贴片电容电阻供应商哪个好? 介绍下呗~
松下、力特、村田等,这些贴片电容,硬之城上都有。
贴片电容全称为:多层(积层,叠层)片式陶瓷电容器,也称为贴片电容,片容。
电容的作用
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1)旁路
旁路电容是为本地器件提供能量的储能器件,它能使稳压器的输出均匀化,降低负载需求。
就像小型可充电电池一样,旁路电容能够被充电,并向器件进行放电。为尽量减少阻抗,旁路电容要尽量靠近负载器件的供电电源管脚和地管脚。
这能够很好地防止输入值过大而导致的地电位抬高和噪声。地电位是地连接处在通过大电流毛刺时的电压降。
2)去耦
去耦,又称解耦。 从电路来说,
总是可以区分为驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大, 驱动电路要把电容充电、放电,
才能完成信号的跳变,在上升沿比较陡峭的时候,电流比较大,
这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流,由于电路中的电感,电阻(特别是芯片管脚上的电感,会产生反弹),这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声,会影响前级的正常工作,这就是所谓的“耦合”。
去耦电容就是起到一个“电池”的作用,满足驱动电路电流的变化,避免相互间的耦合干扰。
将旁路电容和去耦电容结合起来将更容易理解。旁路电容实际也是去耦合的,只是旁路电容一般是指高频旁路,也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。高频旁路电容一般比较小,根据谐振频率一般取0.1μF、0.01μF
等;而去耦合电容的容量一般较大,可能是10μF
或者更大,依据电路中分布参数、以及驱动电流的变化大小来确定。旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象,而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象,防止干扰信号返回电源。这应该是他们的本质区别。
3)滤波
从理论上(即假设电容为纯电容)说,电容越大,阻抗越小,通过的频率也越高。但实际上超过1μF
的电容大多为电解电容,有很大的电感成份,所以频率高后反而阻抗会增大。有时会看到有一个电容量较大电解电容并联了一个小电容,这时大电容通低频,小电容通高频。电容的作用就是通高阻低,通高频阻低频。电容越大低频越容易通过。具体用在滤波中,大电容(1000μF)滤低频,小电容(20pF)滤高频。曾有网友形象地将滤波电容比作“水塘”。由于电容的两端电压不会突变,由此可知,信号频率越高则衰减越大,可很形象的说电容像个水塘,不会因几滴水的加入或蒸发而引起水量的变化。它把电压的变动转化为电流的变化,频率越高,峰值电流就越大,从而缓冲了电压。滤波就是充电,放电的过程。
4)储能
储能型电容器通过整流器收集电荷,并将存储的能量通过变换器引线传送至电源的输出端。电压额定值为40~450VDC、电容值在220~150
000μF 之间的铝电解电容器(如EPCOS 公司的B43504
或B43505)是较为常用的。根据不同的电源要求,器件有时会采用串联、并联或其组合的形式,对于功率级超过10KW
的电源,通常采用体积较大的罐形螺旋端子电容器。
在瓷片电容上,我们经常会看到电容上有101、102、104这样的标识。那么,这样的电容阻值是多少呢,如何计算其电容值,他们的耐压值是多大,让我们一起看看。
电容器阻值计算方法:
电容器常用数码标记阻值,通常使用三位数标法,其具体含义是:
电容上标识的前两位是有效数字,第三位是前面数字的位率(即10的多少次方)。
电容数码标法的单位是pF(皮法=10^(-12)法)。
下面举例说明,比如:
104 标识 10 x 10^4 = 100000pF,又等于 0.1uF
又如:100 是 10 x 10^0 = 10pF
105 是 10 x 10^5 = 1000000pF = 1uF
跟普通电阻一样,电容器阻值的单位也是“欧”。
瓷片电容(器)的分类:
瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器,用于高稳定振荡回路中,作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用,或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿。
