瓷片电容332M,331，68，682，5分别是多大的?
332M为3300pF=3.3nF=0.0033μF，M——III级精度——误差±20%。
331为330pF=0.33nF=0.00033μF
68为68pF
682为6800pF=6.8nF=0.0068μF
5为5pF
附：小瓷片、涤纶电容的标识含义（给你学习）
1F（法）=1000000 μF（微法），即106μF（微法）
1μF（微法）=1000 nF (纳法)，即103nF（纳法）=1000,000 pF (皮法)
1nF (纳法) =1000 pF (皮法) ，即103pF（皮法）
104表示为：10,0000 pF(皮法)=100 nF (纳法)=0.1μF（微法）；
223表示为：22,000 pF(皮法)=22 nF (纳法)=0.022μF（微法）；
684表示为：68,0000 pF(皮法)=680 nF (纳法) =0.68μF（微法）；
105表示为：10,00000 pF(皮法)=1000 nF (纳法)=1μF（微法）。
1、电容耐压、误差标识意义
I类、II类电容的耐压代号：
A:：1.0V G： 4.0V B:：1.25V W:：4.5V C:：1.6V H:：5.0V D： 2.0V
J:：6.3V E:：2.5V K:：8.0V F:：3.15V Z:：9.0V
以上字母前面的数字表示10的多少次幂，如2A就表示耐压为1.0×10^2=100V； 2J就表示耐压为6.3×10^2=630V。
2、电容器精度等级表示方法
常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同。用字母表示：
D——0.05级——±0.5%；
F——0.1级——±1%；
G——0.2级——±2%；
J—— I 级——±5%；
K—— II 级——±10%；
M—— III 级——±20%。
只能用1KV以上的332代替，或者用耐压不低于1KV的其他容值的电容通过串或并的方法，让容值接近3300pf。耐压只能高不能低。容值只能相等或接近，不能过高或过低。否则只会让系统工作状况严重恶劣，甚至引起其他元件损坏。
建议你用682代替的，应该是瞎扯。虽然不知道你说的这个电容用在什么地方，但容值相差一倍多，系统工况肯定是不好的。
定义
瓷片电容(ceramiccapacitor)是一种用陶瓷材料作介质,在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜,再经高温烧结后作为电极而成的电容器。通常用于高稳定振荡回路中，作为回路、旁路电容器及垫整电容器。
分类
瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。
优缺点
优点：稳定，绝缘性好，耐高压
缺点：容量比较小
作用
MLCC(1类)—微型化,高频化,超低损耗,低ESR,高稳定,高耐压,高绝缘,高可靠,无极性,低容值,低成本,耐高温.主要应用于高频电路中.
MLCC(2类)—微型化,高比容,中高压,无极性,高可靠,耐高温,低ESR,低成本.主要应用于中,低频电路中作隔直,耦合,旁路和滤波等电容器使用。
