求教关于MLCC的工厂制作流程！急用！！

您好，智旭JEC有生产多层陶瓷电容，对这方面有一定的了解：原材料和生产工艺造成多层瓷介电容的内部问题包括分层、空洞、结瘤、微裂纹等，其中分层问题是危害严重的一种，因为它涉及面积大，易造成短路、击穿电压降低等致命失效。

多层陶瓷电容器的烧结为多层材料堆叠共烧，度可以高达1000℃以上。烧结过程中内部污染物挥发，烧结工艺控制不当，层间结合力不强，都可能导致分层的发生。内部出现分层有两种情况：一种是由于原材料和工艺导致分层问题。另一种是电容两极之间承受了异常高压，导致电压在薄弱的介质处发生击穿，电流流过邻近电极，造成内电极材料过流，宽度增大，表面看起来分层。生产工艺好的电容厂家发生分层的现象会少很多，因此还是得选择正规品牌厂家生产的电容器，例如智旭JEC生产的陶瓷电容，质量好，性能高，售后好！

陶瓷电容器（ceramic capacitor；ceramic condenser ）又称为瓷介电容器或独石电容器。顾名思义，瓷介电容器就是介质材料为陶瓷的电容器。根据陶瓷材料的不同，可以分为低频陶瓷电容器和高频陶瓷电容器两类。按结构形式分类，又可分为圆片状电容器、管状电容器、矩形电容器、片状电容器、穿心电容器等多种。

高压陶瓷电容器

（一）概述

随着电子工业的高速发展，迫切要求开发击穿电压高、损耗小、体积小、可靠性高的高压陶瓷电容器。近20多年来，国内外研制成功的高压陶瓷电容器已经广泛应用于电力系统、激光电源、磁带录像机、彩电、电子显微镜、复印机、办公自动化设备、宇航、导弹、航海等方面。

高压陶瓷电容器的瓷料主要有钛酸钡基和钛酸锶基两大类。

钛酸钡基陶瓷材料具有介电系数高、交流耐压特性较好的优点，但也有电容变化率随介质温度升高、绝缘电阻下降等缺点。

钛酸锶晶体的居里温度为-250℃，在常温下为立方晶系钙钛矿结构，是顺电体，不存在自发极化现象，在高电压下钛酸锶基陶瓷材料的介电系数变化小，tgδ及电容变化率小，这些优点使其作为高压电容器介质是十分有利的。

（二）制造工艺要点

（1）原料要精选

影响高压陶瓷电容器质量的因素，除瓷料组成外，优化工艺制造、严格工艺条件是非常重要的。因此，对原料既要考虑成本又要注意纯度，选择工业纯原料时，必须注意原料的适用性。

（2）熔块的制备

熔块的制备质量对瓷料的球磨细度和烧成有很大的影响，如熔块合成温度偏低，则合成不充分。对后续工艺不利。如合成料中残存Ca2+，会阻碍轧膜工艺的进行：如合成温度偏高，使熔块过硬，会影响球磨效率：研磨介质的杂质引入，会降低粉料活性，导致瓷件烧成温度提高。

（3）成型工艺

成型时要防止厚度方向压力不均，坯体闭口气孔过多，若有较大气孔或层裂产生，会影响瓷体的抗电强度。

（4）烧成工艺

应严格控制烧成制度，采取性能优良的控温设备及导热性良好的窑具。

（5）包封

包封料的选择、包封工艺的控制以及瓷件表面的清洁处理等对电容器的特性影响很大。冈此，必须选择抗潮性好，与瓷体表面密切结合的、抗电强度高的包封料。目前，大多选择环氧树脂，少数产品也有选用酚醛脂进行包封的。还有采取先绝缘漆涂覆，再用酚醛树脂包封方法的，这对降低成本有一定意义。大规模生产线上多采用粉末包封技术。

为提高陶瓷电容器的击穿电压，在电极与介质表面交界边缘四周涂覆一层玻璃釉，可有效地提高电视机等高压电路中使用的陶瓷电容器的耐压和高温负荷性能，如涂有一种硼硅酸铅玻璃釉，可使该电容器在直流电场下的；蕾穿电压提高1.4倍；在交流电场下的击穿电压提高1.3倍。 [2]

