我想问一下：片式多层陶瓷电容器（MLCC）产品的制造工艺是怎样的

物理是我们上学必须要学习的一门科学，在物理的世界里，我们能学到很多平时见到却不知道的材料，比如说电容，电容器就是我们生活中常用到的一种物质，但是许多人对他都不太理解。陶瓷电容使用的最为广泛，可它有时候会因为一些因素的影响而导致失效。我们想要正常的使用陶瓷电容，就只能先了解导致它失效的因素以及它的特点，下面小编就为大家具体的介绍一下。

　　陶瓷电容简介：

它的外形以片式居多，也有管形、圆形等形状。陶瓷电容器是以陶瓷材料为介质的电容器的总称。其品种繁多，外形尺寸相差甚大。按使用电压可分为高压，中压和低压陶瓷电容器。按温度系数，介电常数不同可分为负温度系数、正温度系数、零温度系数、高介电常数、低介电常数等。此外，还有I型、II型、III型的分类方法。一般陶瓷电容器和其他电容器相比，具有使用温度较高，比容量大，耐潮湿性好，介质损耗较小，电容温度系数可在大范围内选择等优点。广泛用于电子电路中，用量十分可观。

　　陶瓷电容失效的内在因素主要有以下几种：

1.陶瓷介质内空洞

导致空洞产生的主要因素为陶瓷粉料内的有机或无机污染，烧结过程控制不当等。空洞的产生极易导致漏电，而漏电又导致器件内部局部发热，进一步降低陶瓷介质的绝缘性能从而导致漏电增加。该过程循环发生，不断恶化，严重时导致多层陶瓷电容器开裂、爆炸，甚至燃烧等严重后果。

2.烧结裂纹

烧结裂纹常起源于一端电极，沿垂直方向扩展。主要原因与烧结过程中的冷却速度有关，裂纹和危害与空洞相仿。

3.分层

多层陶瓷电容器的烧结为多层材料堆叠共烧。烧结温度可以高达1000℃以上。层间结合力不强，烧结过程中内部污染物挥发，烧结工艺控制不当都可能导致分层的发生。分层和空洞、裂纹的危害相仿，为重要的多层陶瓷电容器内在缺陷。

陶瓷电容失效的外部因素主要为：

1.温度冲击裂纹

主要由于器件在焊接特别是波峰焊时承受温度冲击所致，不当返修也是导致温度冲击裂纹的重要原因。

2.机械应力裂纹

多层陶瓷电容器的特点：

是能够承受较大的压应力，但抵抗弯曲能力比较差。器件组装过程中任何可能产生弯曲变形的操作都可能导致器件开裂。常见应力源有：贴片对中，工艺过程中电路板操作流转过程中的人、设备、重力等因素通孔元器件插入电路测试、单板分割电路板安装电路板定位铆接螺丝安装等。该类裂纹一般起源于器件上下金属化端，沿45℃角向器件内部扩展。该类缺陷也是实际发生最多的一种类型缺陷。

了解完陶瓷电容的特点，才能更好的使用，陶瓷电容的体积通常都很小，成本也比较低，所以人们生活中使用它的地方有很多。另外大家要多多注意令陶瓷电容失效的几个方面，假如不注意的话，就有可能导致我们家族那么将电器不能使用，最直接的就是陶瓷电容失效。在我们学习物理的时候，就会学到影响电容变化的因素，我们应该学以致用，把学习到的运用到生活当中去。

通常所说的陶瓷贴片电容是指MLCC,即多层陶瓷片式电容(Multilayer Ceramic Capacitors)。

常规贴片电容按材料分为COG(NPO),X7R,Y5V,其引脚封装有0201,0402,0603.0805.1206,1210,1812,1825,2225.

多层陶瓷电容(MLCC)是由平行的陶瓷材料和电极材料层叠而成。

介质陶瓷材料在MLCC中的应用与技术要求

（一）MLCC的主要结构及其所用的材料

（二）MLCC对介质陶瓷材料的技术要求

MLCC介质陶瓷国外发展现状与发展趋势

（一）国外本领域及产业发展现状与发展趋势

（二）国外生产MLCC介质陶瓷材料的主要公司

（三）世界上主要国家技术发展分析

国内MLCC介质陶瓷材料行业发展现状

（一）国内MLCC介质陶瓷材料行业发展现状

（二）国内主要生产MLCC介质陶瓷材料的企业情况

（三）国内MLCC介质陶瓷材料的生产技术水平与差距

五、国内外市场、需求（预测）分析

（一）国外市场需求分析

1、全球MLCC发展情况

2、国外MLCC用介质陶瓷材料的需求及预测

（二）国内市场需求（预测）分析

1、国内MLCC产业发展概况

2、国内生产MLCC的主要企业介绍

3、国内MLCC 2002～2003年进出口情况

4、我国MLCC产销需求及进出口的变化

5、国内MLCC用介质陶瓷材料市场及需求（预测）分析

六、国内发展MLCC介质陶瓷材料的优势及劣势分析

（一）发展优势

（二）发展劣势及存在问题

七、国内MLCC介质陶瓷材料发展前景及发展%C

希望能够帮到你!

