瓷片电容怎样测好坏?
检测方法
1、检测10pF以下的小电容——因10pF以下的固定电容器容量太小,用万用表进行测量,只能定性的检查其是否有漏电,内部短路或击穿现象。
测量时,可选用万用表10k挡,用两表笔分别任意接电容的两个引脚,阻值应为无穷大。若测出阻值(指针向右摆动)为零,则说明电容漏电损坏或内部击穿。
2、检测10PF~0 01μF固定电容器是否有充电现象,进而判断其好坏。万用表选用1k挡。两只三极管的β值均为100以上,且穿透电流要小。
可选用3DG6等型号硅三极管组成复合管。万用表的红和黑表笔分别与复合管的发射极e和集电极c相接。由于复合三极管的放大作用,把被测电容的充放电过程予以放大,使万用表指针摆幅度加大,从而便于观察。
3、对于0 01μF以上的固定电容,可用万用表的10k挡直接测试电容器有无充电过程以及有无内部短路或漏电,并可根据指针向右摆动的幅度大小估计出电容器的容量。
4、应注意的是:在测试操作时,特别是在测较小容量的电容时,要反复调换被测电容引脚接触A、B两点,才能明显地看到万用表指针的摆动。
扩展资料
瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器,用于高稳定振荡回路中,作为回路电容器及垫整电容器。
低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用,或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿。
1.MLCC(1类)—微型化,高频化,超低损耗,低ESR,高稳定,高耐压,高绝缘,高可靠,无极性,低容值,低成本,耐高温,主要应用于高频电路中。
2.MLCC(2类)—微型化,高比容,中高压,无极性,高可靠,耐高温,低ESR,低成本,主要应用于中,低频电路中作隔直,耦合,旁路和滤波等电容器使用。
参考资料来源:百度百科- 瓷片电容
参考资料来源:中国电工考试网-用数字万用表测电容好坏
瓷片电容已随着各类电子产品走进人们的生活中,在选型中,遇到测量问题,该如何处理呢一般瓷片电容的测量方法:将万用表置于R*10档,用两表笔分别接触电容器引脚,测得电阻一般在几百千欧至几千千欧;若测得电阻很小甚至为零,说明电容内部已短路
当测量中发现万用表的指针无法达到无穷大的位置时,指针所指的阻值就是该瓷片电容器的漏电电阻
指针距离阻值无穷大的位置越远,说明瓷片电容器漏电越严重
有的电容器在测其漏电电阻时,指针退回无穷大的位置,然后又慢慢的向顺时针方向摆动,摆动的越多说明陶瓷电容的漏电流越严重
瓷片电容的断路测量
瓷片电容的容量范围很宽,用万用表判断电容器的断路情况时,首先要看电容量的大小
对于0.019UF以下的小容量电容器,用万用表不能准确判断其是否断路,只能用其他仪表进行鉴别
对于0.01UF以上的瓷片电容,用万用表测量时,必须根据瓷片电容容量大小,选择合适的量程进行测量,才能正确的给以判断
如测量300UF以上的陶瓷电容,可以选R*10档或者R*1档;如要测10~300UF陶瓷电容时可选用R*100档;如要测0.4710UF的电容可选用R*1K档
按照上述方法选好量程后,便可将万用表的两表笔分别接陶瓷电容的两引脚
测量时,如指针不动,可将两表笔对调后再测,如指针不动,说明瓷片电容断路
用万用表的欧姆档测量瓷片电容的短路
用万用表的两表笔分别接电容器的两引脚,如果指针所指示的阻值很小或者接近为零,而且指针不再退回无穷大的位置,说明瓷片电容已经被击穿短路
需要注意的是在测量容量较大的电容器时,要根据电容量的大小,依照上述介绍的量程选择方法来选择适合的量程,否则可能会把瓷片电容的充电误认为击穿
选择瓷片电容时,产品质量好坏直接关系我们的生活品质及生活安全
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用指针万用表和数字万用表可判断瓷片电容的好坏,如果用指针式万用表,一般用R×10K档,将表笔分别接上电容的两极。这时万用表指针将瞬间的摆动(注意指针),摆动幅度非常的小,表明是好的.如果指针不动或者显示的阻值很小并不动,可以肯定是坏。只是其容量就要用数字万用表电容档测试才能准确知道。
它的原理是当摇动绝缘电阻表手柄时,直流发电机就开始工作。对于额定电压为500V的绝缘电阻表,当手摇转速达到每分钟120转时,其应输出500V的直流电压,因为它输出电流很小,所以对电容器无损害。
操作方法如下:
首先将直流电压表(也可用万用表直流电压挡)和被测电容器并联到绝缘电阻表的两个端钮上,接好后缓慢加速摇动绝缘电阻表手柄,察看电压表指示值,如指针不再上升或上升又降低,此时测出的即是该电容器的最高耐压值,也是它的临界击空值。在工作中也可用1000伏绝缘电阻表或2500V的绝缘电阻表及相适应的直流电压表,对耐压值较高的电容器进行测试。
需要注意的是,接线前和测试后都要将电容器作放电处理,而且直流电压表连接时要判断好绝缘电阻表的正、负极性。
标法和数标法3种。
电容的基本单位用法拉(F)表示,其它单位还有:毫法(mF)、微法 (μF)/mju:/、纳法(nF)、皮法(pF)。其中:1法拉=1000毫法(mF),1毫法=1000微法(μF),1微法=1000纳法 (nF),1纳法=1000皮法(pF)
1、容量大的电容其容量值在电容上直接标明,如10 μF/16V;
2、容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示;
字母表示法:
1m=1000μF
1P=1pF(如470P=470pF)
1P2=1.2PF
1n=1000PF;
另外,还有一个误差值。
K.M.J 代表电容量误差值
K代表容量偏差±10%
M代表偏差±20%
J代表偏差±5%
也就是说比如1000PF的容量,容许误差在1000+1000*10%和1000-1000*10%之间.不同的偏差效果也有些不同.通常和多情况偏差小的能够代替偏差大的.
