贴片电容与瓷片电容区别是什么?
瓷片电容(ceramiccapacitor)是一种用陶瓷材料作介质,在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜,再经高温烧结后作为电极而成的电容器。通常用于高稳定振荡回路中,作为回路、旁路电容器及垫整电容器。
优点:稳定,绝缘性好,耐高压 缺点:容量比较小
贴片电容全称为:多层(积层,叠层)片式陶瓷电容器,也称为贴片电容,片容。英文全称:Multi-layerceramiccapacitors。英文缩写:MLCC。
贴片电容的分类:
1、NPO电容器
2、X7R电容器
3、Z5U电容器
4、Y5V电容器
区别:NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同,随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。
相信大家都知道热门电容中,瓷片电容占的比例也较多
在回路以及旁路电容器中瓷片电容都是必不可少的,瓷片电容都是由陶瓷材料烧制而成的
虽然材质都是一样的,但在不同电路中所运用的瓷片电容规格也是不一样的
规格一:1000V-6000V高频瓷片电容高频瓷片电容一般主要都是运用于较高稳定振荡的回路中,因此其在稳定性方面要求是比较高的,如比较常见的耦合电容以及高压旁路就会选择用高频瓷片电容
最主要的优点就是可以耐受高温以及耐磨性比较强,如日常生活中常见的电视接收机上就会使用高压瓷片电容
规格二:50V以下低频瓷片电容低频瓷片电容主要是运用在一些工作频率比较低的回路中,在这类型的回路中往往对于电容的稳定性以及损耗的程度要求都不是很高
尤其是在一些脉冲比较强的电路中是不能使用低频瓷片电容的,否则很有可能会被电压直接击穿
二者的差异比较二者不同类型的瓷片电容规格识别可以直接通过电容器或者是电路来进行判断
一般来说可以耐受高压,绝缘性比较好,而且比较可靠,运用于高压电路中的就属于高频瓷片电容
而低频瓷片电容相比较而言可靠性以及成本都比较低,多数时候都是运用于一些低频电路以及耦合电路等的电容器中
快速识别方法一般来说在音频控制器以及分频器上使用的电容都是高频瓷片电容,因为其容量会比较大,通过金属塑料薄膜的使用可以获得更佳的音质
其次就是在滤波电容中,其容量的特性决定了使用电解电容的效果会比较好,但在使用的过程中还要注意抑制高频阻抗不断上升的情况
所以针对瓷片电容规格的识别来说,可以通过判断回路的电压以及特性就可以快速鉴别出其所使用的瓷片电容,同时在进行识别的时候也可以参照电阻的规格识别方法
制作工艺:薄瓷片两面渡金属膜银而成。
优点:体积小,耐压高,价格低,频率高(有一种是高频电容)
缺点:易碎!容量低
用途:高频震荡、谐振、退耦、音响。
它又分高频瓷介和低频瓷介两种
具有小的正电容温度系数的电容器,用于高稳定振荡回路中,作为回路电容器及垫整电容器
低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用,或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉
这种电容器不宜使用在脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿
二者联系和区别:瓷片电容的高频特性好,但电容值最大只能做到0.1uF
瓷片电容也属于陶瓷电容的一种
瓷片电容的在识别上与电阻的识别方法基本相同,分直标法、色标法和数标法3种
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电解电容与瓷片电容的区别:
一、介质不同
1、电解电容:用氧化膜(氧化铝或五氧化二钽)作电介质。
2、瓷片电容:用陶瓷材料作介质。
二、原理不同
1、电解电容:金属箔为正极(铝或钽),与正极紧贴金属的氧化膜(氧化铝或五氧化二钽)是电介质,阴极由导电材料、电解质(电解质可以是液体或固体)和其他材料共同组成。
2、瓷片电容:在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜,再经高温烧结后作为电极而成的电容器。
三、容量不同
1、电解电容:电容量大。
2、瓷片电容:电容量比较小。
四、用途不同
1、电解电容:通常在电源电路或中频、低频电路中起电源滤波、退耦、信号耦合及时间常数设定、隔直流等作用
2、瓷片电容:用于高稳定振荡回路中,作为回路电容器及垫整电容器。
扩展资料
铝电解电容器的类型:
1、引线型铝电解电容器。
2、牛角型铝电解电容器。
3、螺栓式铝电解电容器。
4、固态铝电解电容器。
电解电容的特点:
1、单位体积的电容量非常大,比其它种类的电容大几十到数百倍。
2、额定的容量可以做到非常大,可以轻易做到几万μf甚至几f(但不能和双电层电容比)。
3、价格比其它种类具有压倒性优势,因为电解电容的组成材料都是普通的工业材料,比如铝等等。制造电解电容的设备也都是普通的工业设备,可以大规模生产,成本相对比较低。
参考资料来源:百度百科-电解电容
参考资料来源:百度百科-瓷片电容
温度补偿型NPO(COG)是Ⅰ类瓷片电容;X7R;X5R;Y5U;Y5V是Ⅱ类瓷片电容Ⅰ类瓷片电容特点是容量稳定性好,基本不随温度;电压;时间的变化而变化,容量也比较小
NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器
它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的
NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一
