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MLCC(多层片式陶瓷电容)

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2023-03-22 14:07:59

MLCC(多层片式陶瓷电容)

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2025-10-09 16:32:16

MLCC(多层陶瓷电容器)

介质陶瓷材料在MLCC中的应用与技术要求

(一)MLCC的主要结构及其所用的材料

(二)MLCC对介质陶瓷材料的技术要求

MLCC介质陶瓷国外发展现状与发展趋势

(一)国外本领域及产业发展现状与发展趋势

(二)国外生产MLCC介质陶瓷材料的主要公司

(三)世界上主要国家技术发展分析

国内MLCC介质陶瓷材料行业发展现状

(一)国内MLCC介质陶瓷材料行业发展现状

(二)国内主要生产MLCC介质陶瓷材料的企业情况

(三)国内MLCC介质陶瓷材料的生产技术水平与差距

五、国内外市场、需求(预测)分析

(一)国外市场需求分析

1、全球MLCC发展情况

2、国外MLCC用介质陶瓷材料的需求及预测

(二)国内市场需求(预测)分析

1、国内MLCC产业发展概况

2、国内生产MLCC的主要企业介绍

3、国内MLCC 2002~2003年进出口情况

4、我国MLCC产销需求及进出口的变化

5、国内MLCC用介质陶瓷材料市场及需求(预测)分析

六、国内发展MLCC介质陶瓷材料的优势及劣势分析

(一)发展优势

(二)发展劣势及存在问题

七、国内MLCC介质陶瓷材料发展前景及发展%C

希望能够帮到你!

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玩命的小懒猪
追寻的早晨
2025-10-09 16:32:16

检测方法

1、检测10pF以下的小电容——因10pF以下的固定电容器容量太小,用万用表进行测量,只能定性的检查其是否有漏电,内部短路或击穿现象。

测量时,可选用万用表10k挡,用两表笔分别任意接电容的两个引脚,阻值应为无穷大。若测出阻值(指针向右摆动)为零,则说明电容漏电损坏或内部击穿。

2、检测10PF~0 01μF固定电容器是否有充电现象,进而判断其好坏。万用表选用1k挡。两只三极管的β值均为100以上,且穿透电流要小。

可选用3DG6等型号硅三极管组成复合管。万用表的红和黑表笔分别与复合管的发射极e和集电极c相接。由于复合三极管的放大作用,把被测电容的充放电过程予以放大,使万用表指针摆幅度加大,从而便于观察。

3、对于0 01μF以上的固定电容,可用万用表的10k挡直接测试电容器有无充电过程以及有无内部短路或漏电,并可根据指针向右摆动的幅度大小估计出电容器的容量。

4、应注意的是:在测试操作时,特别是在测较小容量的电容时,要反复调换被测电容引脚接触A、B两点,才能明显地看到万用表指针的摆动。

扩展资料

瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器,用于高稳定振荡回路中,作为回路电容器及垫整电容器。

低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用,或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿。

1.MLCC(1类)—微型化,高频化,超低损耗,低ESR,高稳定,高耐压,高绝缘,高可靠,无极性,低容值,低成本,耐高温,主要应用于高频电路中。

2.MLCC(2类)—微型化,高比容,中高压,无极性,高可靠,耐高温,低ESR,低成本,主要应用于中,低频电路中作隔直,耦合,旁路和滤波等电容器使用。

参考资料来源:百度百科- 瓷片电容

参考资料来源:中国电工考试网-用数字万用表测电容好坏

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2025-10-09 16:32:16
瓷片电容技术的发展历程:1900年意大利L.隆巴迪发明陶瓷介质电容;30年代末人们发现在陶瓷中添加钛酸盐可使介电常数成倍增长,因而制造出较便宜的瓷介质电容;1940年前后人们发现了现在的瓷片电容技术参数的主要原材料BaTiO3(钛酸钡)具有绝缘性后,开始将瓷片电容技术参数使用于对既小型、精度要求又极高的军事用电子设备当中