MLCC(1类)—微型化,高频化、超低损耗、低ESR、高稳定、高耐压、高绝缘、高可靠、无极性、低容值、低成本、耐高温,主要应用于高频电路中。
MLCC(2类)—微型化,高比容、中高压、无极性、高可靠、耐高温、低ESR、低成本。主要应用于中低频电路中作隔直、耦合、旁路和滤波等电容器使用。
(瓷片)电容、涤纶电容耐压值的判别方法:
1J代表 6.3X10=63V
2F代表 3.15X100=315V
3A代表 1.0x1000=1000V
1K代表 8.0x10=80V
数字最大为4,如4Z代表90000V。
电容器耐压的标注也有两种常见方法,一种是把耐压值直接印在电容器上,另一种是采用一个数字和一个字母组合而成。数字表示10的幂指数,字母表示数值,单位是V(伏)。
还有,阿拉伯字母 A /B / C / D / E / F / G / H / J / K /Z
相对应的耐压值为
106即为电容量,瓷片电容上标有106表示该电容的电容量为106uf。
uf是实际工作中常用的电容量单位,电容量之间的换算关系为:1法拉(F)=1000毫法(mF);1毫法(mF)=1000微法(μF);1微法(μF)=1000纳法(nF);1纳法(nF)=1000皮法(pF);即:1F=1000000μF;1μF=1000000pF。
扩展资料:
电容的其他参数:
1、额定电压,为在最低环境温度和额定环境温度下可连续加在电容器的最高直流电压。如果工作电压超过电容器的耐压,电容器将被击穿,造成损坏。在实际中,随着温度的升高,耐压值将会变低。
2、绝缘电阻。直流电压加在电容上,产生漏电电流,两者之比称为绝缘电阻。当电容较小时,其值主要取决于电容的表面状态;容量大于0.1时,其值主要取决于介质。通常情况,绝缘电阻越大越好。
3、损耗。电容在电场作用下,在单位时间内因发热所消耗的能量称做损耗。损耗与频率范围、介质、电导、电容金属部分的电阻等有关。
4、频率特性。随着频率的上升,一般电容器的电容量呈现下降的规律。当电容工作在谐振频率以下时,表现为容性;当超过其谐振频率时,表现为感性,此时就不是一个电容而是一个电感了。所以一定要避免电容工作于谐振频率以上。
参考资料来源:百度百科-电容器
瓷片电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同,分直标法、色标法和数标法3种。
电容的基本单位用法拉(F)表示,其它单位还有:毫法(mF)、微法 (μF)/mju:/、纳法(nF)、皮法(pF)。其中:1法拉=1000毫法(mF),1毫法=1000微法(μF),1微法=1000纳法 (nF),1纳法=1000皮法(pF)
1、容量大的电容其容量值在电容上直接标明,如10 μF/16V;
2、容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示;
字母表示法:
1m=1000μF
1P=1pF(如470P=470pF)
1P2=1.2PF
1n=1000PF;
数字表示法:三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。三位数字的前两位数字为标称容量的有效数字,第三位数字表示有效数字后面零的个数,它们的单位都是pF。
如:
102表示标称容量为10×10²pF=1000pF;
104表示标称容量为10×(10^4)pF=100000pF;
470表示标称容量为47pF;
223表示标称容量为(22×(10^3))pF(即22000pF)。
在这种表示法中有一个特殊情况,就是当第三位数字用"9"表示时,是用有效数字乘上10的-1次方来表示容量大小。
如:229表示标称容量为22x10^(-1)pF=2.2pF。
电容(电容器),(Capacitor)电路缩写为C,电容单位法拉,用字母“F”表示.电容是用来储存电荷的容器,简称电容器.电容器是一种储能元件,在电路中用于调谐、滤波、耦合、旁路、能量转换和延时.
电容器是由两片相距很近的金属中间用某介质(固、液、气体)隔离而构成的.金属板也叫电容极板.按其结构可分为固定电容器、半可变电容器、可变电容器三种.
1. 常用电容的结构和特点
常用的电容器按其介质材料可分为电解电容器、云母电容器、瓷介电容器、玻璃釉电容等.