多层陶瓷电容器

多层陶瓷电容器（Multilayer Ceramic Capacitor，MLCC）是片式元件中应用最广泛的一类，它是将内电极材料与陶瓷坯体以多层交替并联叠合，并共烧成一个整体，又称片式独石电容器，具有小尺寸、高比容、高精度的特点，可贴装于印制电路板（PCB）、混合集成电路（HIC）基片，有效地缩小电子信息终端产品（尤其是便携式产品）的体积和重量，提高产品可靠性。顺应了IT产业小型化、轻量化、高性能、多功能的发展方向，国家2010年远景目标纲要中明确提出将表面贴装元器件等新型元器件作为电子工业的发展重点。它不仅封装简单、密封性好，而且能有效地隔离异性电极。MLCC在电子线路中可以起到存储电荷、阻断直流、滤波、祸合、区分不同频率及使电路调谐等作用。在高频开关电源、计算机网络电源和移动通信设备中可部分取代有机薄膜电容器和电解电容器，并大大提高高频开关电源的滤波性能和抗干扰性能。

1．小型化

对于便携式摄录机、手机等袖珍型电子产品，需要更加小型化的MLCC产品。另一方面，由于精密印刷电极和叠层工艺的进步，超小型MLCC产品也逐步面世和取得应用。以日本矩形MLCC的发展为例，外形尺寸已经从20世纪80年代前期的3216减小到现在的0603。国内企业生产的MLCC主流产品是0603型，已突破了0402型MLCC大规模生产的技术难关。0201型MLCC已研制出样品，产业化技术以及国内市场需求均处于发育成熟阶段，目前最小的020l型MLCC长边甚至不到500 μm。 [3]

2．低成本化——贱金属内电极MLCC

传统的MLCC由于采用昂贵的钯电极或钯银合金电极，其制造成本的70%被电极材料占去。包括高压MLCC在内的新一代MLCC，采用了便宜的贱金属材料镍、铜作电极，大大降低了MLCC的成本。但是贱金属内电极MLCC需要在较低的氧分压下烧结以保证电极材料的导电性，而过低的氧分压会带来介质瓷料的半导化倾向，不利于元件的绝缘性和可靠性。村田制作所先后开发出几种抗还原瓷料，在还原气氛下烧结，制成的电容器的可靠性可与原先使用贵金属电极的电容器相媲美，这类电容器一面世便很快进入市场。目前，贱金属化的Y5V组别电容器的销量已占该组别MLCC的一半左右，另外正在寻求扩大贱金属电极在其他组别电容器上的应用。

我国在这方面也有显著进展。清华大学与元器件厂商合作用化学方法制备高纯钛酸钡纳米粉（20～100 nm），通过受主掺杂和双稀土掺杂构建“核一壳”结构来提高材料高温抗还原性和实现温度稳定特性，研制出一系列具有自主知识产权的温度稳定型高性能纳米/亚微米晶抗还原钛酸钡瓷料，所研制的材料配方组成、制备方法具有独创性，材料综合性能居国际领先水平。其中高性能X7R（0302）贱金属内电极MLCC瓷料室温相对介电常数高达3 000，陶瓷晶粒尺寸小于300 nm，容温变化率小于±12%，介电损耗小于2.5×10-2，绝缘电阻率约为1013 Ω·cm。MLCC击穿场强大于70 MV/m。已制备出超薄层贱金属内电极MLCC产品，陶瓷介质单层厚度约为3 μm。

3．大容量化、高频化

一方面，伴随半导体器件低压驱动和低功耗化，集成电路的工作电压已由5 V降低到3 V和1.5 V；另一方面，电源小型化需要小型、大容量产品以替代体积大的铝电解电容器。为了满足这类低压大容量MLCC的开发与应用，在材料方面，已开发出相对介电常数比BaTiO3高1～2倍的弛豫类高介材料。在开发新产品过程中，同时发展了三种关键技术，即制取超薄生片粉料分散技术、改善生片成膜技术和内电极与陶瓷生片收缩率相匹配技术。最近日本的松下电子组件公司成功研制出电容量最大为100μF，最高耐压为25 V的大容量MLCC，该产品可用于液晶显示器（LCD）的电源线路。

通信产业的快速发展对元器件的频率要求越来越高。美国Vishay公司推出的Cer—F系列MLCC的高频特性可以与薄膜电容器相媲美，在高频段的某些应用中可以替代薄膜电容器。而我国高频、超高频MLCC产品与国外仍有一定的差距，主要原因是缺乏基础原料及其配方的研发力度。随着技术不断更新，现已不断涌现出了低失真率和冲击噪声小的产品、高频宽温长寿命产品、高安全性产品以及高可靠低成本产品。 [3]

陶瓷电容器介质

编辑

陶瓷材料具有优越的电学、力学、热学等性质，可用作电容器介质、电路基板及封装材料等。

陶瓷材料的微观结构

陶瓷材料是由氧化物或其他化合物制成坯体后，在接近熔融的温度下，经高温焙烧制得的材料。通常包括原料粉碎、浆料制备、坯件成型和高温烧结等重要过程。陶瓷是一个复杂的多晶多相系统，一般由结晶相、玻璃相、气相及相界交织而成，这些相的特征、组成、相对含量及其分布情况，决定着整个陶瓷的基本性质。

