瓷片电容103什么意思

Ⅰ类陶瓷电容器根据美国标准EIA-198-D，在用字母或数字表示陶瓷电容器的温度性质有三部分：一部分为（例如字母C）温度系数α的有效数字；第二位部分有效数字的倍乘（如0即为100）；第三部分为随温度变化的容差（以ppm/℃表示）例如，C0G（有时也称为NP0）表示为：前面的字母C为温度系数的有效数字为0，第二位数字0为有效温度系数的倍乘为100=1，第三位字母G为随温度变化的容差为±30ppm/℃，即0±30ppm/℃，Ⅰ类陶瓷电容器的电容量几乎不随温度变化陶瓷电容器从介质类型主要可以分为两类，即Ⅰ类陶瓷电容器和Ⅱ类陶瓷电容器，具体是怎么样的呢？有哪些特点？适用于哪些范围呢？1、Ⅰ类陶瓷电容器：过去称高频陶瓷电容器，是指用介质损耗小、绝缘电阻高、介电常数随温度呈线性变化的陶瓷介质制造的电容器，特别适用于谐振回路，以及其它要求损耗小和电容量稳定的电路，片状陶瓷电容，或用于温度补偿；2、Ⅱ类陶瓷电容器：过去称为为低频陶瓷电容器，指用铁电陶瓷作介质的电容器，因此也称铁电陶瓷电容器，图片状陶瓷电容，常在电子设备中用于旁路、耦合或用于其它对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中

电解电容器电解电容是一种介质为电解液涂层有极性，由金属箔（铝/钽）作为正电极，金属箔的绝缘氧化层（氧化铝/钽五氧化物）作为电介质。电解电容特性为成本相对比较低，且单位体积的电容量非常大，比其它种类的电容大几十到数百倍，电解电容具高容值及低成本的优势，但缺点是ESR(内电阻)大及有浆爆风险。

电解电容器是指在铝、钽、铌、钛等阀金属（ValveMetal）的表面采用阳极氧化法生成一薄层氧化物作为电介质，并以电解质作为阴极而构成的电容器。电解电容器的阳极通常采用腐蚀箔或者粉体烧结块结构，主要有铝电解电容器（Aluminium Electrolytic Capacitor）和钽电解电容器（Tantalum Electrolytic Capacitor）。

铝质电解电容是电容中使用最广泛的一种，也是发展成熟的产品，优点是静电容量大且价格便宜，应用在声音、影像或产生动作效果之电子及电机产品，包含资讯工业、通讯工业、军事及消费性电子产品。但是铝质电解电容易受温度影响，电容量不稳定，RF高频性能不佳，以及容易乾化及漏电解液等缺点。国内外供应商包括日系Nippon Chemi-con、Nichicon、Rubycon、Panasonic、Sanyo Electric为代表，国内主重要的厂商有立隆电、智宝、金山电、日电贸、奥斯特、凯美等被动元件业者。

钽质电解电容器可视为是铝质电解电容器的进阶产品，其与铝质电解电容相比有许多优势，如较小的体积、低漏电值、低散溢特性、低 ESR值、及在高温下有更稳定的容量和更长的寿命，但却有突破电压、逆电压等无持久性，不不耐机械冲击的缺点。钽质电解电容生产商包括： KEMET、AVX、ELNA等。

铝质电容与钽质电容比较：

项目 容值额定电压 工作温度范围 稳定性高频特性漏电流价格 承受浪涌能力温度特性

铝电容 大 高小 低差 大 低好差

钽电容 小 低大 高好 小 高差好

铝电容的额定电压、容量可以做很大，但频率与温度特性差，在高频与高温情况下，容质会变小，所以铝电容适合用於滤除低频杂讯。钽电容的额定电压、容量小，但频率与温度特性好。铝电容容量大，钽电容容量小，所以对於大电流变化的电路，如功放电源滤波，适合采用铝电容。