其在电路中的符号表示:
作用是:1、存储电荷 2、隔直通交 3、滤波 4、耦合 5、旁路 等等.
存储电荷:平时我们照相机的闪光灯,就是*电容器储积电荷然后在一瞬间释放出来
滤波:电容器对电波或电磁波、信号等起过滤作用
电容的种类有很多,可以从原理上分为:无极性可变电容、无极性固定电容、有极性电容等,从材料上可以分为:CBB电容(聚乙烯)、聚丙稀电容、涤纶电容、瓷片电容、云母电容、独石电容、电解电容、钽电容等.使用电容还有一个指标,那就用多大的容量,这就涉及到额定值读数了.电解电容很容易读数,直接在上面看厂商标出容量和负极性,工作环境,最高工作电压值.瓷片电容就比较难一点.小于100P会标出多少P.当标值为474时.首先知道第一、二位是有效数值,如上例中的47,第三位代表10的指数(简单地说就是在前面两位数后面补几个0) ,如上例中的4.那么474表示47×10000=470000PF.
电容的单位法拉(F),法拉这个单位很大很大.我们很少用到,常用的是微法(UF)、皮法(pF).它们之间的转换为:1F=1000000 uF 1uF= 1000000 pF.上面所提到的474就等于0.47uF.
二、电容器检测的一般方法
1.固定电容器的检测.
A检测10pF以下的小电容 .因10pF以下的固定电容器容量太小,用万用表进行测量,只能定性的检查其是否有漏电,内部短路或击穿现象.测量时,可选用万用表R×10k挡,用两表笔分别任意接电容的两个引脚,阻值应为无穷大.若测出阻值(指针向右摆动)为零,则说明电容漏电损坏或内部击穿.
B检测10PF~001μF固定电容器是否有充电现象,进而判断其好坏.万用表选用R×1k挡.两只三极管的β值均为100以上,且穿透电流要小.可选用3DG6等型号硅三极管组成复合管.万用表的红和黑表笔分别与复合管的发射极e和集电极c相接.由于复合三极管的放大作用,把被测电容的充放电过程予以放大,使万用表指针摆幅度加大,从而便于观察.应注意的是:在测试操作时,特别是在测较小容量的电容时,要反复调换被测电容引脚接触A、B两点,才能明显地看到万用表指针的摆动.C对于001μF以上的固定电容,可用万用表的R×10k挡直接测试电容器有无充电过程以及有无内部短路或漏电,并可根据指针向右摆动的幅度大小估计出电容器的容量.
2.电解电容器的检测
A因为电解电容的容量较一般固定电容大得多,所以,测量时,应针对不同容量选用合适的量程.根据经验,一般情况下,47μF间的电容,可用R×1k挡测量,大于47μF的电容可用R×100挡测量.
B将万用表红表笔接负极,黑表笔接正极,在刚接触的瞬间,万用表指针即向右偏转较大偏度(对于同一电阻挡,容量越大,摆幅越大),接着逐渐向左回转,直到停在某一位置.此时的阻值便是电解电容的正向漏电阻,此值略大于反向漏电阻.实际使用经验表明,电解电容的漏电阻一般应在几百kΩ以上,否则,将不能正常工作.在测试中,若正向、反向均无充电的现象,即表针不动,则说明容量消失或内部断路;如果所测阻值很小或为零,说明电容漏电大或已击穿损坏,不能再使用.
C对于正、负极标志不明的电解电容器,可利用上述测量漏电阻的方法加以判别.即先任意测一下漏电阻,记住其大小,然后交换表笔再测出一个阻值.两次测量中阻值大的那一次便是正向接法,即黑表笔接的是正极,红表笔接的是负极.
D使用万用表电阻挡,采用给电解电容进行正、反向充电的方法,根据指针向右摆动幅度的大小,可估测出电解电容的容量.
3.可变电容器的检测
A用手轻轻旋动转轴,应感觉十分平滑,不应感觉有时松时紧甚至有卡滞现象.将载轴向前、后、上、下、左、右等各个方向推动时,转轴不应有松动的现象.