陶瓷中的晶相通常指那些大小不同、形状不一、取向随机的晶粒，晶粒的直径通常为几微米至几十微米。晶相可以同属一种化合物或一种晶系，也可以是不同化合物或不同晶系。陶声中若存在两种以上组成和结构互不相同的晶粒时，则称其为多晶相陶瓷，其中相对含量最多产品相称为主晶相，其他的称为副品相。其中主晶相的性能基本上决定了材料的性能，如相对f电常数、电导率、损耗及热膨胀系数等。所以，要获得性能良好的陶瓷，就必须选择适当的：晶相。此外，还应考虑晶粒的大小、均匀程度、晶粒取向、晶界形成及杂质分布等情况。

晶粒间界是指两个晶粒之间的过渡区，在这个过渡区内，品格结构的完整性或化学成分与晶粒体内有显著的区别。在晶粒间界上通常聚集着大量的位错、热缺陷与杂质缺陷，因而对陶瓷材料的力学性能和电学性能有重大影响。

气相一般分布于晶界、重结晶晶体内和玻璃相中，它是陶瓷组织结构中很难避免的一部分。其来源于烧成过程中各个晶粒之间不可能实现完全紧密的镶嵌，玻璃相也不可能完全填充各个晶粒的空隙；也可能是由于坯料烧结时释放出气体而形成的气孔。气相会严重地影响陶瓷材料的电学性能、力学性能和热学性能。一般希望陶瓷中气相的含量越少越好。

陶瓷的微观结构决定了材料的一系列力学性能和电学性能。一致的晶粒组成，微细晶粒的均匀分布及致密的烧结体，可使陶瓷的机械强度和介电性能达到预期的结果。

介质陶瓷材料在MLCC中的应用与技术要求

（一）MLCC的主要结构及其所用的材料

（二）MLCC对介质陶瓷材料的技术要求

MLCC介质陶瓷国外发展现状与发展趋势

（一）国外本领域及产业发展现状与发展趋势

（二）国外生产MLCC介质陶瓷材料的主要公司

（三）世界上主要国家技术发展分析

国内MLCC介质陶瓷材料行业发展现状

（一）国内MLCC介质陶瓷材料行业发展现状

（二）国内主要生产MLCC介质陶瓷材料的企业情况

（三）国内MLCC介质陶瓷材料的生产技术水平与差距

五、国内外市场、需求（预测）分析

（一）国外市场需求分析

1、全球MLCC发展情况

2、国外MLCC用介质陶瓷材料的需求及预测

（二）国内市场需求（预测）分析

1、国内MLCC产业发展概况

2、国内生产MLCC的主要企业介绍

3、国内MLCC 2002～2003年进出口情况

4、我国MLCC产销需求及进出口的变化

5、国内MLCC用介质陶瓷材料市场及需求（预测）分析

六、国内发展MLCC介质陶瓷材料的优势及劣势分析

（一）发展优势

（二）发展劣势及存在问题

七、国内MLCC介质陶瓷材料发展前景及发展%C

希望能够帮到你!

单层电容和多层电容的区别在于：

1、从含义上看，多层陶瓷电容即贴片电容 ，其全称为多层（积层，叠层）片式陶瓷电容；单层电容即瓷片电容 ，是一种用陶瓷材料作介质，在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜，再经高温烧结后作为电极而成的电容器。

2、从型号外观看，一般多层瓷介电容器型号中第三位用1表示单层，即圆片电容，第三位如果是4，表示多层结构。如CC1和CT1是单层，CC4和CT41是多层。

单层是原始结构，目前基本为多层。当然还有微波电容，也有单层和多层。

3、从要素特点来看，多层瓷片电容器容量大，但不耐高电压，容量不稳定，寿命较短，用于低压、低频电路。瓷片电容器容量小，耐压高，稳定性好，用于高压、高频电路。

贴片电容有两种尺寸表示方法，一种是以英寸为单位来表示，一种是以毫米为单位来表示。

贴片电容的系列型号有0402、0603、0805、1206、1210、1808、1812、2010、2225、2512，这些是英寸表示法， 04 表示长度是0.04 英寸，02 表示宽度0.02 英寸，其他类同型号尺寸（mm）

