陶瓷电容是怎样封装的

陶瓷电容器：用陶瓷做介质。在陶瓷基体两面喷涂银层，然后烧成银质薄膜作极板制

成。其特点是：体积小、耐热性好、损耗小、绝缘电阻高，但容量小，适用于高频电路。

几种常用电容器的结构和特点

电容器是电子设备中常用的电子元件，下面对几种常用电容器的结构和特点作以简要介

绍，以供大家参考。

1．铝电解电容器：它是由铝圆筒做负极、里面装有液体电解质，插人一片弯曲的铝带做正极制成。还需经直流电压处理，做正极的片上形成一层氧化膜做介质。其特点是容量大、但是漏电大、稳定性差、有正负极性，适于电源滤波或低频电路中，使用时，正、负极不要接反。

2．钽铌电解电容器：它用金属钽或者铌做正极，用稀硫酸等配液做负极，用钽或铌表面生成的氧化膜做介质制成。其特点是：体积小、容量大、性能稳定、寿命长。绝缘电阻大。温度性能好，用在要求较高的设备中。

铁电陶瓷电容容量较大，但损耗和温度系数较大，适用于低频电路。

4．云母电容器：用金属箔或在云母片上喷涂银层做电极板，极板和云母一层一层叠合后，再压铸在胶木粉或封固在环氧树脂中制成。其特点是：介质损耗小、绝缘电阻大。温度系数小，适用于高频电路。

5.薄膜电容器：结构相同于纸介电容器，介质是涤纶或聚苯乙烯。涤纶薄膜电容，介质常

数较高，体积小、容量大、稳定性较好，适宜做旁路电容。

聚苯乙烯薄膜电容器，介质损耗小、绝缘电阻高，但温度系数大，可用于高频电路。

6.纸介电容器：用两片金属箔做电极，夹在极薄的电容纸中，卷成圆柱形或者扁柱形芯

子，然后密封在金属壳或者绝缘材料壳中制成。它的特点是体积较小，容量可以做得较大。但是固有电感和损耗比较大，适用于低频电路。

7 金属化纸介电容器：结构基本相同于纸介电容器，它是在电容器纸上覆上一层金属膜来

代金属箔，体积小、容里较大，一般用于低频电路。

8 油浸纸介电容器：它是把纸介电容浸在经过特别处理的油里，能增强其耐压。其特点是

电容量大、耐压高，但体积较大。

此外，在实际应用中，第一要根据不同的用途选择不同类型的电容器；第二要考虑到电容

器的标称容量，允许误差、耐压值、漏电电阻等技术参数；第三对于有正、负极性的电解电容器来说，正、负极在焊接时不要接反

电容器的作用

电容器在电子线路中的作用一般概括为：通交流、阻直流。

电容器通常起滤波、旁路、耦合、去耦、转相等电气作用，是电子线路必不可少的组成部分。

在集成电路、超大规模集成电路已经大行其道的今天，电容器作为一种分立式无源元件仍然大量使用于各种功能的电路中，其在电路中所起的重要作用可见一斑。

作贮能元件也是电容器的一个重要应用领域，同电池等储能元件相比，电容器可以瞬时充放电，并且充放电电流基本上不受限制，可以为熔焊机、闪光灯等设备提供大功率的瞬时脉冲电流。