B用一只手旋动转轴,另一只手轻摸动片组的外缘,不应感觉有任何松脱现象.转轴与动片之间接触不良的可变电容器,是不能再继续使用的.
C将万用表置于R×10k挡,一只手将两个表笔分别接可变电容器的动片和定片的引出端,另一只手将转轴缓缓旋动几个来回,万用表指针都应在无穷大位置不动.在旋动转轴的过程中,如果指针有时指向零,说明动片和定片之间存在短路点;如果碰到某一角度,万用表读数不为无穷大而是出现一定阻值,说明可变电容器动片与定片之间存在漏电现象.
多大的瓷片电容配不到? 瓷片电容很好配的!
不能说老板说的不对50V2200UF 的电容造价要比16V的高很多,如果用在电源电路上肯定比16V的好.
但是电容不止容量上的区别,充放电的性能相差很大,在音频电路体现的特别明显
比如 1UF的电解电容和1UF的瓷片 性能是完全不一样的.
功率大的电阻用是没问题的,可老板下料也太猛了
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ZYF04297205278 2008-11-27 22:22:14
你好刚才你回答的电容问题能在仔细点吗,我想了解一下好吗,比如1UF电解和涤纶电容用在音频电路上有什么不同
a6538662 18:11:44
[编辑本段]电容一般的选用 低频中使用的范围较宽,如可以使用高频特性比较差的;但是在高频电路中就有了很大的限制了,一旦选择不当会影响电路的整体工作状态;
一般的电源里用的有电解电容、和瓷片电容、但是在高频中就要使用云母等价格较贵的电容,就不可以使用绦纶的电容,和电解的电容,因为它们在高频情况下会形成电感,以致影响电路的工作精度。
a6538662 18:12:18
电容器主要特性参数 1、标称电容量和允许偏差
标称电容量是标志在电容器上的电容量。
电容器实际电容量与标称电容量的偏差称误差,在允许的偏差范围称精度。
精度等级与允许误差对应关系:00(01)-±1%、0(02)-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、 Ⅳ-(+20%-10%)、Ⅴ-(+50%-20%)、Ⅵ-(+50%-30%)
一般电容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ级,电解电容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ级,根据用途选取。
2、额定电压
在最低环境温度和额定环境温度下可连续加在电容器的最高直流电压有效值,一般直接标注在电容器外壳上,如果工作电压超过电容器的耐压,电容器击穿,造成不可修复的永久损坏。
3、绝缘电阻
直流电压加在电容上,并产生漏电电流,两者之比称为绝缘电阻.
当电容较小时,主要取决于电容的表面状态,容量〉0.1uf时,主要取决于介质的性能,绝缘电阻越小越好。
电容的时间常数:为恰当的评价大容量电容的绝缘情况而引入了时间常数,他等于电容的绝缘电阻与容量的乘积。
4、损耗
电容在电场作用下,在单位时间内因发热所消耗的能量叫做损耗。各类电容都规定了其在某频率范围内的损耗允许值,电容的损耗主要由介质损耗,电导损耗和电容所有金属部分的电阻所引起的。
在直流电场的作用下,电容器的损耗以漏导损耗的形式存在,一般较小,在交变电场的作用下,电容的损耗不仅与漏导有关,而且与周期性的极化建立过程有关。
5、频率特性
随着频率的上升,一般电容器的电容量呈现下降的规律。
a6538662 18:16:28
区别
名称:铝电解电容
符号:
电容量:0。47--10000μ
额定电压:6。3--450V
主要特点:体积小,容量大,损耗大,漏电大
应用:电源滤波,低频耦合,去耦,旁路等
名称:高频瓷介电容(CC)
符号:
电容量:1--6800p
额定电压:63--500V
主要特点:高频损耗小,稳定性好
应用:高频电路
名称:低频瓷介电容(CT)
符号:
电容量:10p--4。7μ
额定电压:50V--100V
主要特点:体积小,价廉,损耗大,稳定性差
应用:要求不高的低频电路
名称:独石电容
容量范围:0.5PF--1ΜF
耐压:二倍额定电压。
应用范围:广泛应用于电子精密仪器。各种小型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路。
独石电容的特点:电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定,耐高温耐湿性好等。
最大的缺点是温度系数很高,做振荡器的稳漂让人受不了,我们做的一个555振荡器,电容刚好在7805旁边,开机后,用示波器看频率,眼看着就慢慢变化,后来换成涤纶电容就好多了.
