瓷片电容有保持期吗

多层陶瓷电容器（MLCC）一般没有什么耐温的说法，只要注意到使用温度就可以了，一类瓷和二类瓷的使用温度在-55~+125度；

您的MLCC出现破裂，我认为是温度冲击造成的，就是升温或降温太快引起的，建议在焊接前进行预热。

1.潮湿对电参数恶化的影响

空气中湿度过高时，水膜凝聚在电容器外壳表面，可使电容器的表面绝缘电阻下降。此外，对于半密封结构电容器来说，水分还可渗透到电容器介质内部，使电容器介质的绝缘电阻绝缘能力下降。因此，高温、高湿环境对电容器参数恶化的影响极为显著。经烘干去湿后电容器的电性能可获改善，但是水分子电解的后果是无法根除的。例如，电容器的工作于高温条件下，水分子在电场作用下电解为氢离子（H+）和氢氧根离子（OH-），引线根部产生电化学腐蚀。即使烘干去湿，也不可能使引线复原。

2.银离子迁移的后果

无机介质电容器多半采用银电极，半密封电容器在高温条件下工作时，渗入电容器内部的水分子产生电解。在阳极产生氧化反应，银离子与氢氧根离子结合生产氢氧化银；在阴极产生还原反应，氢氧化银与氢离子反应生成银和水。由于电极反应，阳极的银离子不断向阴极还原成不连续金属银粒，靠水膜连接成树状向阳极延伸。银离子迁移不仅发生在无机介质表面，还能扩散到无机介质内部，引起漏电流增大，严重时可使用两个银电极之间完全短路，导致电容器击穿。

3.高温条件下陶瓷电容器击穿机理

半密封陶瓷电容器在高湿度环境条件下工作时，发生击穿失效是比较普遍的严重问题。所发生的击穿现象大约可以分为介质击穿和表面极间飞弧击穿两类。介质击穿按发生时间的早晚又可分为早期击穿与老化击穿两种，早期击穿暴露了电容介质材料与生产工艺方面存在的缺陷，这些缺陷导致陶瓷介质介电强度显著降低，以至于在高湿度环境的电场作用下，电容器在耐压试验过程中或工作初期，就产生电击穿。老化击穿大多属于电化学击穿范畴。由于陶瓷电容器银的迁移，陶瓷电容器的电解老化击穿已成为相当普遍的问题。银迁移形成的导电树枝状物，使漏电流局部增大，可引起热击穿，使电容器断裂或烧毁。热击穿现象多发生在管形或圆片形的小型瓷介质电容器中，因为击穿时局部发热严重，较薄的管壁或较小的瓷体容易烧毁或断裂。

4.电极材料的改进

陶瓷电容器一直使用银电极。银离子迁移和由此而引起含钛陶瓷介质的加速老化是导致陶瓷电容器失效的主要原因。有的厂家生产陶瓷电容器已不用银电极，而改用镍电极，在陶瓷基片上采用化学镀镍工艺。由于镍的化学稳定性比银好，电迁移率低，提高了陶瓷电容器的性能和可靠性。

又如，以银做电极的独石低频瓷介质电容器，由于银电极和瓷料在900℃下一次烧结时瓷料欠烧不能获得致密的陶瓷介质，存在较大的气孔率；此外银电极常用的助溶剂氧化钡会渗透到瓷体内部，在高温下依靠氧化钡和银之间良好的浸润“互熔”能力，使电极及介质内部出现热扩散现象，即宏观上看到的“瓷吸银”现象。银伴随着氧化钡进入瓷体中后，大大减薄了介质的有效厚度，引起产品绝缘电阻的减少和可靠性的降低。为了提高独石电容器的可靠性，改用银-钯电极代替通常含有氧化钡的电极，并且在材料配方中添加了1%的5#玻璃粉。消除了在高温下一次烧结时金属电极向瓷介质层的热扩散现象，能促使瓷料烧结致密化，使得产品的性能和可靠性有较大提高，与原工艺和介质材料相比较，电容器的可靠性提高了1~2个数量级。

