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去耦陶瓷电容的去耦时间怎么计算

外向的蜜粉
动人的音响
2023-03-25 00:03:17

去耦陶瓷电容的去耦时间怎么计算?

最佳答案
健康的烤鸡
安详的翅膀
2025-09-29 11:08:21

去耦陶瓷电容是电路中装设在元件的电源端的电容,此陶瓷电容可以提供较稳定的电源,同时也可以降低元件耦合到电源端的噪声,间接可以减少其它元件受此元件噪声的影响

去耦陶瓷电容的去耦时间、稳压电源以及去耦电容是构成电源系统的两个重要部分

对于现在芯片的速度越来越快,尤其对于高速处理芯片,负载芯片的电流需求变化也是非常快

例如处理芯片内部有2000个晶体管同时发生状态翻转,转换时间是1ns,总电流需求为600mA

这就意味着电源系统须再1ns时间内补足600mA瞬态电流

但是,对于目前的稳压源系统来说,在这么短的时间内并不能反应过来,相对于快速变化的电流,稳压源明显滞后了

这样的后果是负载还在等待电流,稳压源却无法及时提供电流,总功率一定下来,电流增大了,于是电压就会被拉下来,造成了轨道塌陷,因此噪声就产生了

那么这个问题的解决方法是并联不同容值的去耦陶瓷电容

因为,稳压源需要10us才能反应过来,所以在0-10us的时间里也不能干等着,需要用恰当的陶瓷电容来补充

比如按照50mohm的目标阻抗,可以计算出电容:C=1/(2*PI*f*Z)=31.831uf,而电容的高频率同时可以计算出来,假设ESL为5nH,所以有f=Z/(2*PI*ESL)=1.6MHz

也就是说加入31.831uf的陶瓷电容,可以提供100KHz到1.6MHz频段的去耦

另外,1/1.6MHz=0.625us,这样一来,0.625us到10us这段时间电容能够提供所需要的电流

10us之后,稳压源能够提高需要的稳定电流

另外,一个大的陶瓷电容并不能满足要求,通常还会放一些小电容,例如15个0.22uf的电容,可以提供高至100MHz的去耦,这些小电容的快反应时间是1/100MHz=1ns,因此,这些电流能够保证1us之后的电流需求

考虑到反应时间可能还不太够,一般需要将退耦频率提高到500MHz,也就是反应时间快到200ps

最新回答
精明的冬瓜
无语的秀发
2025-09-29 11:08:21

既然你说了是瞬时电流,那么应该是指在直流电路。

由于电容两端的电压瞬间突变,产生了电压变化率,i=c*(du/dt)。这里的i就是瞬时间流i

要计算电容器的瞬时电流可以通过三要素法来求出。

电容器电量可大可小,我不知道你说的很小是多小

留胡子的往事
激动的灰狼
2025-09-29 11:08:21
假设一下,一秒钟,能存一库伦电量,那么此时电容量为1法拉,那么220微法能存多少电量呢,可能是0.00022库伦吧,只要存上了多大电量,证明就有多少电流流过。

电流的概念就是:导体中,电荷在电场作用下,做有规则的定向移动。这样,电容的极板上既然存上了一定量的电荷,足以证明在曾经的一瞬间,确实有电流流过。虽然很小,时间极短。所以根据电荷的量可以计算当时的电流的。

忧伤的面包
碧蓝的朋友
2025-09-29 11:08:21
多层陶瓷电容器并没有规定的允许电流 (纹波) 规格,但是,请严格遵守以下各点要求,并在使用前在实际电路中对其进行确认。 请确认连续施加交流电压或者脉冲电压时,电容器是否具备可通过大电流的使用条件。将直流额定电压产品用在交流电压的电路或者脉冲电压的电路中时,由于会通过交流电压或者脉冲电压,请确认自发热状态。请确认电容器的表面温度在包括自发热引起的温度上升的使用温度的上限范围以内。将电容器用于高频电压或者脉冲电压中时,会存在由于介电损耗引起的发热情况

忧郁的白开水
淡淡的大碗
2025-09-29 11:08:21
电容器充放电的过程,也就是往电容器中存取电荷的过程。电荷从零到最多或从最多到零的变化,其电压也是跟随着变化,因而电流也跟随着变化,不是恒定的,每一瞬间的电流都不相同,所以只有瞬间电流,没有恒定电流。