Ⅰ类陶瓷电容器和Ⅱ类陶瓷电容器，具体是怎么样的呢有哪些特点

瓷片电容分类Ⅰ类瓷介电容和Ⅱ类瓷介电容

温度补偿型NPO(COG)是Ⅰ类瓷片电容；X7R；X5R；Y5U；Y5V是Ⅱ类瓷片电容Ⅰ类瓷片电容特点是容量稳定性好，基本不随温度；电压；时间的变化而变化，容量也比较小

NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器

它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的

NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一

在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃,电容量随频率的变化小于±0.3ΔC

NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%,相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的

其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%

NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同,大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好

应用在电容稳定性有要求的场合

Ⅱ类瓷片电容特点是容量稳定相对较差，但是容量相对也大些

X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器

当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%,需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的

X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的,它也随时间的变化而变化,大约每10年变化1%ΔC,表现为10年变化了约5%

X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用,而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下

它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大

Y5V瓷片电容是有一定温度限制的通用电容器,在工作温度-30℃到85℃范围内其容量变化为+22%到-82%、介质损耗为5%

Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达100μF的电容器

Y5V瓷片电容适合用于去耦、平滑用

瓷片电容是一种用陶瓷材料作介质,在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜,再经高温烧结后作为电极而成的电容器。通常用于高稳定振荡回路中，作为回路、旁路电容器及垫整电容器。103意思是说电容为0.01uF，瓷片电容读法：103=10*10的3次方pF=0.01uF。

电容器，通常简称其容纳电荷的本领为电容，用字母C表示。定义1：电容器，顾名思义，是“装电的容器”，是一种容纳电荷的器件。电容的种类也是有很多种，以下简单按照介质分类的几种电容：

1、陶瓷电容：以高介电常数、低损耗的陶瓷材料为介质，体积小，电感小。

2、云母电容：以云母片作介质的电容器。性能优良，高稳定，高精密。

3、纸质电容：纸介电容器的电极用铝箔或锡箔做成，绝缘介质是浸蜡的纸，相叠后卷成圆柱体，外包防潮物质，有时外壳采用密封的铁 的纸，相叠后卷成圆柱 体，外包防潮物质，有时外壳采用密封的铁 壳以提高防潮性。

4、薄膜电容：用聚苯乙烯、聚四氟乙烯或涤纶等有机薄膜代替纸介质，做成的各种电容器。体积小，但损耗大，不稳定。 质，做成的各种电容器。体积小，但损耗大，不稳定。

5、电解电容：以铝、担、锯、钛等金属氧化膜作介质的电容器。容量大，稳定性差。（使用时应注意极性） 大，稳定性差。

电容：铝帛、铝带，介质为氧化铝，直接在铝带上生成。纸介电容、纸介油浸电容：铝帛，介质为电容器纸。瓷片电容：瓷片，两侧沉积金属膜，介质为瓷片。电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，应用于隔直、耦合、旁路、滤波、调谐回路、能量转换、控制电路等方面。

用烧结的钽块作正极，电解质使用固体二氧化锰温度特性、频率特性和可靠性均优于普通电解电容器，特别是漏电流极小，贮存性良好，寿命长，容量误差小，而且体积小，单位体积下能得到最大的电容电压乘积对脉动电流的耐受能力差，若损坏易呈短路状态超小型高可靠机件中。

作用

在直流电路中，电容器是相当于断路的。电容器是一种能够储藏电荷的元件，也是最常用的电子元件之一。 这得从电容器的结构上说起。最简单的电容器是由两端的极板和中间的绝缘电介质（包括空气）构成的。

通电后，极板带电，形成电压（电势差），但是由于中间的绝缘物质，所以整个电容器是不导电的。不过，这样的情况是在没有超过电容器的临界电压（击穿电压）的前提条件下的。

以上内容参考：百度百科-电容器

结构：用陶瓷材料作介质，在陶瓷表面涂覆一层金属（银）薄膜，再经高温烧结后作为电极而成。瓷介电容器又分1类电介质（NPO、CCG）；2类电介质（X7R、2X1）和2类电介质（Y5V、2F4）瓷介电容器。 用途：主要应用于高频电路中。

