箔或锡箔做成，绝缘介质是浸蜡的纸，相叠后卷成圆柱体，外包防潮物质，有时外壳采用密封的铁 的纸，相叠后卷成圆柱 体，外包防潮物质，有时外壳采用密封的铁 壳以提高防潮性。

4、薄膜电容：用聚苯乙烯、聚四氟乙烯或涤纶等有机薄膜代替纸介质，做成的各种电容器。体积小，但损耗大，不稳定。 质，做成的各种电容器。体积小，但损耗大，不稳定。

5、电解电容：以铝、担、锯、钛等金属氧化膜作介质的电容器。容量大，稳定性差。（使用时应注意极性） 大，稳定性差。

陶瓷电容有以下一些材质：Y5P；Y5E；Y5R；Y5T；Y5V； Y5U； Z5U；Z5V；Z4V；X7R；N750；N330；NPO；SL。

陶瓷电容常用的几种：Y5P；Y5V；Y5U；X7R；NPO。

Y5P的温度补偿性能最好，全温度范围内的电容值变化范围为±10%。

Y5U对温度变化无补偿性，全温度范围内的电容值变化范围为+22%/-56%。

Y5V表示工作在-30~+85度，整个温度范围内偏差-82%~+22%

X5R表示工作在-55~+85度，整个温度范围内偏差正负15%

X7R表示工作在-55~+125度，整个温度范围内偏差正负15%

NPO（COG）是温度特性最稳定的电容器，电容温漂很小，整个温度范围容量很稳定，温度也是-55~125度，适用于振荡器，超高频滤波去耦。

在回路以及旁路电容器中瓷片电容都是必不可少的，瓷片电容都是由陶瓷材料烧制而成的

虽然材质都是一样的，但在不同电路中所运用的瓷片电容规格也是不一样的

规格一:1000V-6000V高频瓷片电容高频瓷片电容一般主要都是运用于较高稳定振荡的回路中，因此其在稳定性方面要求是比较高的，如比较常见的耦合电容以及高压旁路就会选择用高频瓷片电容

最主要的优点就是可以耐受高温以及耐磨性比较强，如日常生活中常见的电视接收机上就会使用高压瓷片电容

规格二:50V以下低频瓷片电容低频瓷片电容主要是运用在一些工作频率比较低的回路中，在这类型的回路中往往对于电容的稳定性以及损耗的程度要求都不是很高

尤其是在一些脉冲比较强的电路中是不能使用低频瓷片电容的，否则很有可能会被电压直接击穿

二者的差异比较二者不同类型的瓷片电容规格识别可以直接通过电容器或者是电路来进行判断

一般来说可以耐受高压，绝缘性比较好，而且比较可靠，运用于高压电路中的就属于高频瓷片电容

而低频瓷片电容相比较而言可靠性以及成本都比较低，多数时候都是运用于一些低频电路以及耦合电路等的电容器中

快速识别方法一般来说在音频控制器以及分频器上使用的电容都是高频瓷片电容，因为其容量会比较大，通过金属塑料薄膜的使用可以获得更佳的音质

其次就是在滤波电容中，其容量的特性决定了使用电解电容的效果会比较好，但在使用的过程中还要注意抑制高频阻抗不断上升的情况

所以针对瓷片电容规格的识别来说，可以通过判断回路的电压以及特性就可以快速鉴别出其所使用的瓷片电容，同时在进行识别的时候也可以参照电阻的规格识别方法

331为330pF=0.33nF=0.00033μF

68为68pF

682为6800pF=6.8nF=0.0068μF

5为5pF

附：小瓷片、涤纶电容的标识含义（给你学习）

1F（法）=1000000 μF（微法），即106μF（微法）

1μF（微法）=1000 nF (纳法)，即103nF（纳法）=1000,000 pF (皮法)

1nF (纳法) =1000 pF (皮法) ，即103pF（皮法）

104表示为：10,0000 pF(皮法)=100 nF (纳法)=0.1μF（微法）；

223表示为：22,000 pF(皮法)=22 nF (纳法)=0.022μF（微法）；

684表示为：68,0000 pF(皮法)=680 nF (纳法) =0.68μF（微法）；

105表示为：10,00000 pF(皮法)=1000 nF (纳法)=1μF（微法）。

1、电容耐压、误差标识意义

I类、II类电容的耐压代号：

A:：1.0V G： 4.0V B:：1.25V W:：4.5V C:：1.6V H:：5.0V D： 2.0V

J:：6.3V E:：2.5V K:：8.0V F:：3.15V Z:：9.0V

以上字母前面的数字表示10的多少次幂，如2A就表示耐压为1.0×10^2=100V； 2J就表示耐压为6.3×10^2=630V。

2、电容器精度等级表示方法

常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同。用字母表示：

D——0.05级——±0.5%；

F——0.1级——±1%；

G——0.2级——±2%；

J—— I 级——±5%；

K—— II 级——±10%；

M—— III 级——±20%。

贴片电容规格主要是从价格类型来说，贴片电容包括NPO、X7R、Z5U和Y5V。其主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同。

随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。

NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。

Z5U电容器——Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范围，对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本。

X7R电容器——X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。

X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。

扩展资料：

电容的作用：

1、旁路

旁路电容器是一种向本地设备提供能量的能量存储设备。 它可以使调节器的输出均匀，并减少负载需求。 就像小型可充电电池一样，旁路电容器可以充电和放电至设备。

为了使阻抗最小，旁路电容器应尽可能靠近负载设备的电源引脚和接地引脚。 这样可以很好地防止接地电位上升和输入值过大引起的噪声。 接地电势是指接地连接经过大电流故障时的电压降。

2、去耦

去耦，也称为去耦。 从电路的角度看，它总是可以分为驱动源和驱动负载。 如果负载电容较大，则驱动电路需要对电容器进行充电和放电以完成信号转换。 当上升沿相对陡峭时，电流相对较大，因此驱动电流将吸收较大的电源电流。

电感，电阻（尤其是芯片引脚上的电感会反弹），与正常情况相比，该电流实际上是一种噪声，会影响上一级的正常运行，这称为“耦合”。

参考资料来源：百度百科-贴片电容

容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10 μF/16V

容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示

字母表示法：1m=1000 μF 1P2=1.2PF 1n=1000PF

数字表示法：三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。三位数字的前两位数字为标称容量的有效数字，第三位数字表示有效数字后面零的个数，它们的单位都是pF。

如：102表示标称容量为1000pF。

221表示标称容量为220pF。

224表示标称容量为22x10(4)pF。

在这种表示法中有一个特殊情况，就是当第三位数字用"9"表示时，是用有效数字乘上10的-1次方来表示容量大小。

如：229表示标称容量为22x(10-1)pF=2.2pF。

允许误差 ±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20%

如：一瓷片电容为104J表示容量为0.1 μF、误差为±5%