1960年左右陶瓷叠片电容作为商品开始开发

1970年,随着混合IC、计算机、以及便携电子设备的进步也随之迅速的发展起来,瓷片电容成为电子设备中不可缺少的零部件,而其中技术参数也是学者们研究的重点

现在的陶瓷介质电容的全部数量约占电容市场的70%左右

因为陶瓷介质电容的绝缘体材料主要使用陶瓷,其基本构造是将陶瓷和内部电极交相重叠

陶瓷材料有几个种类

自从考虑电子产品无害化特别是无铅化后,高介电系数的PB(铅)退出瓷片电容技术参数领域,现在主要使用TiO2(二氧化钛)、BaTiO3,CaZrO3(锆酸钙)等

和其它的电容相比具有体积小、容量大、耐热性好、适合批量生产、价格低等优点

由于原材料丰富,结构简单,价格低廉,而且电容量范围较宽(一般有几个PF到上百μF),损耗较小,电容量温度系数可根据要求在很大范围内调整

瓷片电容技术参数品种繁多,外形尺寸相差甚大从0402(约1×0.5mm)封装的贴片电容到大型的功率瓷片电容

按使用的介质材料特性可分为Ⅰ型、Ⅱ型和半导体瓷片电容;按无功功率大小可分为低功率、高功率瓷片电容;按工作电压可分为低压和高压瓷片电容;按结构形状可分为圆片形、管型、鼓形、瓶形、筒形、板形、叠片、独石、块状、支柱式、穿心式等

瓷片电容的分类:瓷片电容技术参数从介质类型主要可以分为两类,即Ⅰ类瓷片电容技术参数和Ⅱ类瓷片电容技术参数

Ⅰ类瓷片电容技术参数(ClassⅠceramiccapacitor),过去称高频瓷片电容技术参数(High-freqencyceramiccapacitor),是指用介质损耗小、绝缘电阻高、介电常数随温度呈线性变化的陶瓷介质制造的电容

它特别适用于谐振回路,以及其它要求损耗小和电容量稳定的电路,或用于温度补偿

Ⅱ类瓷片电容技术参数(ClassⅡceramiccapacitor)过去称为为低频瓷片电容技术参数(Lowfrequencycermiccapacitor),指用铁电陶瓷作介质的电容,因此也称铁电瓷片电容技术参数

这类电容的比电容大,电容量随温度呈非线性变化,损耗较大,常在电子设备中用于旁路、耦合或用于其它对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中

常见的Ⅱ类瓷片电容技术参数有:X7R、X5R、Y5V、Z5U其中:X7R表示为:第一位X为最低工作温度-55℃,第二位的数字7位最高工作温度+125℃,第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%;X5R表示为:第一位X为最低工作温度-55℃,第二位的数字5位最高工作温度+85℃,第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%;Y5V表示为:第一位Y为最低工作温度-30℃,第二位的数字5位最高工作温度+85℃,第三位字母V为随温度变化的容值偏差+22%,-82%±15%

Z5U表示为:第一位Z为最低工作温度+10℃,第二位的数字5位最高工作温度+85℃,第三位字母U为随温度变化的容值偏差+22%,-56%

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2025-10-09 16:32:16
瓷片电容的电容量一般以pF(10的-12次方F)为单位,早期产品多采用直接标注,如1000p、220p等;

现在一般以常用指数表示法,如102、221,前两位数是电容量的有效数字,后一位数是后面添零的个数,如102表示有效数是10,2表示后面再添2个0,即1000pF;221表示有效数22,1表示后面再添1个0,即220pF。

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2025-10-09 16:32:16
瓷片电容已随着各类电子产品走进人们的生活中,在选型中,遇到测量问题,该如何处理呢一般瓷片电容的测量方法:将万用表置于R*10档,用两表笔分别接触电容器引脚,测得电阻一般在几百千欧至几千千欧;若测得电阻很小甚至为零,说明电容内部已短路