陶瓷电容器陶瓷电容可分为单层及多层陶瓷电容器，多层陶瓷电容器(MLCC，也称积层陶瓷电容)因具有体积小、电容量大、高频使用时损失率低、适合大量生产、价格低廉及稳定性高等特性，在一切讲求轻、薄、短、小产品化的发展趋势及表面黏著技术(SMT)应用日益普及下，发展空间较单层陶瓷电容大。

MLCC其电容值含量与产品表面积大小、陶瓷薄膜堆叠层数成正比。近年来由於陶瓷薄膜堆叠技术越来越进步，电容值含量也越来越高，逐渐取代中低电容，如电解电容和钽质电容的市场应用，加上MLCC可以透过SMT直接黏著，生产速度比电解电容和钽质电容更快，因此陶瓷基层电容的市场发展越来越受重视，是发展相当快速的电容器产品，主要供应商包括：日系Murata Mfg、Kyocera、TDK、Taiyo Yuden、Panasonic，及国内国巨、华新科、禾伸堂、天扬、蜜望实、 达方，与大陆风华高科。

陶瓷电容器采用钛酸钡、钛酸锶等高介电常数的陶瓷材料作为电介质，在电介质的表面印刷电极浆料，经低温烧结制成。陶瓷电容器的外形以片式居多，也有管形、圆片形等形状，陶瓷电容器的损耗因子很小，谐振频率高，但其缺点是单位体积的容量较小

电容的种类可以从原理上分为：无极性可变电容、无极性固定电容、有极性电容等，从材料上可以分为：CBB电容（聚乙烯），涤纶电容、瓷片电容、云母电容、独石电容、电解电容、钽电容等。

1.无极性可变电容。制作工艺：可旋转动片为陶瓷片表面镀金属薄膜，定片为镀有金属膜的陶瓷底；动片为同轴金属片，定片为有机薄膜片作介质。优点：容易生产，技术含量低。缺点：体积大，容量小。用途：改变震荡及谐振频率电路。调频、调幅、发射／接收电路。

2.无极性无感CBB电容。制作工艺：2层聚丙乙烯塑料和2层金属箔交替夹杂然后捆绑而成。优点：无感，高频特性好，体积较小。缺点：不适合做大容量，价格比较高，耐热性能较差。用途：耦合／震荡，音响，模拟／数字电路，高频电源滤波／退耦。

3.无极性CBB电容。制作工艺：2层聚乙烯塑料和2层金属箔交替夹杂然后捆绑而成。优点：有感，高频特性好，体积较小。缺点：不适合做大容量，价格比较高，耐热性能较差。用途：耦合／震荡，模拟／数字电路，电源滤波／退耦。

4.无极性瓷片电容。制作工艺：薄瓷片两面渡金属膜银而成。优点：体积小，耐压高，价格低，频率高（有一种是高频电容）。缺点：易碎，容量低。用途：高频震荡、谐振、退耦、音响。

5.无极性云母电容。制作工艺：云母片上镀两层金属薄膜。优点：容易生产，技术含量低。缺点：体积大，容量小用途：震荡、谐振、退耦及要求不高的电路无极性独石电容体积比CBB更小，其他同CBB，有感。用途：模拟／数字电路信号旁路／滤波，音响。

6.有极性电解电容。制作工艺：两片铝带和两层绝缘膜相互层叠，转捆后浸在电解液中。优点：容量大。缺点：高频特性不好。用途：低频级间耦合、旁路、退耦、电源滤波、音响。

7.钽电容。制作工艺：用金属钽作为正极，在电解质外喷上金属作为负极。优点：稳定性好，容量大，高频特性好。缺点：造价高。用途：高精度电源滤波、信号级间耦合、高频电路、音响电路。

8.聚酯（涤纶）电容。符号：CL。电容量：40p--4u。额定电压：63--630V。主要特点：小体积，大容量，耐热耐湿，稳定性差。应用：对稳定性和损耗要求不高的低频电路。

9.聚苯乙烯电容。符号：CB。电容量：10p--1u。额定电压：100V--30KV。主要特点：稳定，低损耗，体积较大。应用：对稳定性和损耗要求较高的电路。

以上内容参考：百度百科-电容