2.涤纶电容器（CL） 

结构：涤纶电容器，是用极性聚酯薄膜为介质制成的具有正温度系数（即温度升高时，电容量变大）的无极性电容。 

用途：一般应用于中、低频电路中。常用的型号有CL11、CL21等系列。

3.聚苯乙烯电容器（CB） 

结构：有箔式和金属化式两种类型。 用途：一般应用于中、高频电路中。常用的型号有CB10、CB11（非密封箔式）、CB14~16（精密型）、CB24、CB25（非密封性金属化）、CB80（高压型）、CB40（密封型金属化）等系列。

4.聚丙烯电容器（CBB） 

结构：用无极性聚丙烯薄膜为介质制成的一种负温度系数无极性电容。有非密封式（常用有色树脂漆封装）和密封式（用金属或塑料外壳封装）两种类型。 

用途：一般应用于中、低频电子电路或作为电动机的启动电容。常用的箔式聚丙烯电容：CBB10、CBB11、CBB60、CBB61等；金属化式聚丙烯电容：CBB20、CBB21、CBB401等系列。

5.独石电容器 

结构：独石电容器是用钛酸钡为主的陶瓷材料烧结制成的多层叠片装超小型电容器。

用途：广泛应用于谐振、旁路、耦合、滤波等。 

常用的有CT4（低频）、CT42（低频）；CC4（高频）、CC42（高频）等系列。

6.云母电容器（CY） 

结构：云母电容器是采用云母作为介质，在云母表面喷一层金属膜（银）作为电极，按需要的容量叠片后经浸渍压塑在胶木壳（或陶瓷、塑料外壳）内构成。 

用途：一般在高频电路中作信号耦合、旁路、调谐等使用。常用的有CY、CYZ、CYRX等系列。

7.纸介电容器（CZ） 

结构：纸介电容器是用较薄的电容器专用纸作为介质，用铝箔或铅箔作为电极，经卷饶成型、浸渍后封装而成。 缺点：体积大、容量精度低、损耗大、稳定性较差。 常见有CZ11、CZ30、CZ31、CZ32、CZ40、CZ80等系列。

8.金属化纸介电容器（CJ） 

结构：金属化纸介电容器采用真空蒸发技术，在涂有漆膜的 纸上再蒸镀一层金属膜作为电极而成。 

优点：与普通纸介电容相比，体积小，容量大，击穿后能自愈能力强。 常见有CJ10、CJ11等系列。

9.铝电解电容器（CD） 

结构：有极性铝电解电容器是将附有氧化膜的铝箔（正极）和浸有电解液的衬垫纸，与阴极（负极）箔叠片一起卷绕而成。外型封装有管式、立式。并在铝壳外有蓝色或黑色塑料套。 

用途： 通常在直流电源电路或中、低频电路中起滤波、退耦、信号耦合及时间常数设定、隔直流等作用。（注意:不能用 于交流电源电路。在直流电源中作滤波电容使用时极性不能接反。）

10.钽电解电容器（CA） 

结构：有两种形式：1. 箔式钽电解电容器    内部采用卷绕芯子,负极为液体电解质，介质为氧化钽。型号有 CA30、CA31、CA35、CAk35等系列。 2. 钽粉烧结式   阳极（正极）用颗粒很细的钽粉压块后烧结而成。封装形式有多种。型号有CA40 、CA41、CA42、CA42H、CA49、CA70（无极性）等系列。

11.云母微调电容器（CY） 

结构：云母微调电容器由定片和动片构成，定片为固定金属片，其表面贴有一层云母薄片作为介质，动片为具有弹性的铜片或铝片，通过调节动片上的螺钉调节动片与定片之间的距离，来改变电容量。    云母微调电容器有单微调和双微调之分。 