5.叠片陶瓷电容器的断裂

叠片陶瓷电容器最常见的失效是断裂，这是叠片陶瓷电容器自身介质的脆性决定的。由于叠片陶瓷电容器直接焊接在电路板上，直接承受来自电路板的各种机械应力，而引线式陶瓷电容器则可以通过引脚吸收来自电路板的机械应力。因此，对于叠片陶瓷电容器来说，由于热膨胀系数不同或电路板弯曲所造成的机械应力将是叠片陶瓷电容器断裂的最主要因素。

6.叠片陶瓷电容器的断裂分析

叠片陶瓷电容器机械断裂后，断裂处的电极绝缘间距将低于击穿电压，会导致两个或多个电极之间的电弧放电而彻底损坏叠片陶瓷电容器。

叠片陶瓷电容器机械断裂的防止方法主要有：尽可能地减少电路板的弯曲，减小陶瓷贴片电容在电路板上的应力，减小叠片陶瓷电容器与电路板的热膨胀系数的差异而引起的机械应力。

如何减小叠片陶瓷电容器在电路板上的应力将在下面另有叙述，这里不再赘述。减小叠片陶瓷电容器与电路板的热膨胀系数的差异而引起的机械应力，可以通过选择封装尺寸小的电容器来减缓，如铝基电路板应尽可能用1810以下的封装，如果电容量不够可以采用多只并联的方法或采用叠片的方法解决，也可以采用带有引脚的封装形式的陶瓷电容器解决。

7.叠片陶瓷电容器电极端头被熔淋

在波峰焊焊接叠片陶瓷电容器时可能会出现电极端头被焊锡熔掉了。其原因主要是波峰焊叠片陶瓷电容器接触高温焊锡的时间过长。现在在市场上的叠片陶瓷电容器分为适用于回流焊工艺的和适用于波峰焊工艺的，如果将适用于回流焊工艺的叠片陶瓷电容器用于波峰焊，很可能发生叠片陶瓷电容器电极端头的熔淋现象。关于不同焊接工艺下叠片陶瓷电容器电极端头可以承受的高温焊锡的时间特性，在后面的叠片陶瓷电容器的适用注意事项中有详尽叙述，这里不在赘述。

消除的办法很简单，就是在使用波峰焊工艺时，尽可能地使用符合波峰焊工艺的叠片陶瓷电容器；或者尽可能不采用波峰焊工艺。

如果探讨的是一个实际的电容元件，还与以下因素有关：

1、温度：因为温度会影响材料的介电常数、极板尺寸、间距等

2、电压：有电压加在电容上的时候，可能会改变极板间距；

3、应力：同样，外力也可能会改变极板尺寸、间距等，某些传感器就是基于此原理工作的

4、气压、灰尘等：与湿度对电容的影响一样，容量也受气压、灰尘等因素的影响

5、电容厂家虚标容值，电容出厂的时候容值就不达标了。

选择瓷片电容还是要选择正规的电容生产厂家，不然的话出厂电容就不准了，后面发现电容容值不达标可能又会去找使用环境、测量机器精准度等了，台湾智旭JEC的电容不会虚标容值的哦，可以去看看。

一：潮湿对电参数恶化的影响。空气中温度过高，会使高压陶瓷电容的表面绝缘电阻下降，对于半密封结构电容器来说，水分会渗透到电容器的介质内部使电容器介质的绝缘电阻绝缘能力下降。因此，高温，高湿环境对瓷片电容的损坏影响较大。

二：银离子的迁移。无机介质电容器多半采用银电极，半密封电容器在高温条件下工作，渗入电容器内部的水分子产生电解。产生氧化反应，银离子与氢氧根离子结合产生氢氧化银。由于电极反应，银离子迁移不仅发生在无机介质表面，还扩散到无机介质内部，引起漏电流增大，严重时会使两个银电极之间完全短路，导致高压陶瓷电容损坏或击穿。

三：有的高压陶瓷电容，在运用测试操作时，电容器投入时的电流过大，无任何无电压保护措施，也无串联电抗器，使电容器过热，绝缘降低或损坏，如果操作频繁，也会影响陶瓷电容损坏，甚至爆炸。

