瓷片电容短路的情况是怎样的

您好，击穿是电压强度超过绝缘体承受限度时发生的，电流可无视绝缘体而直接导通，所以是短路。如果没有保护电路，一直加电短路的地方可能会被烧断。这还要看供电电源是否能提供足够的电流，另外还要看电容击穿的情况(短路电阻要比较小)。

瓷片电容器击穿后则相当于短路，原因是当电容接在直流上时是是看为开路，接在交流电上时看为短路，瓷片电容器有个性质是通交隔直，击穿一词在电工的理解是短路，击穿形成的原因主要是外界电压超过其标称电压所导致的性破坏，叫做击穿。在固体电介质中发生破坏性放电时，称为击穿。击穿时，在固体电介质中留下痕迹，使固体电介质失去绝缘性能。如绝缘纸板击穿时，会在纸板上留下一个孔，可见击穿这个词用于固体电介质中。防止电容器击穿除了要按规定使用电容器之外，还要采购质量合格的电容器，例如智旭JEC生产的陶瓷电容器，质量好，品质有保证！

当测量中发现万用表的指针无法达到无穷大的位置时，指针所指的阻值就是该瓷片电容器的漏电电阻

指针距离阻值无穷大的位置越远，说明瓷片电容器漏电越严重

有的电容器在测其漏电电阻时，指针退回无穷大的位置，然后又慢慢的向顺时针方向摆动，摆动的越多说明陶瓷电容的漏电流越严重

瓷片电容的断路测量

瓷片电容的容量范围很宽，用万用表判断电容器的断路情况时，首先要看电容量的大小

对于0.019UF以下的小容量电容器，用万用表不能准确判断其是否断路，只能用其他仪表进行鉴别

对于0.01UF以上的瓷片电容，用万用表测量时，必须根据瓷片电容容量大小，选择合适的量程进行测量，才能正确的给以判断

如测量300UF以上的陶瓷电容，可以选R*10档或者R*1档；如要测10~300UF陶瓷电容时可选用R*100档；如要测0.4710UF的电容可选用R*1K档

按照上述方法选好量程后，便可将万用表的两表笔分别接陶瓷电容的两引脚

测量时，如指针不动，可将两表笔对调后再测，如指针不动，说明瓷片电容断路

用万用表的欧姆档测量瓷片电容的短路

用万用表的两表笔分别接电容器的两引脚，如果指针所指示的阻值很小或者接近为零，而且指针不再退回无穷大的位置，说明瓷片电容已经被击穿短路

需要注意的是在测量容量较大的电容器时，要根据电容量的大小，依照上述介绍的量程选择方法来选择适合的量程，否则可能会把瓷片电容的充电误认为击穿

选择瓷片电容时，产品质量好坏直接关系我们的生活品质及生活安全

请选择原厂正品出产，品质有保证并可安全使用

一：潮湿对电参数恶化的影响。空气中温度过高，会使高压陶瓷电容的表面绝缘电阻下降，对于半密封结构电容器来说，水分会渗透到电容器的介质内部使电容器介质的绝缘电阻绝缘能力下降。因此，高温，高湿环境对瓷片电容的损坏影响较大。

二：银离子的迁移。无机介质电容器多半采用银电极，半密封电容器在高温条件下工作，渗入电容器内部的水分子产生电解。产生氧化反应，银离子与氢氧根离子结合产生氢氧化银。由于电极反应，银离子迁移不仅发生在无机介质表面，还扩散到无机介质内部，引起漏电流增大，严重时会使两个银电极之间完全短路，导致高压陶瓷电容损坏或击穿。

三：有的高压陶瓷电容，在运用测试操作时，电容器投入时的电流过大，无任何无电压保护措施，也无串联电抗器，使电容器过热，绝缘降低或损坏，如果操作频繁，也会影响陶瓷电容损坏，甚至爆炸。