在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃,电容量随频率的变化小于±0.3ΔC
NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%,相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的
其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%
NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同,大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好
应用在电容稳定性有要求的场合
Ⅱ类瓷片电容特点是容量稳定相对较差,但是容量相对也大些
X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器
当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%,需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的
X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的,它也随时间的变化而变化,大约每10年变化1%ΔC,表现为10年变化了约5%
X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用,而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下
它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大
Y5V瓷片电容是有一定温度限制的通用电容器,在工作温度-30℃到85℃范围内其容量变化为+22%到-82%、介质损耗为5%
Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达100μF的电容器
Y5V瓷片电容适合用于去耦、平滑用
一般应用在电压等级比较高的回路。
而独石电容器,大多50v,100v。200v的独石电容器都很少见。
独石电容器大多应用在控制回路(信号回路)。
瓷片电容器,尺寸一般比独石电容器大不少。
只要空间放得下,容量一致,应用场合要求不那么严格,替代是可以的。
104代表容量0.1uF,Z和M代表误差,M表示+/-20%,Z表示+/-80%/-20%。
瓷介电容器的温度系数有14个组别。瓷介电容器的温度系数为 -(2200±400)(10^-6/℃)范围,用字母 Z表示,也可以用紫色表示。对温度系数不作规定的瓷介电容器可用字母 C表示,但大多用橙色表示。
不同的电容有不同的特性,今天我们就来探讨下瓷片电容、独石电容和贴片电容的区别在哪里吧。
瓷片电容:
瓷片电容(ceramiccapacitor)是一种用陶瓷材料作介质,在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜,再经高温烧结后作为电极而成的电容器。通常用于高稳定振荡回路中,作为回路、旁路电容器及垫整电容器。瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器,用于高稳定振荡回路中,作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用,或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿。
优点:稳定,绝缘性好,耐高压
缺点:容量比较小
独石电容:
独石电容是多层陶瓷电容器的别称,英文名称monolithic ceramic capacitor或multi-layer ceramic capacitor, 简称MLCC,根据所使用的材料,可分为三类。
一类为温度补偿类NPO电介质这种电容器电气性能最稳定,基本上不随温度、电压、时间的改变,属超稳定型、低损耗电容材料类型,适用在对稳定性、可靠性要求较高的高频、特高频、甚高频电路中。
二类为高介电常数类X7R电介质由于X7R是一种强电介质,因而能制造出容量比NPO介质更大的电容器。这种电容器性能较稳定,随温度、电压时间的改变,其特有的性能变化并不显著,属稳定电容材料类型,使用在隔直、耦合、傍路、滤波电路及可靠性要求较高的中高频电路中。
三类为半导体类Y5V电介质这种电容器具有较高的介电常数,常用于生产比容较大、标称容量较高的大容量电容器产品。但其容量稳定性较X7R差,容量、损耗对温度、电压等测试条件较敏感,主要用在电子整机中的振荡、耦合、滤波及旁路电路中。
特点:温度特性好,频率特性好。一般电容随着频率的上升,电容量呈现下降的规律,独石电容下降比较少,容量比较稳定。
陶瓷电容:
陶瓷电容用用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质,并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器,用于高稳定振荡回路中,作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用,或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。
选择合适的电容,会大大提升产品性能哟