氮化铝陶瓷的导热系数是多少？
氧化铝陶瓷的导热系数为：20W/m.K
氧化铝陶瓷是一种以氧化铝（Al2O3）为主体的陶瓷材料。
氧化铝陶瓷有较好的传导性、机械强度和耐高温性。氧化铝陶瓷是一种用途广泛的陶瓷，因为其优越的性能，在现代社会的应用已经越来越广泛，满足于日用和特殊性能的需要。
高纯型氧化铝陶瓷系Al2O3含量在99．9%以上的陶瓷材料，由于其烧结温度高达1650—1990℃，透射波长为1～6μm，一般制成熔融玻璃以取代铂坩埚；利用其透光性及可耐碱金属腐蚀性用作钠灯管；在电子工业中可用作集成电路基板与高频绝缘材料。
普通型氧化铝陶瓷系按Al2O3含量不同分为99瓷、95瓷、90瓷、85瓷等品种，有时Al2O3含量在80%或75%者也划为普通氧化铝陶瓷系列。其中99氧化铝瓷材料用于制作高温坩埚、耐火炉管及特殊耐磨材料，如陶瓷轴承、陶瓷密封件及水阀片等；95氧化铝瓷主要用作耐腐蚀、耐磨部件；85瓷中由于常掺入部分滑石，提高了电性能与机械强度，可与钼、铌、钽等金属封接，有的用作电真空装置器件。
氧化铝陶瓷的硬度极大，洛氏硬度为HRA80-90，硬度仅次于金刚石，远远超过耐磨钢和不锈钢的耐磨性能。
氧化铝陶瓷耐磨性能好。其耐磨性相当于锰钢的266倍，高铬铸铁的171.5倍。
它还有重量轻的特点，其密度为3.5g/cm3，仅为钢铁的一半，可大大减轻设备负荷。
以下为氧化铝陶瓷含量 ≥92%的耐磨陶瓷的主要技术指标：
密度： ≥3.6 g/cm3
洛氏硬度： ≥80 HRA
抗压强度： ≥850 Mpa
断裂韧性KΙC： ≥4.8MPa·m1/2
抗弯强度：≥290MPa
导热系数：20W/m.K
热膨胀系数： 7.2×10-6m/m.K
氧化铝陶瓷坩埚
氮化铝的理论密度为3100±10kg/m3，实际测得α- Si3N4的真比重为3184 kg/m3，β- Si3N4的真比重为3187 kg/m3。氮化铝陶瓷的体积密度因工艺而变化较大，一般为理论密度的80%以上，大约在2200～3200 kg/m3之间，气孔率的高低是密度不同的主要原因，反应烧结氮化铝的气孔率一般在20%左右，密度是2200～2600 kg/m3，而热压氮化铝气孔率在5%以下，密度达3000～3200 kg/m3，与用途相近的其他材料比较，不仅密度低于所有高温合金，而且在高温结构陶瓷中也是密度较低的一种。
体积密度 (g/cm3) 为3.29
故答案为：原子晶体；
（2）N2的电子式为，氮气的密度和空气相近，不能用排空气法，难溶于水，可以用排水法；
故答案为：；排水法收集；
（3）能使湿润红色石蕊试纸变蓝的气体为氨气，根据原子守恒判断，化学反应方程式为：AlN+NaOH+H2O=NaAlO2+NH3↑；
故答案为：AlN+NaOH+H2O=NaAlO2+NH3↑；
（4）C+2H2SO4（浓浓）
| ||
| 1 |
| 3 |
| 0.12g |
| 10g |
故答案为：1.2%．
2、AIN晶体以（AIN4）四面体为结构单元共价键化合物，具有纤锌矿型结构，属六方晶系。
3、化学组成AI65.81%，N34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，单晶无色透明，常压下的升华分解温度为2450℃。
4、氮化铝陶瓷为一种高温耐热材料，热膨胀系数（4.0-6.0）X10（-6）/℃。
5、多晶AIN热导率达260W/(m.k)，比氧化铝高5-8倍，所以耐热冲击好，能耐2200℃的高温。
6、氮化铝陶瓷具有极好的耐侵蚀性。
其次介绍氧化铝陶瓷基板：
1、氧化铝陶瓷是一种以氧化铝（Al2O3）为主体的陶瓷材料，用于集成电路。
2、氧化铝陶瓷是以Al2O3陶瓷材料是以氧离子构成的密排六方结构。
3、氧化铝陶瓷有较好的传导性、机械强度和耐高温性。需要注意的是需用超声波进行洗涤。
4、氧化铝陶瓷具有高熔点、高硬度，具有优良的耐磨性能。
5、氧化铝陶瓷适用范围广，应用于大功率设备、IC MOS管、IGBT贴片式导热绝缘、高频电源、通讯、机械设备，强电流、高电压、高温等需要导热散热绝缘的产品部件。
由上可以总结出：不管是氮化铝陶瓷还是氧化铝陶瓷，都可用来做为电路基板，即氮化铝陶瓷基板和氧化铝陶瓷基板，斯利通陶瓷基板、氧化铝陶瓷基板、氮化铝陶瓷基板都是具有热导率高、化学稳定性和热稳定性优良等有机基板不具备的性能，是新一代大规模集成电路以及功率电子模块的理想封装材料。
编辑本段结构
氮化铝陶瓷是以氮化铝(AIN)为主晶相的陶瓷。AIN晶体以〔AIN4〕四面体为结构单元共价键化合物，具有纤锌矿型结构，属六方晶系。化学组成 AI 65.81%，N 34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，单晶无色透明，常压下的升华分解温度为2450℃。为一种高温耐热材料。热膨胀系数（4.0-6.0）X10（-6）/℃。多晶AIN热导率达260W/(m.k)，比氧化铝高5-8倍，所以耐热冲击好，能耐2200℃的极热。此外，氮化铝具有不受铝液和其它熔融金属及砷化镓侵蚀的特性，特别是对熔融铝液具有极好的耐侵蚀性。
编辑本段性能：
AIN陶瓷的性能与制备工艺有关。 如热压烧结AIN陶瓷，其密度为3 .2一3 .3g/cm3，抗弯强度350一400 MPa(高强型900 MPa)，弹性模量310 GPa，热导率20-30W.m(-1).K(-1)，热膨胀系数5.6x10(-6)K(-1)(25℃一400℃)。机械加工性和抗氧化性良好。
编辑本段应用
： 1.氮化铝粉末纯度高，粒径小，活性大，是制造高导热氮化铝陶瓷基片的主要原料。 2.氮化铝陶瓷基片，热导率高，膨胀系数低，强度高，耐高温，耐化学腐蚀，电阻率高，介电损耗小，是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。 3.氮化铝硬度高,超过传统氧化铝,是新型的耐磨陶瓷材料,但由于造价高,只能用于磨损严重的部位. 4.利用AIN陶瓷耐热耐熔体侵蚀和热震性，可制作GaAs晶体坩埚、Al蒸发皿、磁流体发电装置及高温透平机耐蚀部件，利用其光学性能可作红外线窗口。氮化铝薄膜可制成高频压电元件、超大规模集成电路基片等。 5.氮化铝耐热、耐熔融金属的侵蚀，对酸稳定，但在碱性溶液中易被侵蚀。AIN新生表面暴露在湿空气中会反应生成极薄的氧化膜。 利用此特性，可用作铝、铜、银、铅等金属熔炼的坩埚和烧铸模具材料。AIN陶瓷的金属化性能较好，可替代有毒性的氧化敏瓷在电子工业中广泛应用。