电容器还常常被用以改善电路的品质因子，如节能灯用电容器。

隔直流：作用是阻止直流通过而让交流通过。

旁路（去耦）：为交流电路中某些并联的元件提供低阻抗通路。

耦合：作为两个电路之间的连接，允许交流信号通过并传输到下一级电路

滤波：将整流以后的锯齿波变为平滑的脉动波，接近于直流。

温度补偿：针对其它元件对温度的适应性不够带来的影响，而进行补偿，改善电路的稳定性。

计时：电容器与电阻器配合使用，确定电路的时间常数。

调谐：对与频率相关的电路进行系统调谐，比如手机、收音机、电视机。

整流：在预定的时间开或者关半闭导体开关元件。

储能：储存电能，用于必须要的时候释放。例如相机闪光灯，加热设备等等。

如今某些电容的储能水平已经接近锂电池的水准，一个电容储存的电能可以供一个手机使用一天。

1kv

100p

1206封装

1kv

221

1206封装

1kv

102

1206封装

1kv

222

1206封装

1kv

472

1206封装

1kv

103

1206封装

630v

104

1812封装

10u/25v

1210封装

10u/16v

1206封装

以上都为陶瓷x7r材质，耐温-55-125度。损耗（df）小于2。5%

可代替传统插件瓷片和cbb以及铝电解缩小体积

1、材料及制造工艺

如碳膜电阻及金属膜电阻都是在陶瓷圆柱上制膜，然后刻上稀疏不一的螺旋线来达到阻值要求，所以很多电阻都是圆柱形的。绕线电阻的金属线绕在陶瓷圆筒上，也是圆柱形的，不过由于功率大而比较粗长。

再如瓷片电容的极板就是两个圆片，所以瓷片电容外形就是圆片形。

还有铝电解电容是几层纸卷绕起来装在一个圆柱形铝筒中在加上橡胶堵和引线，所以也是圆柱形。

2、容易为人们区别

小功率色环电感与色环电阻都是圆柱形，究竟是电阻还是电感是用不同的底色区分的。色环电感底色涂成鲜艳的绿色，以便与色环电阻相区别。

IC 为 Integrated Circuit(集成电路块)之英文缩写，业界一般以 IC 的封装形式来划分其类型，传统 IC 有 SOP、SOJ、QFP、PLCC 等等，现在比较新型的 IC 有 BGA、CSP、FLIP CHIP 等等，这些零件类型因其 PIN (零件脚)的多寡大小以及 PIN 与 PIN 之间的间距不一样，呈现出各种各样的形状。

1、SOP(Small outline Package):零件两面有脚，脚向外张开（一般称为鸥翼型引脚）.

2、SOJ(Small outline J-lead Package):零件两面有脚，脚向零件底部弯曲（J 型引脚）。

3、QFP(Quad Flat Package):零件四边有脚，零件脚向外张开。

4、PLCC(Plastic Leadless Chip Carrier):零件四边有脚，零件脚向零件底部弯曲。

5、BGA(Ball Grid Array):零件表面无脚，其脚成球状矩阵排列于零件底部。

6、CSP（CHIP SCAL PACKAGE）：零件尺寸包装。

扩展资料：

电子封装元件：

1、AE, ANT:天线（antenna）

2、B:电池（battery）

3、BR:桥式整流器（bridge rectifier）

4、C:电容器（capacitor）

5、CRT:阴极射线管（cathode ray tube）

6、D或CR:二极管（diode）

7、DSP:数字信号处理器（digital signal processor）

8、F:保险丝（fuse）

9、FET:场效晶体管（field effect transistor）

10、GDT:气体放电管（gas discharge tube）

11、IC:集成电路（integrated circuit）

12、J:跳线或跳接点（jumper）

13、JFET:结型场效应管（junction gate field-effect transistor）

参考资料来源：百度百科-贴片元器件封装形式

参考资料来源：百度百科-电子封装

容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10 μF/16V

容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示

字母表示法：1m=1000 μF 1P2=1.2PF 1n=1000PF

数字表示法：三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。三位数字的前两位数字为标称容量的有效数字，第三位数字表示有效数字后面零的个数，它们的单位都是pF。

如：102表示标称容量为1000pF。

221表示标称容量为220pF。

224表示标称容量为22x10(4)pF。

在这种表示法中有一个特殊情况，就是当第三位数字用"9"表示时，是用有效数字乘上10的-1次方来表示容量大小。

如：229表示标称容量为22x(10-1)pF=2.2pF。

允许误差 ±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20%

如：一瓷片电容为104J表示容量为0.1 μF、误差为±5%