就温漂而言:独石为正温糸数+130左右,CBB为负温系数-230,用适当比例并联使用,可使温漂降到很小.
就价格而言:钽,铌电容最贵,独石,CBB较便宜,瓷片最低,但有种高频零温漂黑点瓷片稍贵.云母电容Q值较高,也稍贵.
里面说独石又叫多层瓷介电容,分两种类型,1型性能挺好,但容量小,一般小于0。2U,另一种叫II型,容量大,但性能一般。
容抗XC=1/2πf c (f表示交流的频率,C表示电容容量)机中常用电容的种类有电解电容、瓷片电容、贴片电容、独石电容、钽电容和涤纶电容等。
识别方法:电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同,分直标法、色标法和数标法3种。电容的基本单位用法拉(F)表示,其它单位还有:毫法(mF)、微法(uF)、纳法(nF)、皮法(pF)。其中:1法拉=毫法=微法=纳法=皮法
容量大的电容其容量值在电容上直接标明,如10 uF/16
容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示
我们常用的电容有:
1、 电解电容:多数在1μF以上,直接用数字表示。如:4.7μF、μF、μF等等。这种电容的两极有正负之分,长脚是正极。
2、 瓷片电容:多数在1μF以下,直接用数字表示。如:10、22、0.、0.1等等,这里要注意的是单位。凡用整数表示的,单位默认pF;凡用小数表示的,单位默认μF。如以上例子中,分别是10P、22P、0.μF、μF等。
现在国际上流行另一种类似色环电阻的表示方法(单位默认pF):
如: “”即pF=0.μF
“”即pF=0.01μF等等,
“XXX”第一、二个数字是有效数字,第三个数字代表后面添加0的个数。这种表示法已经相当普遍。
1、直标法 用数字和单位符直接标出。如01uF表示0.01微法,有些电容用“R”表示小数点,如R56表示0.56微法。
2、文字符法 用数字和文字符有规律的组合来表示容量。如p10表示0.1pF,1p0表示1pF,6P8表示6.8pF, 2u2表示2.2uF.
3、色标法 用色环或色点表示电容器的主要参数。电容器的色标法与电阻相同。
电容器偏差标志符:+%-0--H、+%-10%--R、+50%-10%--T、+30%-10%--、+50%-20%--S、+80%-20%--Z。
电容器容量的基本单位是“法拉”(F),1法拉的1/(百万分之一)是1微法(μF),1微法的1/是1pF(1微微法,或1皮法)。它们之间的关系是百万(或称10的6次方)进位关系。我们常用的电容有:
电解电容多数在1μF以上,直接用数字表示。如:4.7μF、μF、μF等等。这种电容的两极有正负之分,长脚是正极。
瓷片电容:多数在1μF以下,直接用数字表示。如:10、22、0.、0.1等等,这里要注意的是单位。凡用整数表示的,单位默认pF;凡用小数表示的,单位默认μF。如以上例子中,分别是10P、22P、0.μF、0.1μF等。
把“色环表示法”用到电容上来:这又是一种巧妙的演绎!我们在一些瓷片电容上往往看到这样的标记:“”,“”,“”等,这里,第三个数字(个位数字)并非通常理解的个位数,它和四色环电阻的第三环一样,告诉人们前两位数字后面“添加零的个数”;这样,就是,就是,就是,单位默认pF。换算一下,=0.01uF,=0.1uF,=0.uF。
这真的很难一下子说明白最好上硬之城看看吧。