当测量中发现万用表的指针无法达到无穷大的位置时,指针所指的阻值就是该瓷片电容器的漏电电阻

指针距离阻值无穷大的位置越远,说明瓷片电容器漏电越严重

有的电容器在测其漏电电阻时,指针退回无穷大的位置,然后又慢慢的向顺时针方向摆动,摆动的越多说明陶瓷电容的漏电流越严重

瓷片电容的断路测量

瓷片电容的容量范围很宽,用万用表判断电容器的断路情况时,首先要看电容量的大小

对于0.019UF以下的小容量电容器,用万用表不能准确判断其是否断路,只能用其他仪表进行鉴别

对于0.01UF以上的瓷片电容,用万用表测量时,必须根据瓷片电容容量大小,选择合适的量程进行测量,才能正确的给以判断

如测量300UF以上的陶瓷电容,可以选R*10档或者R*1档;如要测10~300UF陶瓷电容时可选用R*100档;如要测0.4710UF的电容可选用R*1K档

按照上述方法选好量程后,便可将万用表的两表笔分别接陶瓷电容的两引脚

测量时,如指针不动,可将两表笔对调后再测,如指针不动,说明瓷片电容断路

用万用表的欧姆档测量瓷片电容的短路

用万用表的两表笔分别接电容器的两引脚,如果指针所指示的阻值很小或者接近为零,而且指针不再退回无穷大的位置,说明瓷片电容已经被击穿短路

需要注意的是在测量容量较大的电容器时,要根据电容量的大小,依照上述介绍的量程选择方法来选择适合的量程,否则可能会把瓷片电容的充电误认为击穿

选择瓷片电容时,产品质量好坏直接关系我们的生活品质及生活安全

请选择原厂正品出产,品质有保证并可安全使用

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2025-10-09 16:32:16
1,有极性电容于无极性电容的区别在于,介质的不同:

有极性电容大多采用电解质做介质材料,通常同体积的电容有极性电容容量大。另外,不同的电解质材料和工艺制造出的有极性电容同体积的容量也会不同。再有就是耐压和使用介质材料也有密切关系。

无极性电容介质材料也很多,大多采用金属氧化膜、涤纶等。由于介质的可逆或不可逆性能决定了有极、无极性电容的使用环境。

2,相同点,原理上相同。

(1)都是存储电荷和释放电荷;

(2)极板上的电压(这里把电荷积累的电动势叫电压)不能突变。

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2025-10-09 16:32:16

电容能贮存电能,其最大特点是阻止直流电通过而能让交流电通过,电容的两侧的电极相反。因此利用这些特性可改变其交流电的相位(这一特征正好与电感电路相反)能补偿交流电路中的变压器等交感电路的线路损失而提高功率因素。利用能阻止直流电通过而能让交流电通过的特征,可用于整流电路中的交流成份及需要过滤交流电的线路中,平稳直流电路。利用其能贮存电能的特性,可制成阻容电路而自动控制时间……。现代电气中,没有一处不用电容,其用途实在太广泛了。

电容的主要特性是其容量与耐压两大要素,由此出现了各式类型与结构的电容,主要有:

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在电子行业,集成电路的应用非常广泛,每年都有许许多多通用或专用的集成电路被研发与生产出来,本文将对集成电路的知识作一全面的阐述。

一、集成电路的种类

集成电路的种类很多,按其功能不同可分为模拟集成电路和数字集成电路两大类。前者用来产生、放大和处理各种模拟电信号;后者则用来产生、放大和处理各种数字电信号。所谓模拟信号,是指幅度随时间连续变化的信号。例如,人对着话筒讲话,话筒输出的音频电信号就是模拟信号,收音机、收录机、音响设备及电视机中接收、放大的音频信号、电视信号,也是模拟信号。所谓数字信号,是指在时间上和幅度上离散取值的信号,例如,电报电码信号,按一下电键,产生一个电信号,而产生的电信号是不连续的。这种不连续的电信号,一般叫做电脉冲或脉冲信号,计算机中运行的信号是脉冲信号,但这些脉冲信号均代表着确切的数字,因而又叫做数字信号。在电子技术中,通常又把模拟信号以外的非连续变化的信号,统称为数字信号。目前,在家电维修中或一般性电子制作中,所遇到的主要是模拟信号;那么,接触最多的将是模拟集成电路。

集成电路按其制作工艺不同,可分为半导体集成电路、膜集成电路和混合集成电路三类。半导体集成电路是采用半导体工艺技术,在硅基片上制作包括电阻、电容、三极管、二极管等元器件并具有某种电路功能的集成电路;膜集成电路是在玻璃或陶瓷片等绝缘物体上,以“膜”的形式制作电阻、电容等无源器件。无源元件的数值范围可以作得很宽,精度可以作得很高。但目前的技术水平尚无法用“膜”的形式制作晶体二极管、三极管等有源器件,因而使膜集成电路的应用范围受到很大的限制。在实际应用中,多半是在无源膜电路上外加半导体集成电路或分立元件的二极管、三极管等有源器件,使之构成一个整体,这便是混合集成电路。根据膜的厚薄不同,膜集成电路又分为厚膜集成电路(膜厚为1μm~10μm)和薄膜集成电路(膜厚为1μm以下)两种。在家电维修和一般性电子制作过程中遇到的主要是半导体集成电路、厚膜电路及少量的混合集成电路。

