瓷片电容能不能220v降压用
不能
特别要注意,这个说的并不是普通粉包型的CBB22电容,而是专用于阻容降压电路的CBB22电容,它采用特殊工艺,专门用于LED等阻容降压电路中。它的主要特点是:耐高温、工作温度最高可达120℃。由于金属化薄膜的自愈性、因而具有很高的可靠性,同时它体积小、重量轻、耐压高、寿命长,特别适合作为阻容降压电容使用,容量衰减很小。
瓷片电容的识别方法:电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同,分直标法、色标法和数标法3种。电容的基本单位用法拉(F)表示,其它单位还有:毫法(mF)、微法 (μF)/mju:/、纳法(nF)、皮法(pF)。其中:1法拉=1000毫法(mF),1毫法=1000微法(μF),1微法=1000纳法 (nF),1纳法=1000皮法(pF)
容量大的电容其容量值在电容上直接标明,如10 μF/16V
容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示
字母表示法:1m=1000 μF 1P2=1.2PF 1n=1000PF
数字表示法:三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。三位数字的前两位数字为标称容量的有效数字,第三位数字表示有效数字后面零的个数,它们的单位都是pF。
如:102表示标称容量为1000pF。
221表示标称容量为220pF。
224表示标称容量为22x10(4)pF。
在这种表示法中有一个特殊情况,就是当第三位数字用"9"表示时,是用有效数字乘上10的-1次方来表示容量大小。
如:229表示标称容量为22x(10-1)pF=2.2pF。
允许误差 ±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20%
如:一瓷片电容为104J表示容量为0.1 μF、误差为±5%
单位:亨(F) 毫亨(mF) 微亨(uF) 纳亨(nF) 皮亨(pF)
1F=1000mF=1000,000uF=1000,000,000nF=1000,000,000,000pF 1mF=0.001F=1000uF=1000,000 nF=1000,000,000pF 1uF=0.000001F=0.001 mF =1000 nF =1000,000pF 1nF=0.000000001F=0.000001 mF=0.001uF=1000pF
1pF=0.000000000001F=0.000000001 mF=0.000001uF=0.001 nF
2、瓷片电容(ceramiccapacitor)是一种用陶瓷材料作介质,在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜,再经高温烧结后作为电极而成的电容器。通常用于高稳定振荡回路中,作为回路、旁路电容器及垫整电容器。
3、瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器,用于高稳定振荡回路中,作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用,或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿。
数字标注法 一般是用3位数字表示电容器的容量。其中前两位为有效值数字,第三位为倍乘数(即表示有效值后有多少个0)。电容 220,表示有效值是22,后面再加0个0,即22PF。
220属数字标注法,按照GB/T 2691-1994 《电阻器和电容器的标志代码》电容器的参数标注方法:
1、直标法:将电容器的主要参数(标称容量、额定电压、及允许偏差)直接标注在电容器上,如0.0047μf/275V,0.0047μf是容量,相当于4700Pf,275V应是耐压(不属优选数系列)。
2、文字符号法:采用数字或字母与数字混合的方法来标注电容器的主要参数。
1, 数字标注法 一般是用3位数字表示电容器的容量。其中前两位为有效值数字,第三位为倍乘数(即表示有效值后有多少个0)。如220,表示有效值是22,后面再加0个0,即22PF。
扩展资料:
国产电容器的型号一般由四部分组成(不适用于压敏、可变、真空电容器),依次分别代表名称、材料、分类和序号。
1、第一部分:名称,用字母表示,电容器用C。
2、第二部分:材料,用字母表示。
注:A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高频陶瓷、D-铝电解、E-其它材料电解、G-合金电解、H-复合介质、I-玻璃釉、J-金属化纸、L-涤纶等极性有机薄膜、N-铌电解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低频陶瓷、V-云母纸、Y-云母、Z-纸介。
3、第三部分:分类,一般用数字表示,个别用字母表示。
注:T-电铁、W-微调、J-金属化、X-小型、S-独石、D-低压、M-密封。
参考资料:百度百科-麦拉电容
参考资料:百度百科-电容器
瓷片电容222M/2kv 表示22*10^2pf=2200pf=2.2nf,耐压2千伏,最大容量误差为20%。
容量大的电容其容量值在电容上直接标明,如10 μF/16V,容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示。
瓷片电容的识别方法:电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同,分直标法、色标法和数标法3种。电容的基本单位用法拉(F)表示,其它单位还有:毫法(mF)、微法 (μF)/mju:/、纳法(nF)、皮法(pF)。其中:1法拉=1000毫法(mF),1毫法=1000微法(μF),1微法=1000纳法 (nF),1纳法=1000皮法(pF)。
扩展资料:
陶瓷电容有二个端子的非极性元件,早期最常使用陶瓷电容是碟型电容器,比晶体管问世的时间要早,在1930年代到1950年代就应用在许多的真空管设备(如广播接收器)中,后来陶瓷电容也广泛使用在晶体管设备中。至2007年止,由于陶瓷电容相较于其他低容值电容的高容量及低成本优势,陶瓷电容仍广泛使用在各种电子设备中。
EIA也有针对电容的温度系数有三个字的识别码。对于不是Class 1的非温度补偿型电容,第一个字对应工作温度的下限,第二个字为数字,对应工作温度的上限,第三个字对应在温度范围内的电容值变动。
陶瓷电容的电感性较其他主要电容器(薄膜电容或电解电容)要低,因此适用于高频的应用,一般可以到达数百MHz,若在电路上进行微调,甚至可以到达1GHz。若希望达到更高自共振频率,需要使用更昂贵及少见的电容,例如玻璃电容或云母电容。
参考资料来源:百度百科——瓷片电容
参考资料来源:百度百科——电容值
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瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器,用于高稳定振荡回路中,作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用,或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿。