瓷片电容Ⅰ类与Ⅱ类有什么区别

不同特性电容工作温度不同，陶瓷电容按照材质可分为三种特性Y5V、Y5U和Y5P，陶瓷电容用Y5U及Y5P特性的，变化率为+22%-65% 。用Y5V特性的，

变化率+30%-80% 。-25℃ ~ +85℃ 是瓷片电容的工作温度，意思就是瓷片电容可以在两种极端的温度下工作。不受影响。 陶瓷电容只要是超过-40℃~+85℃这个温度范围工作，就就影响到产品的使用期限。 因工作温度过高或过低时，陶瓷电容容量下降过多，就会影响性能，造成失效。

低于温度范围的低温环境中使用陶瓷电容时，需要担心"静电容量的变化率"、"可靠性"、"耐温周期"这三个问题。关于静电容量的变化率，例如X5R特性产品的温度范围均在-55～85°C，在其温度范围内，静电容量变化率规定为"±15%"，超过温度范围则无法满足其静电容量变化率规定。关于可靠性，由于陶瓷电容具有温度加速特性，现有严格控制高温这一倾向。希望我的回答对你有所帮助。

瓷片电容222M/2kv表示22*10^2pf=2200pf=2.2nf，耐压2千伏，最大容量误差为20%。

容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10μF/16V，容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示。

瓷片电容的识别方法：电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。电容的基本单位用法拉(F)表示，其它单位还有：毫法(mF)、微法(μF)/mju:/、纳法(nF)、皮法(pF)。其中：1法拉=1000毫法(mF)，1毫法=1000微法(μF)，1微法=1000纳法(nF)，1纳法=1000皮法(pF)。

扩展资料：

陶瓷电容有二个端子的非极性元件，早期最常使用陶瓷电容是碟型电容器，比晶体管问世的时间要早，在1930年代到1950年代就应用在许多的真空管设备（如广播接收器）中，后来陶瓷电容也广泛使用在晶体管设备中。至2007年止，由于陶瓷电容相较于其他低容值电容的高容量及低成本优势，陶瓷电容仍广泛使用在各种电子设备中。

EIA也有针对电容的温度系数有三个字的识别码。对于不是Class1的非温度补偿型电容，第一个字对应工作温度的下限，第二个字为数字，对应工作温度的上限，第三个字对应在温度范围内的电容值变动。

陶瓷电容的电感性较其他主要电容器（薄膜电容或电解电容）要低，因此适用于高频的应用，一般可以到达数百MHz，若在电路上进行微调，甚至可以到达1GHz。若希望达到更高自共振频率，需要使用更昂贵及少见的电容，例如玻璃电容或云母电容。

参考资料来源：百度百科——瓷片电容

参考资料来源：百度百科——电容值

瓷片电容技术的发展历程：1900年意大利L.隆巴迪发明陶瓷介质电容；30年代末人们发现在陶瓷中添加钛酸盐可使介电常数成倍增长，因而制造出较便宜的瓷介质电容；1940年前后人们发现了现在的瓷片电容技术参数的主要原材料BaTiO3(钛酸钡)具有绝缘性后，开始将瓷片电容技术参数使用于对既小型、精度要求又极高的军事用电子设备当中

1960年左右陶瓷叠片电容作为商品开始开发

1970年，随着混合IC、计算机、以及便携电子设备的进步也随之迅速的发展起来，瓷片电容成为电子设备中不可缺少的零部件，而其中技术参数也是学者们研究的重点

现在的陶瓷介质电容的全部数量约占电容市场的70%左右

因为陶瓷介质电容的绝缘体材料主要使用陶瓷，其基本构造是将陶瓷和内部电极交相重叠

陶瓷材料有几个种类

自从考虑电子产品无害化特别是无铅化后，高介电系数的PB（铅）退出瓷片电容技术参数领域，现在主要使用TiO2(二氧化钛)、BaTiO3,CaZrO3(锆酸钙)等

和其它的电容相比具有体积小、容量大、耐热性好、适合批量生产、价格低等优点

由于原材料丰富，结构简单，价格低廉，而且电容量范围较宽（一般有几个PF到上百μF），损耗较小，电容量温度系数可根据要求在很大范围内调整

瓷片电容技术参数品种繁多，外形尺寸相差甚大从0402（约1×0.5mm）封装的贴片电容到大型的功率瓷片电容

按使用的介质材料特性可分为Ⅰ型、Ⅱ型和半导体瓷片电容；按无功功率大小可分为低功率、高功率瓷片电容；按工作电压可分为低压和高压瓷片电容；按结构形状可分为圆片形、管型、鼓形、瓶形、筒形、板形、叠片、独石、块状、支柱式、穿心式等

瓷片电容的分类：瓷片电容技术参数从介质类型主要可以分为两类，即Ⅰ类瓷片电容技术参数和Ⅱ类瓷片电容技术参数

Ⅰ类瓷片电容技术参数（ClassⅠceramiccapacitor），过去称高频瓷片电容技术参数（High-freqencyceramiccapacitor），是指用介质损耗小、绝缘电阻高、介电常数随温度呈线性变化的陶瓷介质制造的电容