按集成度高低不同,可分为小规模、中规模、大规模及超大规模集成电路四类。对模拟集成电路,由于工艺要求较高、电路又较复杂,所以一般认为集成50个以下元器件为小规模集成电路,集成50-100个元器件为中规模集成电路,集成100个以上的元器件为大规模集成电路;对数字集成电路,一般认为集成1~10等效门/片或10~100个元件/片为小规模集成电路,集成10~100个等效门/片或100~1000元件/片为中规模集成电路,集成100~10,000个等效门/片或1000~100,000个元件/片为大规模集成电路,集成10,000以上个等效门/片或100,000以上个元件/片为超大规模集成电路。

按导电类型不同,分为双极型集成电路和单极型集成电路两类。前者频率特性好,但功耗较大,而且制作工艺复杂,绝大多数模拟集成电路以及数字集成电路中的TTL、ECL、HTL、LSTTL、STTL型属于这一类。后者工作速度低,但输人阻抗高、功耗小、制作工艺简单、易于大规模集成,其主要产品为MOS型集成电路。MOS电路又分为NMOS、PMOS、CMOS型。

NMOS集成电路是在半导体硅片上,以N型沟道MOS器件构成的集成电路;参加导电的是电子。

PMOS型是在半导体硅片上,以P型沟道MOS器件构成的集成电路;参加导电的是空穴。CMOS型是由NMOS晶体管和PMOS晶体管互补构成的集成电路称为互补型MOS集成电路,简写成CMOS集成电路。

除上面介绍的各类集成电路之外,现在又有许多专门用途的集成电路,称为专用集成电路。

下面我们先介绍模拟集成电路中不同功能的电路。

1.集成运算放大器

集成运算放大器是一种高增益的直接耦合放大器,其内部包含数百个晶体管、电阻、电容,但体积只有一个小功率晶体管那么大,功耗也仅有几毫瓦至几百毫瓦,但功能很多。它通常由输人级、中间放大级和输出级三个基本部分构成。运算放大器除具有十、一输人端和输出端外,还有十、一电源供电端、外接补偿电路端、调零端、相位补偿端、公共接地端及其他附加端等。它的放大倍数取决于外接反馈电阻,这给使用带来很大方便。其种类有通用型运算放大器,比如uA709、5G922、FC1、FC31、F005、4E320、8FC2、SG006、BG305等;通用Ⅲ型有F748、F108、XFC81、F008、4E322等;低功耗放大器(UPC253、7XC4、5G26、F3078等);低噪声运算放大器(如F5037、XFC88);高速运算放大器(如国产型号有F715、F722、4E321、F318,国外的有uA702);高压运算放大器(国产的有F1536、BG315、F143);还有电流型、单电源、跨导型、静电型、程控型运算放大器等。

2.稳压集成电路

稳压集成电路又称集成稳压电源,其电路形式大多采用串联稳压方式。集成稳压器与分立元件稳压器相比,体积小,性能高、使用简便可靠。集成稳压器的种类有,多端可调式、三端可调式、三端固定式及单片开关式集成稳压

器。

多端可调集成稳压器精度高、价格低,但输出功率小,引出端多,给使用带来不方便。

多端可调式集成稳压器可根据需要加上相应的外接元件,组成限流和功率保护。国内外同类产品基本电路形式有区别,基本原理相似。国产的有W2系列、WB7系列、WA7系列、BG11等。

三端可调式输出集成稳压器精度高,输出电压纹波小,一般输出电压为1.25V~35V或l.25V~35V连续可调。其型号有W117、W138、LM317、LM138、LMl96等型号。

三端固定输出集成稳压器是一种串联调整式稳压器,其电路只有输人、输出和公共3个引出端,使用方便。其型号有W78正电压系列、W79负电压系列。

开关式集成稳压器是新的一种稳压电源,其工作原理不同上述三种类型,它是由直流变交流再变直流的变换器,输出电压可调,效率很高。其型号有AN5900、HA17524等型号,广泛用于电视机、电子仪器等设备中。

