瓷片电容的型号有哪些

检测方法

1、检测10pF以下的小电容——因10pF以下的固定电容器容量太小，用万用表进行测量，只能定性的检查其是否有漏电，内部短路或击穿现象。

测量时，可选用万用表10k挡，用两表笔分别任意接电容的两个引脚，阻值应为无穷大。若测出阻值（指针向右摆动）为零，则说明电容漏电损坏或内部击穿。

2、检测10PF～0 01μF固定电容器是否有充电现象，进而判断其好坏。万用表选用1k挡。两只三极管的β值均为100以上，且穿透电流要小。

可选用3DG6等型号硅三极管组成复合管。万用表的红和黑表笔分别与复合管的发射极e和集电极c相接。由于复合三极管的放大作用，把被测电容的充放电过程予以放大，使万用表指针摆幅度加大，从而便于观察。

3、对于0 01μF以上的固定电容，可用万用表的10k挡直接测试电容器有无充电过程以及有无内部短路或漏电，并可根据指针向右摆动的幅度大小估计出电容器的容量。

4、应注意的是：在测试操作时，特别是在测较小容量的电容时，要反复调换被测电容引脚接触A、B两点，才能明显地看到万用表指针的摆动。

扩展资料

瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。

低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。

1.MLCC(1类)—微型化，高频化，超低损耗，低ESR，高稳定，高耐压，高绝缘，高可靠，无极性，低容值，低成本，耐高温，主要应用于高频电路中。

2.MLCC(2类)—微型化，高比容，中高压，无极性，高可靠，耐高温，低ESR，低成本，主要应用于中,低频电路中作隔直，耦合，旁路和滤波等电容器使用。

参考资料来源：百度百科- 瓷片电容

参考资料来源：中国电工考试网-用数字万用表测电容好坏

电容的基本单位用法拉(F)表示，其它单位还有：毫法(mF)、微法(μF)/mju:/、纳法(nF)、皮法(pF)

其中：1法拉=1000毫法(mF)，1毫法=1000微法(μF)，1微法=1000纳法(nF)，1纳法=1000皮法(pF)瓷片电容的电容量一般以pF（10的-12次方F）为单位，早期产品多采用直接标注，如1000p、220p等；现在一般以常用指数表示法，如102、221，前两位数是电容量的有效数字，后一位数是后面添零的个数，如102表示有效数是10，2表示后面再添2个0，即1000pF；221表示有效数22，1表示后面再添1个0，即220pF

1、容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10μF/16V；2、容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示；字母表示法：1F=10^6uF=10^12pF1F＝1000000µF1m=1000μF1P=1pF（如470P=470pF）1P2=1.2PF1n=1000PF；数字表示法：三位数字的表示法也称电容量的数码表示法

三位数字的前两位数字为标称容量的有效数字，第三位数字表示有效数字后面零的个数，它们的单位都是pF

如：102表示标称容量为10×(10^2)pF=1000pF=0.001µF；103表示标称容量为10×(10^3)pF=10000pF=0.01µF；104表示标称容量为10×(10^4)pF=100000pF=0.1µF；105表示标称容量为10×(10^5)pF=1000000pF=1µF；470表示标称容量为47pF；223表示标称容量为(22×(10^3))pF（即22000pF）；224表示标称容量为(22×(10^4))pF（即220000pF）=0.22uF安规电容和高压陶瓷电容容量误差用符号F、G、J、K、L、M来表示，允许误差分别对应为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%、±20%

瓷片电容104是0.1uF。

计算方法如下：

104电容，前面的两位数字，表示有效值，后面的4表示10的幂，

那么104电容值为10x10^4pF=10^5pF=10^(-7)F=0.1uF

扩展资料：

分类

瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。

按瓷介电容电介质又分：

1、类电介质(NP0,C0G)；

2、类电介质(X7R,2X1)；

3、类电介质(Y5V,2F4)瓷介电容器EIA RS-198。

参考资料来源：百度百科-瓷片电容