用途：应用于晶体管收音机、电子仪器、电子设备中。

12.瓷介微调电容器（CC） 

结构：瓷介微调电容器是用陶瓷作为介质。在动片（瓷片）与定片（瓷片）上均镀有半圆形的银层，通过旋转动片改变两银片之间的相对位置，即可改变电容量的大小。 

用途：应用于晶体管收音机、电子仪器、电子设备中。

13.薄膜微调电容器 

结构： 薄膜微调电容器是用有机塑料薄膜作为介质，即在动片与定片（动、定片均为半圆形金属片）之间加上有机塑料薄膜，调节动片上的螺钉，使动片旋转，即可改变容量。  薄膜微调电容器一般分为双微调和四微调。有的密封双连或密封四连可变电容器上自带薄膜微调电容器，将微调电容器安装在外壳顶部，使用和调整就更方便了。

14.空气可变电容器（CB） 

结构： 电极由两组金属片组成。一组为定片，一组为动片，动片与定片之间以空气作为介质。当转动动片使之全部旋进定片时，其电容量最大，反之，将动片全部旋出定片时，电容量最小。

15.薄膜可变电容器 

结构：薄膜可变电容器是在其动片与定片之间加上塑料薄膜作为介质，外壳为透明或半透明塑料封装，因此也称密封单连或密封双连和密封四连可变电容器。 

用途：单连主要用在简易收音机或电子仪器中；双连用在晶体管收音机和电子仪器、电子设备中；四连常用在AF/FM多波段收音机。

1960年左右陶瓷叠片电容作为商品开始开发

1970年，随着混合IC、计算机、以及便携电子设备的进步也随之迅速的发展起来，瓷片电容成为电子设备中不可缺少的零部件，而其中技术参数也是学者们研究的重点

现在的陶瓷介质电容的全部数量约占电容市场的70%左右

因为陶瓷介质电容的绝缘体材料主要使用陶瓷，其基本构造是将陶瓷和内部电极交相重叠

陶瓷材料有几个种类

自从考虑电子产品无害化特别是无铅化后，高介电系数的PB（铅）退出瓷片电容技术参数领域，现在主要使用TiO2(二氧化钛)、BaTiO3,CaZrO3(锆酸钙)等

和其它的电容相比具有体积小、容量大、耐热性好、适合批量生产、价格低等优点

由于原材料丰富，结构简单，价格低廉，而且电容量范围较宽（一般有几个PF到上百μF），损耗较小，电容量温度系数可根据要求在很大范围内调整

瓷片电容技术参数品种繁多，外形尺寸相差甚大从0402（约1×0.5mm）封装的贴片电容到大型的功率瓷片电容

按使用的介质材料特性可分为Ⅰ型、Ⅱ型和半导体瓷片电容；按无功功率大小可分为低功率、高功率瓷片电容；按工作电压可分为低压和高压瓷片电容；按结构形状可分为圆片形、管型、鼓形、瓶形、筒形、板形、叠片、独石、块状、支柱式、穿心式等

瓷片电容的分类：瓷片电容技术参数从介质类型主要可以分为两类，即Ⅰ类瓷片电容技术参数和Ⅱ类瓷片电容技术参数

Ⅰ类瓷片电容技术参数（ClassⅠceramiccapacitor），过去称高频瓷片电容技术参数（High-freqencyceramiccapacitor），是指用介质损耗小、绝缘电阻高、介电常数随温度呈线性变化的陶瓷介质制造的电容

它特别适用于谐振回路，以及其它要求损耗小和电容量稳定的电路，或用于温度补偿

Ⅱ类瓷片电容技术参数（ClassⅡceramiccapacitor）过去称为为低频瓷片电容技术参数（Lowfrequencycermiccapacitor），指用铁电陶瓷作介质的电容，因此也称铁电瓷片电容技术参数

这类电容的比电容大，电容量随温度呈非线性变化，损耗较大，常在电子设备中用于旁路、耦合或用于其它对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中

常见的Ⅱ类瓷片电容技术参数有：X7R、X5R、Y5V、Z5U其中：X7R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字7位最高工作温度+125℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；X5R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；Y5V表示为：第一位Y为最低工作温度-30℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母V为随温度变化的容值偏差+22%，-82%±15%

Z5U表示为：第一位Z为最低工作温度+10℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母U为随温度变化的容值偏差+22%，-56%