3、音响集成电路

单响集成电路随着收音机、收录机、组合音响设备的发展而不断开发。

对音响电路要求多功能、大功率和高保真度。比如一块单片收音机、录音机电路,就必须具有变频、检波。中放、低放、AGC、功放和稳压等电路。音响集成电路工艺技术不断发展,采用数字传输和处理,使音响系统的各项电声指标不断提高。比如,脉冲码调制录音机、CD唱机,能使信噪比和立体声分离度切变好,失真度减到最小。

音响集成电路按本身的电路功能分有,高、中频放大集成电路、功放集成电路、低噪前置放大集成电路、立体声解码集成电路、单片收音机、收录机集成电路。驱动集成电路及特殊功能集成电路。

高、中频放大器集成电路体积小而紧凑,自动增益高、控制特性好、失真小,在收音机、收录机中得到广泛应用。其中调幅集成电路的型号有FD304、SL1018、SL1018AM、TB1018等型号。调频集成电路有TA7303、TDA1576、LA1165、LA1210、TDA1062等型号。调幅、调频共用集成电路内设AM变频功能、AM检波功能、FM鉴频限幅功能。调频立体声接收机的专门用的立体声解码电路。后期(70年代以后)产品有LA3350、LA3361、HA11227、AN7140、BA1350、TA7343P等型号。单片集成电路已成为世界流行的一种单片音响集成电路。用单片收音机集成电路装配收音机其成本低,调试方便。其中ULN2204型AM收音机集成电路,功能齐全,能在3V~12V电压范围内工作。类似型号有HA12402、TA7613、ULN2204A型等。

特殊功能集成电路有显示驱动电路、电动机稳速电路、自动选曲电路及降噪电路等。

其中双列5点LED电平显示驱动集成电路可同时驱动10只发光二极管,它是高中档收录机、收音机、CD唱机等音响设备中,用来作音量指示、交直流电平指示、交直流电源电压指示的常用集成电路。比如,我国生产的SL322、SL325等型号,国外的LB1405、TA7666P型等。6、7、9点LED电平显示驱动集成电路的型号有SL326、SL327、LB1407、LB1409型等。

特殊功能的集成电路除上述外,还有自动选曲集成电路、降噪集成电路等。比如,有NE464、LM1101、LA2730、uPC1180、HA12045、HA12028等型号,有的电路型号具有一定的兼容性。

4.电视集成电路

电视机采用的集成电路种类繁多,型号也不统一,但有趋向单片机和两片机的高集成化发展。用于电视机的集成电路列举如下:

(1)伴音系统集成电路

电视伴音系统目前新动向,就是采用电视多重伴音系统,使用各种单片式或多块式电视双伴音信号处理集成电路。比如,用于彩色电视机伴音电路的BL5250型、BJ5250、DG5250型伴音中放、音频功放集成电路。该电路采用16引脚双列直插式,并附有散热片。D7176P、uPC1353C型伴音中放、限幅放大集成电路,具有高增益、直流工作点稳定、检波失真小、频响性能好、输出功率大等特点。uPC1353C型与AN1353型功能完全相同。其直流音量控制范围达80dB,输出级电压范围为9V~18V,失真小于0.6%,最大音频输出功率为1.2W~2.4W。

用于伴音中放、功放的集成电路还有:D7176、TA7678AD、IX0052CE、IX0065CE、AN241P、CA3065、KA2101、LA1365、TA7176、KC583型等。

(2)行场扫描集成电路

行场扫描集成电路性能优于分立元件电路,并且有的集成扫描电路系统采用了数字自动同步电路,可得到稳定的场频信号,保证了隔行扫描的稳定性,可省掉“场同步”电位器调整,提高了自动化程度。比如,D7609P、LA1460、TA7609P、TB7609等型号,电路功能有:同步分离、场输出、场振荡、AFT、行振荡保护等。

D002(国产)、HA11669(国外)型电路,电路功能有行振荡、行激励;D004(国产)、KC581C(国外)型电路,主要功能是场振荡、场输出;D7242、TA7242P、KA2131、uPC1031Hz、LA1358、uPC1378h等型号,主要功能是场振荡、场输出,场激励;D103lHz、BG103lHz、LD1031Hz、uPC1031Hz型电路主要功能有:场振荡、场输出。

(3)图像中放、视放集成电路

早期的中频通道集成电路,是用三块集成电路分别完成中放、视频检波及AFT等功能。目前已出现把图像中放、视频,伴音中放,行场扫描三大系统压缩在一块芯片中的集成电路,使电路简化,给使用、调试带来更大方便。