103就是10*10^3=10000pf=0.01uF
蓝色瓷片电容额定电压常用为1000V,2000V,可以做1KV-12KV。陶瓷电容的厂家可以找智旭电子,专业的生产厂家,他家的产品规格齐全,有着多年生产经验,产品的质量有保证。
那么我们如何快速判断陶瓷电容品质呢?判断陶瓷电容品质的方法如下:1)了解清楚陶瓷电容的规格参数(额定值,容值)2)脚距长度3)工作温度4)误差5)漏电流是否符合标准陶瓷电容的测量方法如下:1)电流表测试电压及漏电流2)老化设备测试高压陶瓷电容参数3)解刨高压陶瓷电容看芯片及电容脚材质复杂的实验步骤一定要让专业人员操作,也可以向购买电容的厂家提供可靠性的试验报告!不同的电路要求会有不用的标准要求,而作为采购人员也要注定陶瓷电容的品质,这样可以减少不必要的麻烦哦
工程不在的时候,采购人员可以按照上述所说的方法,交付到专业的技术人员进行检测
希望本文的内容可以帮助到你!
高压陶瓷电容是用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质,并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成的
高压陶瓷电容器出厂前都是要经过测试的,今天我们就一起来探讨一下高压电容器有那些测试项目,这些项目又是如何测量的
高压陶瓷电容器出厂前进行的测试是为了更好地检验它是否合格,是否符合客户的要求,是否能保障使用的寿命
高压陶瓷电容的主要测试项目有以下七项:1、串联电阻测试,绝缘电阻测试
2、耐压实验,包括额定工作电压24小时工作测试;也包括击穿耐压,即破坏性测试,电容被击穿前的那一个临界电压就是击穿电压(标定电压的二倍高压下不击穿)
3、拉力测试,即引线与芯片焊接的牢固度
4、老化测试,高压陶瓷电容在模拟工作环境状态下运作30~60天,测试其衰减其各项参数的变化
5、正负温变化率测试,即-40度到+60度状况下,电容的变化率
6、寿命测试,即在老化测试的基础上,再对电容进行高频冲电流下快速充放电测试,得到的充放电次数就是充放电寿命,注意,这个寿命的得出是在长时间的老化之后得出的
7、局放测试,即局部放电测试
以上就是高压陶瓷电容如何测量的方法,如果大家对此还有疑问的话,可以到一些合格生产电容的厂家去观察他们是如何测量高压陶瓷电容的
另外一个,是在原边主线圈上,一个二极管串联一个电容与电阻并联回路,这三个件跨接在主回路线圈里,起到的是消震,避免干扰对外界的影像,如果拆除这一套元件,我的充电器维修测试仪就会显示乱七八糟的,或者字飘,貌似干扰很严重,连单片机都受影响
还有一个,在次级(副边)整流管上,它是与一个几十欧到100欧的电阻串联后,并在整流管上的,我感觉应该也是消除高频干扰的,不过,试验中,很多时候,摘除这个电容后,输出电流会小很多,但是某些又不一定有明显影响
瓷片电容的耐压一般在25V到50V之间。
瓷片电容:是电子元器件,主要由陶瓷的材料做成的隔离介子,属于绝缘体。大量用于中大型电子设备和微小型单片机。
耐压值:是一个设计标称值,表明这种类型的电容器能够在此电压以下长期工作。进行检验耐压值是在该电容器两端施加超过这个数值的电压。比如:标称耐压200V的电容器施加500V一分钟或几分钟没有发生放电或炸裂等现象,则说明其在200V电压下能够长期工作,以上举例只是假设数值,为了能够形象了解耐压参数,具体的施加电压要看制造厂的标准,也有可能不是逐个检验,只是抽样检验。
参考资料
卢本.设计与分析.天津:天津大学出版社,2003