它特别适用于谐振回路，以及其它要求损耗小和电容量稳定的电路，或用于温度补偿

Ⅱ类瓷片电容技术参数（ClassⅡceramiccapacitor）过去称为为低频瓷片电容技术参数（Lowfrequencycermiccapacitor），指用铁电陶瓷作介质的电容，因此也称铁电瓷片电容技术参数

这类电容的比电容大，电容量随温度呈非线性变化，损耗较大，常在电子设备中用于旁路、耦合或用于其它对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中

常见的Ⅱ类瓷片电容技术参数有：X7R、X5R、Y5V、Z5U其中：X7R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字7位最高工作温度+125℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；X5R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；Y5V表示为：第一位Y为最低工作温度-30℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母V为随温度变化的容值偏差+22%，-82%±15%

Z5U表示为：第一位Z为最低工作温度+10℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母U为随温度变化的容值偏差+22%，-56%

希望能帮到你。

影响瓷片电容容量的因素很多，比如温度特性、比如频率特性、比如老化特性、比如直流偏压特性等，就是说，瓷片电容的容量虽然是定值，但是它本身容量也会变化，所以也有自己的档位，比如M：+—20%的偏差，这个就是在特定温度频率下的变化允许值。

您上边提到的应该和产品的温度特性有关，特别是2类瓷做成的电容（比如:X7R\Y5V材质），不同温度下容量是不同的。所以您上边的情况有肯能是正常的，也有可能是不正常的，因为1类瓷（NP0等）是不会随温度变化变化那么大的，他的变化在PPM（百万分之一）级别的，所以要看你电容的材料了。

按照您所说的情况来看，产品应该是Y5V之类的产品了，不过变化最多是到8000PF，可见，您的电容质量非常差。

片式多层陶瓷电容器又称独石电容器，是世界上用量最大、发展最快的片式元件品种。根据所使用的材料，可分为三类，一类为温度补偿类，二类为高介电常数类，三类为半导体类，主要用于电子整机中的振荡、耦合、滤波、旁路电路中。是以电子陶瓷材料作介质，将预制好的陶瓷浆料通过流延方式制成厚度小于10微米陶瓷介质薄膜，然后在介质薄膜上印刷内电极，并将印有内电极的陶瓷介质膜片交替叠合热压，形成多个电容器并联，在高温下一次烧结成为一个不可分割的整体芯片，然后在芯片的端部涂敷外电极浆料，使之与内电极形成良好的电气连接，再经复温还原，形成片式陶瓷电容器的两极。其发展趋势是：1、片式化率迅速增长；2、尺寸不断缩小；3、厚度不断变薄变轻；4、生产规模不断扩大；5、复合度不断提高；6、技术不断更新。低失真率和冲击噪音小、寿命长、高安全性和高可靠性、低成本的片式多层陶瓷电容器不断涌现。

瓷片电容体积小，温度系数范围广，介质损耗小，漏电小，耐潮湿。缺点：容量小，机械强度差。

独石电容容量大，适于低频。瓷片电容适于高频。可以取代。我是搞高频电路的喜欢瓷片电容。实际应用效果差不多。

不同的电容有不同的特性，今天我们就来探讨下瓷片电容、独石电容和贴片电容的区别在哪里吧。

瓷片电容：

瓷片电容(ceramiccapacitor)是一种用陶瓷材料作介质，在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜，再经高温烧结后作为电极而成的电容器。通常用于高稳定振荡回路中，作为回路、旁路电容器及垫整电容器。瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。

优点：稳定，绝缘性好，耐高压

缺点：容量比较小

独石电容：

独石电容是多层陶瓷电容器的别称，英文名称monolithic ceramic capacitor或multi-layer ceramic capacitor, 简称MLCC，根据所使用的材料，可分为三类。

一类为温度补偿类NPO电介质这种电容器电气性能最稳定，基本上不随温度、电压、时间的改变，属超稳定型、低损耗电容材料类型，适用在对稳定性、可靠性要求较高的高频、特高频、甚高频电路中。

二类为高介电常数类X7R电介质由于X7R是一种强电介质，因而能制造出容量比NPO介质更大的电容器。这种电容器性能较稳定，随温度、电压时间的改变，其特有的性能变化并不显著，属稳定电容材料类型，使用在隔直、耦合、傍路、滤波电路及可靠性要求较高的中高频电路中。

三类为半导体类Y5V电介质这种电容器具有较高的介电常数，常用于生产比容较大、标称容量较高的大容量电容器产品。但其容量稳定性较X7R差，容量、损耗对温度、电压等测试条件较敏感，主要用在电子整机中的振荡、耦合、滤波及旁路电路中。

特点：温度特性好，频率特性好。一般电容随着频率的上升,电容量呈现下降的规律，独石电容下降比较少，容量比较稳定。

陶瓷电容：

陶瓷电容用用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。

选择合适的电容，会大大提升产品性能哟

陶瓷电容：陶瓷电容用高介电常数的电容器陶瓷〈钛钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成

它又分高频瓷介和低频瓷介两种

具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器

低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉

这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿

二者联系和区别：瓷片电容的高频特性好，但电容值最大只能做到0.1uF

瓷片电容也属于陶瓷电容的一种

瓷片电容的在识别上与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种

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