四：从单颗陶瓷电容分析，电容碰到了强大的电流，导致内部材料发热，散热不及时，造成热击穿损坏。

智旭电子高压陶瓷电容外观小巧，精莹剔透，粉涂均匀，还可以为客人需求订制观型尺寸。

【贴片电阻标准储存条件】温度15℃~35℃，湿度25%~75%，产品一般2年的保质期。

【贴片电阻】片式固定电阻器，从Chip Fixed Resistor直接翻译过来的，俗称贴片电阻(SMD Resistor) ，是金属玻璃铀电阻器中的一种。是将金属粉和玻璃铀粉混合，采用丝网印刷法印在基板上制成的电阻器。耐潮湿和高温， 温度系数小。可大大节约电路空间成本，使设计更精细化。

【贴片电容标准储存条件】存放在温度不超出 5～35摄氏度，相对湿度不超出 35～70％ 范围的场所。产品一般半年到1年的保质期。

【贴片电容】 多层（积层，叠层）片式陶瓷电容器，是由平行的陶瓷材料和电极材料层叠而成。也称为贴片电容，片容。电容器是一种能够储藏电荷的元件，也是最常用的电子元件之一。

贴片电阻(SMD Resistor),是金属玻璃铀电阻器中的一种。是将金属粉和玻璃铀粉混合，采用丝网印刷法印在基板上大功率贴片电阻器制成的电阻器。耐潮湿，高温，温度系数小。

表面组装技术(SMT)的应用已十分普遍，采用SMT组装的电子产品的比例已超过90%。

我国从八十年代起开始应入SMT技术。随着小型SMT生产设备的开发，SMT的应用范围在进一步扩大，航空、航天、仪器仪表、机床等领域也在采用SMT生产各种批量不大的电子产品或部件。

所谓片式多层瓷介电容器(MLCC)---简称片式电容器,是由印好电极（内电极）的陶瓷介质膜片以错位的方式叠合起来，经过一次性高温烧结形成陶瓷芯片，再在芯片的两端封上金属层（外电极），从而形成一个类似独石的结构体，故也叫独石电容器。

片式电容器除有电容器 “隔直通交”的通性特点外，其还有体积小，比容大，寿命长，可靠性高，适合表面安装等特点。随着世界电子行业的飞速发展，作为电子行业的基础元件，片式电容器也以惊人的速度向前发展，每年以10%～15%的速度递增。目前，世界片式电容的需求量在 2000亿支以上，70%出自日本，其次是欧美和东南亚（含中国）。随着片容产品可靠性和集成度的提高，其使用的范围越来越广，广泛地应用于各种军民用电子整机和电子设备。如电脑、电话、程控交换机、精密的测试仪器、雷达通信等。

更加关键的是一些未发现的、潜伏在的缺陷会溶入到安规电容产品中去

而且电容器已应用在我们生活中每个部分，所以今天的小知识不能错过呀

那么安规电容受潮应如何应对？1.检查安规电容标签有无保障产品在贮存，生产和使用流程中有无缺陷和期限

2.还要查看安规电容是否过了使用期限

3.安规电容寄存在干燥地方，防湿气，防化学物质，防火

通常在约25℃±5℃的温度下，湿度60%±5%前提下保存为一年，是不会影响电容的电气特质

湿气超过了80%，绝缘功能就会降低，耐电压也会降低

安规电容应用时都有接触到电源，操纵不当电容器会损伤

4.查看安规电容的原料组成，瓷片粉末加压冲片后通过1千到2千度高温烧结而成即时间移动，外观是不会变动的，所以有效期是无期限的

潮湿会对安规电容造成十分严重的危害，防患安规电容受潮看安规电容是否超过使用期限、查看原料组成、保存在干燥地方、防潮湿、防化学物质、防火等通用操作

变化率+30%-80% 。-25℃ ~ +85℃ 是瓷片电容的工作温度，意思就是瓷片电容可以在两种极端的温度下工作。不受影响。 陶瓷电容只要是超过-40℃~+85℃这个温度范围工作，就就影响到产品的使用期限。 因工作温度过高或过低时，陶瓷电容容量下降过多，就会影响性能，造成失效。

低于温度范围的低温环境中使用陶瓷电容时，需要担心"静电容量的变化率"、"可靠性"、"耐温周期"这三个问题。关于静电容量的变化率，例如X5R特性产品的温度范围均在-55～85°C，在其温度范围内，静电容量变化率规定为"±15%"，超过温度范围则无法满足其静电容量变化率规定。关于可靠性，由于陶瓷电容具有温度加速特性，现有严格控制高温这一倾向。希望我的回答对你有所帮助。