单层电容和多层电容的区别在于：

1、从含义上看，多层陶瓷电容即贴片电容，其全称为多层（积层，叠层）片式陶瓷电容；单层电容即瓷片电容，是一种用陶瓷材料作介质，在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜，再经高温烧结后作为电极而成的电容器。

2、从型号外观看，一般多层瓷介电容器型号中第三位用1表示单层，即圆片电容，第三位如果是4，表示多层结构。如CC1和CT1是单层，CC4和CT41是多层。

单层是原始结构，目前基本为多层。当然还有微波电容，也有单层和多层。

3、从要素特点来看，多层瓷片电容器容量大，但不耐高电压，容量不稳定，寿命较短，用于低压、低频电路。瓷片电容器容量小，耐压高，稳定性好，用于高压、高频电路。

贴片电容有两种尺寸表示方法，一种是以英寸为单位来表示，一种是以毫米为单位来表示。

贴片电容的系列型号有0402、0603、0805、1206、1210、1808、1812、2010、2225、2512，这些是英寸表示法，04表示长度是0.04英寸，02表示宽度0.02英寸，其他类同型号尺寸（mm）

贴片电容的命名所包含的参数有贴片电容的尺寸、做这种贴片电容用的材质、要求达到的精度、要求的电压、要求的容量、端头的要求以及包装的要求。

一般订购贴片电容需提供的参数要有尺寸的大小、要求的精度、电压的要求、容量值、以及要求的品牌即可。

瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。

低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。

按瓷介电容电介质又分：

1.类电介质(NP0,C0G)；

2.类电介质(X7R,2X1)；

3.类电介质(Y5V,2F4)瓷介电容器EIARS-198。

瓷片电容的识别方法：电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。

参考资料来源：百度百科-贴片电容

参考资料来源：百度百科-瓷片电容

0603等于：长1.60±0.15mm,宽0.80±0.15mm，参考下图。

贴片电容是一种电容材质。贴片电容全称为：多层（积层，叠层）片式陶瓷电容器，也称为贴片电容，片容。贴片电容有两种表示方法，一种是英寸单位来表示，一种是毫米单位来表示。

贴片电容有两种尺寸表示方法，一种是以英寸为单位来表示，一种是以毫米为单位来表示，贴片电容的系列型号有0402、0603、0805、1206、1210、1808、1812、2010、2225、2512，这些是英寸表示法， 比如04 表示长度是0.04 英寸，02 表示宽度0.02 英寸。

扩展资料：

贴片电容可分为无极性和有极性两类，无极性电容下述两类封装最为常见，即0805、0603。

而有极性电容也就是我们平时所称的电解电容，一般我们平时用的最多的为铝电解电容，由于其电解质为铝，所以其温度稳定性以及精度都不是很高。

而贴片元件由于其紧贴电路版，所以要求温度稳定性要高，所以贴片电容以钽电容为多，根据其耐压不同，贴片电容又可分为A、B、C、D 四个系列。

参考资料来源：百度百科-贴片电容

基板或中间层是BGA封装中非常重要的部分，除了用于互连布线以外，还可用于阻抗控制及用于电感/电阻/电容的集成。因此要求基板材料具有高的玻璃转化温度rS(约为175~230℃）、高的尺寸稳定性和低的吸潮性，具有较好的电气性能和高可靠性。金属薄膜、绝缘层和基板介质间还要具有较高的粘附性能。

1、引线键合PBGA的封装工艺流程

① PBGA基板的制备

在BT树脂/玻璃芯板的两面层压极薄（12~18μm厚）的铜箔，然后进行钻孔和通孔金属化。用常规的PCB加3232艺在基板的两面制作出图形，如导带、电极、及安装焊料球的焊区阵列。然后加上焊料掩膜并制作出图形，露出电极和焊区。为提高生产效率，一条基片上通常含有多个PBG基板。

② 封装工艺流程

圆片减薄→圆片切削→芯片粘结→等离子清洗→引线键合→等离子清洗→模塑封装→装配焊料球→回流焊→表面打标→分离→最终检查→测试斗包装

芯片粘结采用充银环氧粘结剂将IC芯片粘结在基板上，然后采用金线键合实现芯片与基板的连接，接着模塑包封或液态胶灌封，以保护芯片、焊接线和焊盘。使用特殊设计的吸拾工具将熔点为183℃、直径为30mil(0．75mm)的焊料球62/36/2Sn/Pb/Ag或63/37/Sn/Pb放置在焊盘上，在传统的回流焊炉内进行回流焊接，最高加工温度不能够超过230℃。接着使用CFC无机清洗剂对基片实行离心清洗，以去除残留在封装体上的焊料和纤维颗粒，其后是打标、分离、最终检查、测试和包装入库。上述是引线键合型PBGA的封装工艺过程。

2、FC-CBGA的封装工艺流程

① 陶瓷基板

FC-CBGA的基板是多层陶瓷基板，它的制作是相当困难的。因为基板的布线密度高、间距窄、通孔也多，以及基板的共面性要求较高等。它的主要过程是：先将多层陶瓷片高温共烧成多层陶瓷金属化基片，再在基片上制作多层金属布线，然后进行电镀等。在CBGA的组装中，基板与芯片、PCB板的CTE失配是造成CBGA产品失效的主要因素。要改善这一情况，除采用CCGA结构外，还可使用另外一种陶瓷基板--HITCE陶瓷基板。

②封装工艺流程

圆片凸点的制备->圆片切割->芯片倒装及回流焊->底部填充导热脂、密封焊料的分配->封盖->装配焊料球->回流焊->打标->分离->最终检查->测试->包装

3、引线键合TBGA的封装工艺流程

① TBGA载带

TBGA的载带通常是由聚酰亚胺材料制成的。

在制作时，先在载带的两面进行覆铜，然后镀镍和镀金，接着冲通孔和通孔金属化及制作出图形。因为在这种引线键合TBGA中，封装热沉又是封装的加固体，也是管壳的芯腔基底，因此在封装前先要使用压敏粘结剂将载带粘结在热沉上。

②封装工艺流程

圆片减薄→圆片切割→芯片粘结→清洗→引线键合→等离子清洗→液态密封剂灌封→装配焊料球→回流焊→表面打标→分离→最终检查→测试→包装