该类集成电路有:D1366C、SF1366、uPC1366、CD003、HA1167、D7607AP、TA7607、AN5132、CD7680CD、HA1126D、HA11215A、TB7607、TA7611AP、LA1357N、AN5150。

M51353P等。

(4)彩色解码集成电路

彩色解码电路的功能是恢复彩色信号,使图像的颜色正常。早期的彩色解码集成电路是由几块电路完成,如国产的5G3108、5G314、7CD1、7CD2、7CD3等;后来采用单片式PAL制彩色解码集成电路,如TA7193AP/P、TA7644AP/P、IX02lCE、uPC1400c、M51338SP、M51393AP、IX0719CE、AN5625型等。其中的AN5625、uPC1400C等集成电路应用了数字滤波延时网络,有的把全部小信号处理集成到一块电路中,使电路体积减小,功能更全。

(5)电源集成电路

目前多数电视机的电源控制采用了集成电路,电路类型有开关型和串联型。

开关稳压电源控制的集成电路有:W2019、IR9494、NJM2048、AN5900型等;属于串联型直流稳压集成电路有:STR455、STR451、LA5110、LA5112、STR5404等型号。

(6)遥控集成电路

遥控集成电路分为遥控发射集成电路和遥控接收集成电路。

比如,用于日立CEP-323D型彩电、福日HFC-323型彩电的集成电路为uPD1943G和LA7234型遥控集成电路。uPD1934G为遥控发射电路,发射红外光信号;LA7224为遥控接收集成电路。

uPD1943G为20引脚双引直插封装(也有22列扁平封装),其主要参数与特点如下:

①为CMOS电路,特点与M50119相似;

②电源电压为3V,电源电流为0.lmA~1mA;

③输出电流为13mA,功耗为0.25W;

④可配接4×8键,共32个控制功能。

M50142P和uPC1373H为一对遥控集成电路。

uPC1373H的主要参数与特点:

①电源电压为6V~14.4V。

②电流变化范围为1.3mA~3.5mA;

③允许耗散功率为0.27W;

④主要特点、结构、引脚排列与LA7224相同;

⑤常在第4脚对地接一个150k电阻。

5.电子琴集成电路

电子琴集成电路有5G2208、5G001、5G002、CW93520、LM6402、M112、Z8611等型号,其外形只有小钮扣大小,内部含有振荡器、音符发生器、前置放大器等电路,能演奏22~61个基本音符。5G005型为音阶发生器,LM8071集成电路可作回响主音阶发生器,它是电子琴核心器件之一。M208是一种单片电子琴NMOS集成电路,内设短阵处理61琴键,并设可抗抖动电路。YM3812是一种新型电子琴专用音源集成电路。

6.CMO集成电路

在数字集成电路中,我们只介绍MOS数字集成电路中的CMOS电路。因为在一些小家电中,CMOS集成电路用得比较广泛。

(1)CMOS集成电路的特点

CMOS电路的结构、制作工艺不同于TTL电路,CMOS集成电路的功耗很低。一般小规模CMOS集成电路的静态平均功耗小于10uW,是各类实用电路中功耗最低的。比如TTL集成电路的平均功耗为10mw是CMOS电路的10倍。但CMOS集成电路的动态功耗随工作频率的升高而增大。

CMOS电路的输入特性用输入电流和电容表示,由于电路的输入电阻很高,输入电路一般小于0.1uA;输入电容是各种杂散电容总和,一般在5pF左右。

CMOS电路的输出特性取决于输出线路形式和输出管的特性参数。大多数CMOS电路可用输出驱动电流、逻辑电平及状态转换时间来表示输出特性。

(2)CMOS集成电路的类型

CMOS电路的类型很多,但最常用的是门电路。

CMOS电路中的逻辑门有非门、与门、与非门、或非门、或门、异或门、异或非门,施密特触发门、缓冲器、驱动器等。

非门也称反相器,它是只有1个输入端和1个输出端的逻辑门。输人为高电平时,输出即为低电平;反之,输出为高电平。输出与输入总是反相或互补的。与门具有2个或2个以上输入端和1个输出端。当所有输人都是高电平时,输出也为高电平;只要有1个或互个以上输入低电平时,输出就为低电平。

