高频瓷片电容和低频外观上怎么判断

瓷片电容做为电子元器件，早已出现在各类电子产品中，应用极为广泛

什么是瓷片电容？瓷片电容是一种用陶瓷材料作介质，在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜，再经高温烧结后作为电极而成的电容器

通常用于高稳定振荡回路中，作为回路、旁路的电容器及垫整电容器，按容量分为可调堦的可变电容器及和容量固定的固定电容器

瓷片电容按频率分为高频瓷片电容和低频瓷片电容

高频瓷片电容体积小、稳定性高、高频特性好、损耗小（tgδ瓷片电容有什么特点呢？高频电容，容量小；频率高；损耗小；工作稳定

低频电容，体积小；容量大；耐电压高；价格低

瓷片电容的作用瓷片电容MLCC(1类)微型化，高频化，超低损耗，低ESR，高稳定，高耐压，高绝缘，高可靠，无极性，低容值，低成本，耐高温，主要应用于高频电路中

瓷片电容MLCC(2类)微型化，高比容，中高压，无极性，高可靠，耐高温，低ESR，低成本

主要应用于中，低频电路中作隔直，耦合，旁路和滤波等电容器使用

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高频电容是陶瓷电容器的一种

陶瓷电容器用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成

它又分高频瓷介和低频瓷介两种

陶瓷电容器具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器

低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉

这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿

高频瓷介电容器由一种浓度适于喷涂的特殊混合物喷涂成薄膜而成，介质再以银层电极经烧结而成“独石”结构

高频瓷介电容器适用于高频电路云母电容器

就结构而言，可分为箔片式及被银式

被银式电极为直接在云母片上用真空蒸发法或烧渗法镀上银层而成，由于消除了空气间隙，温度系数大为下降，电容稳定性也比箔片式高

瓷片电容主要针对于高频，高压瓷片电容取决于使用在什么场合，典型作用可以消除高频干扰

瓷片电容的优点：1、容量损耗随温度频率具高稳定性

2、特殊的串联结构适合于高电压极长期工作可靠性

3、高电流爬升速率并适用于大电流回路无感型结构

高频电容频率特性好，Q值高，温度系数小；不能做成大的容量；广泛应用在高频电器中，并可用作标准电容器玻璃釉电容器

性能可与云母电容器媲美，能耐受各种气候环境，一般可在200℃或更高温度下工作，额定工作电压可达500V，损耗tgδ0.0005～0.008

在回路以及旁路电容器中瓷片电容都是必不可少的，瓷片电容都是由陶瓷材料烧制而成的

虽然材质都是一样的，但在不同电路中所运用的瓷片电容规格也是不一样的

规格一:1000V-6000V高频瓷片电容高频瓷片电容一般主要都是运用于较高稳定振荡的回路中，因此其在稳定性方面要求是比较高的，如比较常见的耦合电容以及高压旁路就会选择用高频瓷片电容

最主要的优点就是可以耐受高温以及耐磨性比较强，如日常生活中常见的电视接收机上就会使用高压瓷片电容

规格二:50V以下低频瓷片电容低频瓷片电容主要是运用在一些工作频率比较低的回路中，在这类型的回路中往往对于电容的稳定性以及损耗的程度要求都不是很高

尤其是在一些脉冲比较强的电路中是不能使用低频瓷片电容的，否则很有可能会被电压直接击穿

二者的差异比较二者不同类型的瓷片电容规格识别可以直接通过电容器或者是电路来进行判断

一般来说可以耐受高压，绝缘性比较好，而且比较可靠，运用于高压电路中的就属于高频瓷片电容

而低频瓷片电容相比较而言可靠性以及成本都比较低，多数时候都是运用于一些低频电路以及耦合电路等的电容器中

快速识别方法一般来说在音频控制器以及分频器上使用的电容都是高频瓷片电容，因为其容量会比较大，通过金属塑料薄膜的使用可以获得更佳的音质

其次就是在滤波电容中，其容量的特性决定了使用电解电容的效果会比较好，但在使用的过程中还要注意抑制高频阻抗不断上升的情况

所以针对瓷片电容规格的识别来说，可以通过判断回路的电压以及特性就可以快速鉴别出其所使用的瓷片电容，同时在进行识别的时候也可以参照电阻的规格识别方法

1960年左右陶瓷叠片电容作为商品开始开发

1970年，随着混合IC、计算机、以及便携电子设备的进步也随之迅速的发展起来，瓷片电容成为电子设备中不可缺少的零部件，而其中技术参数也是学者们研究的重点

现在的陶瓷介质电容的全部数量约占电容市场的70%左右

因为陶瓷介质电容的绝缘体材料主要使用陶瓷，其基本构造是将陶瓷和内部电极交相重叠

陶瓷材料有几个种类

自从考虑电子产品无害化特别是无铅化后，高介电系数的PB（铅）退出瓷片电容技术参数领域，现在主要使用TiO2(二氧化钛)、BaTiO3,CaZrO3(锆酸钙)等

和其它的电容相比具有体积小、容量大、耐热性好、适合批量生产、价格低等优点

由于原材料丰富，结构简单，价格低廉，而且电容量范围较宽（一般有几个PF到上百μF），损耗较小，电容量温度系数可根据要求在很大范围内调整

瓷片电容技术参数品种繁多，外形尺寸相差甚大从0402（约1×0.5mm）封装的贴片电容到大型的功率瓷片电容

按使用的介质材料特性可分为Ⅰ型、Ⅱ型和半导体瓷片电容；按无功功率大小可分为低功率、高功率瓷片电容；按工作电压可分为低压和高压瓷片电容；按结构形状可分为圆片形、管型、鼓形、瓶形、筒形、板形、叠片、独石、块状、支柱式、穿心式等

瓷片电容的分类：瓷片电容技术参数从介质类型主要可以分为两类，即Ⅰ类瓷片电容技术参数和Ⅱ类瓷片电容技术参数

Ⅰ类瓷片电容技术参数（ClassⅠceramiccapacitor），过去称高频瓷片电容技术参数（High-freqencyceramiccapacitor），是指用介质损耗小、绝缘电阻高、介电常数随温度呈线性变化的陶瓷介质制造的电容

它特别适用于谐振回路，以及其它要求损耗小和电容量稳定的电路，或用于温度补偿

Ⅱ类瓷片电容技术参数（ClassⅡceramiccapacitor）过去称为为低频瓷片电容技术参数（Lowfrequencycermiccapacitor），指用铁电陶瓷作介质的电容，因此也称铁电瓷片电容技术参数

这类电容的比电容大，电容量随温度呈非线性变化，损耗较大，常在电子设备中用于旁路、耦合或用于其它对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中

常见的Ⅱ类瓷片电容技术参数有：X7R、X5R、Y5V、Z5U其中：X7R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字7位最高工作温度+125℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；X5R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；Y5V表示为：第一位Y为最低工作温度-30℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母V为随温度变化的容值偏差+22%，-82%±15%

Z5U表示为：第一位Z为最低工作温度+10℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母U为随温度变化的容值偏差+22%，-56%