四：从单颗陶瓷电容分析，电容碰到了强大的电流，导致内部材料发热，散热不及时，造成热击穿损坏。

智旭电子高压陶瓷电容外观小巧，精莹剔透，粉涂均匀，还可以为客人需求订制观型尺寸。

主板短路维修检测方法：

1、首先，仔细观察主板各部分元件是否有变色烧糊的痕迹。

一般来说，当每个元件在出现短路时，由于消耗大电流，会导致元件发热过高而出现外观鼓包或变色变焦等。如有烧糊元件。

判断烧糊元件作用及位置，然后分析元件损坏原因：

（1）元件本身损坏

（2）后级短路导致元件负载过大。

判断好之后，更换好的元件。如果更换后，依然主板短路，继续往下查看。

2、将稳压电源的电流门限设置小一些，防止电流过大导致主板其他元件损坏，或者电流过大元件发热产生危险(烫手)。

可以先将稳压电源的电流设置在1A左右，然后插电源，用手轻轻触摸，查找发热元件，如找到，将它更换掉。如果找不到明显元件，加大电流，继续查找。

扩展资料：

维修常见短路元件方法：

（1）陶瓷电容：

陶瓷电容是多层片式结构，原理就是两个带电导体相互靠近，彼此绝缘，就会容纳电荷。而电容的两端是不能通的。陶瓷电容的损坏故障现象就是短路击穿，使用万用表去测量，阻值0欧姆。

并且不会因为电流的升高而断路，会一直保持在短路状态，而且会产生高温。外观可以看出两端触点有腐蚀的痕迹。陶瓷颜色变深或变得不均匀。一般在主供电或公共端的滤波陶瓷电容损坏几率比较高。

（2）高低端MOS管：

高低端MOS管在电路中的作用是DC-DC降压，将适配器的电压转换为主板所需要的各路电压。高低端MOS管一般都是N沟道(只有少部分充放电芯片会使用P沟道)，高低端MOS损坏的现象就是击穿。使用万用表去测量形成了通路。

一般常见原因是由于供电控制芯进水或损坏，导致MOS管G极失去控制信号(MOS管不可以在没有供电芯片时直接加电，否则直接导致击穿损坏)。如果遇到MOS管损坏的故障，要综合考虑故障原因，防止更换后依旧短路，导致后级元件烧毁。

通过测量SMT电容的电阻可以判断短路或漏电故障，但前提是必须将SMT电容从电路板上取出。

SMT电容的电阻通常很大，很难用万用表的电阻范围来测量。如果电阻值非常小，例如在几百欧姆以内，这是短路故障；如果电阻值在几万到兆欧之间，则为漏电故障，当SMT电容器短路和泄漏时，失去了电容特性，必须更换。

扩展资料：

注意事项：

SMT电容器一般采用层压结构，如果电容两端加的电压超过电容的承受电压，就很容易使介质发生故障，发生短路，要测量电容是否短路，最好将其焊接下来测量。

因为有些电路与电容并联的电阻值很低，不要看短路情况。由于我在电能计量装置中测试ABC三相采样电路的SMT陶瓷电容，怀疑短路立即测量了另外两个电路，结果相同。

仔细一看，不是零欧姆。线性搜索结果表明，这三个采样电路的电容分别与一个数十欧姆的电阻并联，并焊接电容进行正常测量。

它的外形以片式居多，也有管形、圆形等形状

陶瓷电容一般都是圆形的蓝色本体

随着科技发展需求，陶瓷电容在电子市场的需求与日俱增

那陶瓷电容损坏原因有哪些呢？潮湿对电参数恶化的影响

空气中温度过高，会使陶瓷电容器的表面绝缘电阻下降，对于半密封结构电容器来说，水分会渗透到电容器的介质内部使电容器介质的绝缘电阻绝缘能力下降

因此，高温，高湿环境对陶瓷电容的损坏影响较大

二：银离子的迁移

无机介质电容器多半采用银电极，半密封电容器在高温条件下工作，渗入电容器内部的水分子产生电解

产生氧化反应，银离子与氢氧根离子结合产生氢氧化银

由于电极反应，银离子迁移不仅发生在无机介质表面，还扩散到无机介质内部，引起漏电流增大，严重时会使两个银电极之间完全短路，导致陶瓷电容损坏或击穿

有的陶瓷电容器，在运用测试操作时，电容器投入时的电流过大，无任何无电压保护措施，也无串联电抗器，使电容器过热，绝缘降低或损坏，如果操作频繁，也会影响陶瓷电容损坏，甚至爆炸

如果选购到质量不好的陶瓷电容，在长期工作电压下，内部残存的气泡产生局部放电现象

局部放电进一步导致绝缘损伤和老化

温度也会上长，会导致陶瓷电容损坏，击穿