瓷片电容有什么特点

通常是不可以的，因为瓷片电容因其高频损耗小多用于高频电路中，电解电容多用于低频或电源滤波电路中，如果想用电解电容代替无极性电容，可以将两只电解电容负极相连两正极就变成一只容量减半的无极性电容了。

近年来，随着电子工业的飞速发展，高压陶瓷电容器的应用领域越来越广泛

陶瓷电容器不仅可以耐高温、耐腐蚀，而且有较高的介电常数，这对当前集成电路对电容器小型化、高容量的要求是很适宜的

电容器的性能直接取决于陶瓷介质的性能，材料介电常数越大，抗电强度越高，则小型化程度越好

因此制造厂家在围绕提高瓷料性能和发展新材料方面竞相在积极开展工作

人们开发出使用高介电常数的电容器陶瓷钛酸钡一氧化钛挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极的方法制成陶瓷电容，这种做法的陶瓷电容介电常数高，但损耗大

虽然介电常数高对于减小电容器的尺寸极为有利，但损耗大将会引起瓷片发热，从而导致电容器的击穿

陶瓷电容器的介质损耗主要由三部分组成:1、玻璃相中的电导损耗这部分损耗主要是由玻璃中的离子引起的电导损耗

2、晶相中的损耗它主要是由于晶界附近的晶格容易产生畸变和晶格问题，因而产生弱联系离子造成松池损耗

3、结构不均匀性导致的附加夹层损耗

要降低电容器的介质损耗，主要是减小弱联系离子和弱束缚电子，目前的技术仍在研究发展着

，它们的稳定性都比较好耐高温。如果是吸收高音质可选瓷片电容器，如果提升低音质可使用较大的涤纶电容器，如果是耦合传递音频信号，可选用电解电容器。不同的电容器不同的容量，是根据使用的用途不同而选取的。如滤波电路，需大容量的电解电容器，高频振荡电路电路、高频放大电路都是选用容量小,稳定性好的瓷片电容器......

通常用于高稳定震荡回路中，作为回路、旁路电容器及垫整电容器

瓷片电容只要针对于高频,高压瓷片电容取决于你使用在什么场合,典型作用可以消除高频干扰

优点1.容量损耗随温度频率具高稳定性2.特殊的串联结构适合于高电压极长期工作可靠性3.高电流爬升速率并适用于大电流回路无感型结构作用MLCC(1类)—微型化,高频化,超低损耗,低ESR,高稳定,高耐压,高绝缘,高可靠,无极性,低容值,低成本,耐高温.主要应用高高频电路中

MLCC(2类)—微型化,高比容,中高压,无极性,高可靠,耐高温,低ESR,低成本.主要应用于中,低频电路中作隔直,耦合,旁路和滤波等电容器使用

在无法辨识电器回路上的极性或使用于有极性变换设计的电路时，要选择用无极性电容。

铝质电容一般较大，容量也较大，用在较低频率上。

瓷片电容则介纸是瓷的，通常较小，用在较高频率上。

所以许多电子电容公司，厂家都将它们统一成称为损耗因数，简称DF

是用来区分电容器的无效程度

损耗因数是电容周期的损耗能量和储存能量之和

损耗因数等于介质的功率因数或相角的余弦值

电容器在高频损耗可化简为串联电阻模型，所以等效串联电阻和总容抗之比对损耗因数就比较好估算，即DF≈ωRESRC

损耗因数可以理解为Q值的倒数或电容器的品质因数，电容厂家的产品中，也会给出这些指示，介质吸收，RDA，CDA：陶瓷电容器就很适合用在高频去耦，如果考虑到它的吸收问题，陶瓷电容器就不适于采用保持放大中的电容器

介质吸收是一种有滞后性质的内部电荷分布，使它快速放电后开路的电容器回复部分电荷，因为恢复电荷的数量是原来电荷的函数，实际上这是一种电荷记忆效应

如果把这种电容器用作采样保持放大器中的保持电容器，那么势必对测量结果产生误差

对于这种类型应用推荐的电容器，这类电容器介质吸收率很低，是X2安规电容，即聚丙烯薄膜电容器、聚乙酯薄膜电容器

检测方法

1、检测10pF以下的小电容——因10pF以下的固定电容器容量太小，用万用表进行测量，只能定性的检查其是否有漏电，内部短路或击穿现象。

测量时，可选用万用表10k挡，用两表笔分别任意接电容的两个引脚，阻值应为无穷大。若测出阻值（指针向右摆动）为零，则说明电容漏电损坏或内部击穿。

2、检测10PF～0 01μF固定电容器是否有充电现象，进而判断其好坏。万用表选用1k挡。两只三极管的β值均为100以上，且穿透电流要小。

可选用3DG6等型号硅三极管组成复合管。万用表的红和黑表笔分别与复合管的发射极e和集电极c相接。由于复合三极管的放大作用，把被测电容的充放电过程予以放大，使万用表指针摆幅度加大，从而便于观察。

3、对于0 01μF以上的固定电容，可用万用表的10k挡直接测试电容器有无充电过程以及有无内部短路或漏电，并可根据指针向右摆动的幅度大小估计出电容器的容量。

4、应注意的是：在测试操作时，特别是在测较小容量的电容时，要反复调换被测电容引脚接触A、B两点，才能明显地看到万用表指针的摆动。

扩展资料

瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。

低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。

1.MLCC(1类)—微型化，高频化，超低损耗，低ESR，高稳定，高耐压，高绝缘，高可靠，无极性，低容值，低成本，耐高温，主要应用于高频电路中。

2.MLCC(2类)—微型化，高比容，中高压，无极性，高可靠，耐高温，低ESR，低成本，主要应用于中,低频电路中作隔直，耦合，旁路和滤波等电容器使用。

参考资料来源：百度百科- 瓷片电容

参考资料来源：中国电工考试网-用数字万用表测电容好坏

Y2电容是安规电容的一种，虽然同样是磁片电容，普通的瓷片电容不需要考虑安全规范

安规电容是指电容器失效后，不会导致电击，不危及人身安全。

包括X电容和Y电容两种类型，x电容是跨接在电力线两线(L-N)之间的电容，一般选用金属薄膜电容

Y电容是分别跨接在电力线两线和地之间(L-E，N-E)的电容，一般是成对出现。基于漏电流的限制，Y电容值不能太大，一般X电容是uF级，Y电容是nF级。X电容抑制差模干扰，Y电容抑制共模干扰。

Y电容底下又分为Y1, Y2, Y3，Y4,主要差别在于:

1. Y1 额定电压≤500VAC,峰值电压等于8 kV,实验电压4000VAC

2. Y2额定电压≥150VAC,≤500VAC,峰值电压等于5 kV,实验电压1500VAC,