贴片电容的命名所包含的参数有贴片电容的尺寸、做这种贴片电容用的材质、要求达到的精度、要求的电压、要求的容量、端头的要求以及包装的要求。

一般订购贴片电容需提供的参数要有尺寸的大小、要求的精度、电压的要求、容量值、以及要求的品牌即可。

瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。

低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。

按瓷介电容电介质又分：

1.类电介质(NP0,C0G)；

2.类电介质(X7R,2X1)；

3.类电介质(Y5V,2F4)瓷介电容器EIA RS-198。

瓷片电容的识别方法：电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。

参考资料来源：百度百科-贴片电容

参考资料来源：百度百科-瓷片电容

但是一般普通的陶瓷电容往往只能在125℃以下应用，经过制造厂家多年不断地测试，一款适用于200℃应用的电容，多层陶瓷电容，这款实用在它工作电压和工作温度呈相关性

随着温度上升，加速因子的升高会非常显著

然而需要注意的是，基于C0G，X5R，X7R，或X8R电介质的电容，尽管可在200℃的高温下应用，但其性能可能会有一定的衰减

仅仅是热应力即可导致电气失效

当电容介质产生热量的速度高于其所能发散的速度时就会发生热击穿现象

这会提高介质的导电性，产生更多热量，但最终导致电容性能的不稳定，通常表现为温度的急剧上升

电容通过局部放电时所产生热量，可能足以熔化电介质材料

用户在决定某个电容是否适用于高温环境时，需要考虑热应力和温度上升对容值、耗散因子和绝缘电阻等基础电性能所产生的影响

1970年

创建潮州市无线电元件一厂，生产碳膜电阻器及电阻陶瓷基体。

1980年 更名为地方国营潮州市无线电瓷件厂，生产电阻陶瓷基体、电子管插座、光敏、热敏电阻。

1984年 引进投产国外电阻器，电阻瓷体全工序生产线。

1985年 引进投产国外电阻帽盖生产线，配套各规格电阻产品。

1987年 引进投产国外金属氧化膜电阻全工序生产线，形成大、小功率电阻元件全系列配套的规模。

1992年 实施股份制改造，组建潮州三环（集团）股份有限公司。

1993年 具有现代化工业功能，环境优美的三环工业城开工建设。

1997年 投产氧化铝陶瓷基片生产线，成为国内唯一生产片式电阻用陶瓷基片的企业。

1997年 以三环集团为依托建立广东省电子陶瓷工程技术研究开发中心。

1997年 占地18万m2三环工业城成为集科研、生产、经营为一体的工业园区。

1999年 引进国外设备仪器，生产微波介质陶瓷器件。

2000年 投产多层片式陶瓷电容生产线，生产BME高积层片式陶瓷电容器。

2001年 投产光纤连接器陶瓷插芯生产线，形成具有多规格品种配套的光通信连接器插芯、套筒生产规模 。

2002年 三环集团被认定为“广东省企业技术中心”。

2004年 投产各种片式电感瓷芯、陶瓷底片、陶瓷金属化产品。

2005年 三环集团已成为基础材料、先进陶瓷、专用设备的研发与产业化基地。

生产 :电子用陶瓷零件

片式电感瓷芯

陶瓷功率底片

微型变压器底座

其它电子陶瓷件

光通讯陶瓷元件

陶瓷插芯

非标插芯

陶瓷套筒

非标套筒

带纤

毛坯

机械陶瓷结构件

机械陶瓷结构件

陶瓷金属化

陶瓷金属化

时尚陶瓷

陶瓷手表套件

陶瓷手表配件

陶瓷饰品

电工用陶瓷件

电工用陶瓷件

发热陶瓷件

发热陶瓷件

陶瓷基片

片式电阻器用陶瓷基片

电位器用陶瓷基片

其它用途陶瓷基片

多层片式陶瓷电容器

多层片式陶瓷电容器

电阻器

固定电阻器

编带包装

第二次加工

陶瓷刀具

陶瓷水果刀

水果刀毛坯

陶瓷剪刀片

陶瓷剪刀片毛坯

能源用陶瓷件

能源用陶瓷件

固定电阻器用陶瓷基体

陶瓷基体

压帽分选瓷体

镀锡铁帽

微波器件

微波器件

电感器

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采购员 不限 2人

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国际贸易（德语） 本科以上 各1人

国际贸易（英语） 大专以上 各4人

应届本科毕业生 本科以上 不限

因为多层陶瓷电容器具有耐高压、高温，体积小，容量范围宽等优点，所以应用较单层陶瓷电容广，占据了陶瓷电容器百分十九十三的市场规模

陶瓷电容不仅可以耐高温、耐腐蚀，而且有较高的介电常数，这对当前集成电路对电容器小型化、高容量的要求是很适宜的

电容器的性能直接取决于陶瓷介质的性能，材料介电常数越大，抗电强度越高，则小型化程度越好

因此制造厂家在围绕提高瓷料性能和发展新材料方面竞相在积极开展工作

结构不均匀性导致的附加夹层损耗要降低陶瓷电容的介质损耗，因此所选择陶瓷电容的工厂品质是很关键的因素之一

工艺决定了陶瓷电容的寿命问题，采购要确认是否有实体工厂，可以进行实地考察的