独石电容与瓷片电容区别

瓷片电容，一般容量比较小，但它耐压比较高；1000v，2000v很常见。

一般应用在电压等级比较高的回路。

而独石电容器，大多50v，100v。200v的独石电容器都很少见。

独石电容器大多应用在控制回路（信号回路）。

瓷片电容器，尺寸一般比独石电容器大不少。

只要空间放得下，容量一致，应用场合要求不那么严格，替代是可以的。

片式多层陶瓷电容器又称独石电容器，是世界上用量最大、发展最快的片式元件品种。根据所使用的材料，可分为三类，一类为温度补偿类，二类为高介电常数类，三类为半导体类，主要用于电子整机中的振荡、耦合、滤波、旁路电路中。是以电子陶瓷材料作介质，将预制好的陶瓷浆料通过流延方式制成厚度小于10微米陶瓷介质薄膜，然后在介质薄膜上印刷内电极，并将印有内电极的陶瓷介质膜片交替叠合热压，形成多个电容器并联，在高温下一次烧结成为一个不可分割的整体芯片，然后在芯片的端部涂敷外电极浆料，使之与内电极形成良好的电气连接，再经复温还原，形成片式陶瓷电容器的两极。其发展趋势是：1、片式化率迅速增长；2、尺寸不断缩小；3、厚度不断变薄变轻；4、生产规模不断扩大；5、复合度不断提高；6、技术不断更新。低失真率和冲击噪音小、寿命长、高安全性和高可靠性、低成本的片式多层陶瓷电容器不断涌现。

瓷片电容体积小，温度系数范围广，介质损耗小，漏电小，耐潮湿。缺点：容量小，机械强度差。

独石电容容量大，适于低频。瓷片电容适于高频。可以取代。我是搞高频电路的喜欢瓷片电容。实际应用效果差不多。

不同的电容有不同的特性，今天我们就来探讨下瓷片电容、独石电容和贴片电容的区别在哪里吧。

瓷片电容：

瓷片电容(ceramiccapacitor)是一种用陶瓷材料作介质，在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜，再经高温烧结后作为电极而成的电容器。通常用于高稳定振荡回路中，作为回路、旁路电容器及垫整电容器。瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。

优点：稳定，绝缘性好，耐高压

缺点：容量比较小

独石电容：

独石电容是多层陶瓷电容器的别称，英文名称monolithic ceramic capacitor或multi-layer ceramic capacitor, 简称MLCC，根据所使用的材料，可分为三类。

一类为温度补偿类NPO电介质这种电容器电气性能最稳定，基本上不随温度、电压、时间的改变，属超稳定型、低损耗电容材料类型，适用在对稳定性、可靠性要求较高的高频、特高频、甚高频电路中。

二类为高介电常数类X7R电介质由于X7R是一种强电介质，因而能制造出容量比NPO介质更大的电容器。这种电容器性能较稳定，随温度、电压时间的改变，其特有的性能变化并不显著，属稳定电容材料类型，使用在隔直、耦合、傍路、滤波电路及可靠性要求较高的中高频电路中。

三类为半导体类Y5V电介质这种电容器具有较高的介电常数，常用于生产比容较大、标称容量较高的大容量电容器产品。但其容量稳定性较X7R差，容量、损耗对温度、电压等测试条件较敏感，主要用在电子整机中的振荡、耦合、滤波及旁路电路中。

特点：温度特性好，频率特性好。一般电容随着频率的上升,电容量呈现下降的规律，独石电容下降比较少，容量比较稳定。

陶瓷电容：

陶瓷电容用用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。

选择合适的电容，会大大提升产品性能哟