与非门则是当输入端中有1个或1个以上是低电平时,输出为高电平;只有所有输入是高电平时,输出才是低电平。

或门具有1个或端,2个或2个以上的输入端。当所有输入为低电平时,输出才是低电平。如果有1个或1个以上输入是高电平,则其输出变相电平。或非门电路是当得入端都处于低电平时,其输出才呈现高电平;只要有1个或互个以上输入为高电平,输出即为低电平。

异或门电路有2个输入端,1个输出端。当2个输入端中只有一个是高电平时,输出则为高电平;当输入端都是低电平或都是高电平时,输出才是低电平。

异或门倒相就变为异或非门。异或非门也称作为“同或门”。异或非门只有2个输入端,1个输出端,当2个输入端都是低电平或都是高电平时,输出为高电平;2个输入端只有1个。

个是高电平时,输出才是低电平。

最基本线路构成的门电路存在着抗干扰性能差和不对称等缺点。为了克服这些缺点,可以在输出或输入端附加反相器作为缓冲级;也可以输出或输入端同时都加反相器作为缓冲级。这样组成的门电路称为带缓冲器的门电路。

带缓冲输出的门电路输出端都是1个反相器,输出驱动能力仅由该输出级的管子特性决定,与各输入端所处逻辑状态无关。而不带缓冲器的门电路其输出驱动能力与输入状态有关。另一方面。带缓冲器的门电路的转移特性至少是由3级转移特性相乘的结果,因此转换区域窄,形状接近理想矩形,并且不随输入使用端数的情况而变化、加缓冲器的门电路,抗干扰性能提高10%电源电压。此外,带缓冲器的门电路还有输出波形对称、交流电压增益大、带宽窄、输入电容比较小等优点。不过,由于附加了缓冲级,也带来了一些缺点。例如传输延迟时间加大,因此,带缓冲器的门电路适宜用在高速电路系统中。

在数字电路中,由于TTL电路、CMOS电路、ECL电路等,它们的逻辑电平不同,当这些电路相互联接时,一定要进行电平转换,使各电路都工作在各自允许的电压工作范围内。

数字电路中的三态逻辑门,一般是指电路的输出端的状态可呈现三种输出阻态,或简称“三态输出”,这个状态通常用字母“Z”表示。

三状态电路在使用时的两状态特性与普通电路相同,而在禁止时的“Z”状态特性则取决于三态门电路的漏电流大小。

时尚的百合
无聊的长颈鹿
2025-10-09 16:32:16
电容(capacitor)是第二种最常用的元件。电容的主要物理特征是储存电荷。由于电荷的储存意味着能的储存,因此也可说电容器是一个储能元件,确切的说是储存电能。两个平行的金属板即构成一个电容器。电容也有多种多样,它包括固定电容,可变电容,电解电容,瓷片电容,云母电容,涤纶电容,钽电容等,其中钽电容特别稳定。电容有固定电容和可变电容之分。固定电容在电路中常常用来做为耦合,滤波,积分,微分,与电阻一起构成rc充放电电路,与电感一起构成lc振荡电路等。可变电容由于其容量在一定范围内可以任意改变,所以当它和电感一起构成lc回路时,回路的谐振频率就会随着可变电容器容量的变化而变化。一般接受机电路就是利用这样一个原理来改变接收机的接收频率的。

所谓电容,就是容纳和释放电荷的电子元器件。电容的基本工作原理就是充电放电,

当然还有整流、振荡以及其它的作用。另外电容的结构非常简单,主要由两块正负电极和

夹在中间的绝缘介质组成,所以电容类型主要是由电极和绝缘介质决定的。电容的用途非常多,主要有如下几种:

1.隔直流:作用是阻止直流通过而让交流通过。

2.旁路(去耦):为交流电路中某些并联的元件提供低阻抗通路。

3.耦合:作为两个电路之间的连接,允许交流信号通过并传输到下一级电路

4.滤波:这个对diy而言很重要,显卡上的电容基本都是这个作用。

5.温度补偿:针对其它元件对温度的适应性不够带来的影响,而进行补偿,改善电路的稳定性。

6.计时:电容器与电阻器配合使用,确定电路的时间常数。

7.调谐:对与频率相关的电路进行系统调谐,比如手机、收音机、电视机。

8.整流:在预定的时间开或者关半闭导体开关元件。

9.储能:储存电能,用于必须要的时候释放。例如相机闪光灯,加热设备等等。(如今某些电容的储能水平已经接近锂电池的水准,一个电容储存的电能可以供一个手机使用一天。

参考资料:baidu