10uF的瓷片电容为何在测量时低于标称值

检测电容容值的公差为±20%。

检测电容容值方法：

测前先将电容两端的引线相碰一下，先行放电；再根据电容大小，选择万用表的电阻档量电阻，看电容器是否有充电过程，及最后表针的停留位置，表示漏电电阻的大小。

对于小容量的电容器，如涤纶、云母……在几百PF的，用万用表的R×10K档也不易看到表针的摆动(充电过程)，只能检查是否有击穿、漏电现象，即表针最后有偏移，即应剔除。

大容量的电容，测量时可以看到明显的充电过程：电阻是逐渐增大的，最后指向∞。对于几百μF的电容，就要放在R×1K或R×100档来量了，否则充电过程太长，要等待长的时间表针才停止下来。铝电解电容漏电电阻较小，测量时表针一般不会指到∞。

4n7是4.7nF

223是22nF，J表示精度±5%

104是100nF

109是10000μF

224是220nF，K表示精度±10%

68表示68pF

2、电路稳定性差：电容器的电容值是电路中的一个重要参量，如果误差较大，则可能导致电路在稳态下的工作状态偏离设计要求，从而影响电路的稳定性。

3、设计不准确：在电路设计时，通常需要考虑贴片电容的精度问题，如果误差较大，则可能导致整个电路的设计不准确。

那么我们如何快速判断陶瓷电容品质呢？判断陶瓷电容品质的方法如下：1）了解清楚陶瓷电容的规格参数（额定值，容值）2）脚距长度3）工作温度4）误差5）漏电流是否符合标准陶瓷电容的测量方法如下：1）电流表测试电压及漏电流2）老化设备测试高压陶瓷电容参数3）解刨高压陶瓷电容看芯片及电容脚材质复杂的实验步骤一定要让专业人员操作，也可以向购买电容的厂家提供可靠性的试验报告！不同的电路要求会有不用的标准要求，而作为采购人员也要注定陶瓷电容的品质，这样可以减少不必要的麻烦哦

工程不在的时候，采购人员可以按照上述所说的方法，交付到专业的技术人员进行检测

希望本文的内容可以帮助到你！

1960年左右陶瓷叠片电容作为商品开始开发

1970年，随着混合IC、计算机、以及便携电子设备的进步也随之迅速的发展起来，瓷片电容成为电子设备中不可缺少的零部件，而其中技术参数也是学者们研究的重点

现在的陶瓷介质电容的全部数量约占电容市场的70%左右

因为陶瓷介质电容的绝缘体材料主要使用陶瓷，其基本构造是将陶瓷和内部电极交相重叠

陶瓷材料有几个种类

自从考虑电子产品无害化特别是无铅化后，高介电系数的PB（铅）退出瓷片电容技术参数领域，现在主要使用TiO2(二氧化钛)、BaTiO3,CaZrO3(锆酸钙)等

和其它的电容相比具有体积小、容量大、耐热性好、适合批量生产、价格低等优点

由于原材料丰富，结构简单，价格低廉，而且电容量范围较宽（一般有几个PF到上百μF），损耗较小，电容量温度系数可根据要求在很大范围内调整

瓷片电容技术参数品种繁多，外形尺寸相差甚大从0402（约1×0.5mm）封装的贴片电容到大型的功率瓷片电容

按使用的介质材料特性可分为Ⅰ型、Ⅱ型和半导体瓷片电容；按无功功率大小可分为低功率、高功率瓷片电容；按工作电压可分为低压和高压瓷片电容；按结构形状可分为圆片形、管型、鼓形、瓶形、筒形、板形、叠片、独石、块状、支柱式、穿心式等

瓷片电容的分类：瓷片电容技术参数从介质类型主要可以分为两类，即Ⅰ类瓷片电容技术参数和Ⅱ类瓷片电容技术参数

Ⅰ类瓷片电容技术参数（ClassⅠceramiccapacitor），过去称高频瓷片电容技术参数（High-freqencyceramiccapacitor），是指用介质损耗小、绝缘电阻高、介电常数随温度呈线性变化的陶瓷介质制造的电容

它特别适用于谐振回路，以及其它要求损耗小和电容量稳定的电路，或用于温度补偿

Ⅱ类瓷片电容技术参数（ClassⅡceramiccapacitor）过去称为为低频瓷片电容技术参数（Lowfrequencycermiccapacitor），指用铁电陶瓷作介质的电容，因此也称铁电瓷片电容技术参数

这类电容的比电容大，电容量随温度呈非线性变化，损耗较大，常在电子设备中用于旁路、耦合或用于其它对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中

常见的Ⅱ类瓷片电容技术参数有：X7R、X5R、Y5V、Z5U其中：X7R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字7位最高工作温度+125℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；X5R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；Y5V表示为：第一位Y为最低工作温度-30℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母V为随温度变化的容值偏差+22%，-82%±15%

Z5U表示为：第一位Z为最低工作温度+10℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母U为随温度变化的容值偏差+22%，-56%

C为±0.25pF，次为陶瓷电容器的写法。

矩形电容命名方法：

与片状电阻相同，代号中的字母表示矩形片状陶瓷电容器，4位数字表示其长、宽度，厚度略厚一点，一般为1～2mm。

与片状电阻相似，容量的前两位表示有效数，第3位表示有效数后零的个数，单位为pF。如151表示150pF、1p5表示1.5pF。

误差部分字母含义：C为±0.25pF，D为±0.5pF，F为±1 pF，J为±5pF，K为±10pF，M为±20pF，I为-20%～81%。

扩展资料

陶瓷电容器是以陶瓷材料为介质的电容器的总称。其品种繁多，外形尺寸相差甚大。按使用电压可分为高压，中压和低压陶瓷电容器。按温度系数，介电常数不同可分为负温度系数、正温度系数、零温度系数、高介电常数、低介电常数等。

此外，还有I型、II型、III型的分类方法。一般陶瓷电容器和其他电容器相比，具有使用温度较高，比容量大，耐潮湿性好，介质损耗较小，电容温度系数可在大范围内选择等优点。广泛用于电子电路中，用量十分可观。

参考资料来源：百度百科-陶瓷电容器