检测电容容值的公差是多少

静电容量 由3位字母数字表示。单位皮法（pF）。第1位和第2位数字为有效数字，第3位数字表示有效数字后的0的个数。有小数点时以大写字母“R”表示。此时，所有数字均为有效数字。

例如： 代号 静电容量

R50 0.5pF

1R0 1.0pF

100 10pF

103 10000pF

故 电容682表示68后面0的个数是2个，即为6800pF

又有1000pF=1nF 1000nF=1uF 所以电容6800pF=0.0068uF

2.J表示静电容量公差

常用的静电容量关系有 J ±5%

K ±10%

M ±20%

所以 电容682j表示 电容为0.0068uF ,公差为±5%,

2、Y1安规电容属于瓷片电容的范畴，只是安规电容的要求高很多，测试电压是额定电压的10倍，而普通测试电压就是1.5倍+500V的，所以会特别发开来。

3、Y1安规电容，测试耐压是8KVdc，4KVac。

4、STE是汕头松田的品牌。750V可能是其他一些测试参数，也许你直接致电他们会解释得更清楚。

5、照片比较模糊，看不到他的材质。

6、M代表其误差公差是±20%，K的话是10%。没有U的。

7、最准确的参数就是Y1-400V/102 M，102是其容量为1000pF。

8、按陕西华星电子集团的命名方法，瓷片电容容量是用三位数来表示的。前两位数字表示有效数字，后面一位代表有效数字后面有几个零。省略单位则以pF为单位。

2、104代表其容量是10 0000 pF，按国内品牌命名方法，瓷片电容容量是用三位数来表示。3、前两位数字表示有效数字，后面一位代表有效数字后面有几个零。

4、电压方面，拿400V为例。400V代表它的额定电压，若是瓷片电容，则应该是Y1安规瓷片电容。

5、J代表其公差误差是±5%的，若是K就是10%的。

电容器阻值计算方法：

电容器常用数码标记阻值，通常使用三位数标法，其具体含义是：

电容上标识的前两位是有效数字，第三位是前面数字的位率(即10的多少次方)。

电容数码标法的单位是pF(皮法=10^(-12)法)。

下面举例说明，比如：

104 标识 10 x 10^4 = 100000pF，又等于 0.1uF

又如：100 是 10 x 10^0 = 10pF

105 是 10 x 10^5 = 1000000pF = 1uF

跟普通电阻一样，电容器阻值的单位也是“欧”。

瓷片电容(器)的分类：

瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。

MLCC(1类)—微型化，高频化、超低损耗、低ESR、高稳定、高耐压、高绝缘、高可靠、无极性、低容值、低成本、耐高温，主要应用于高频电路中。

MLCC(2类)—微型化，高比容、中高压、无极性、高可靠、耐高温、低ESR、低成本。主要应用于中低频电路中作隔直、耦合、旁路和滤波等电容器使用。

(瓷片)电容、涤纶电容耐压值的判别方法：

1J代表 6.3X10=63V

2F代表 3.15X100=315V

3A代表 1.0x1000=1000V

1K代表 8.0x10=80V

数字最大为4，如4Z代表90000V。

电容器耐压的标注也有两种常见方法，一种是把耐压值直接印在电容器上，另一种是采用一个数字和一个字母组合而成。数字表示10的幂指数，字母表示数值，单位是V(伏)。

还有，阿拉伯字母 A /B / C / D / E / F / G / H / J / K /Z

相对应的耐压值为

1960年左右陶瓷叠片电容作为商品开始开发

1970年，随着混合IC、计算机、以及便携电子设备的进步也随之迅速的发展起来，瓷片电容成为电子设备中不可缺少的零部件，而其中技术参数也是学者们研究的重点

现在的陶瓷介质电容的全部数量约占电容市场的70%左右

因为陶瓷介质电容的绝缘体材料主要使用陶瓷，其基本构造是将陶瓷和内部电极交相重叠

陶瓷材料有几个种类

自从考虑电子产品无害化特别是无铅化后，高介电系数的PB（铅）退出瓷片电容技术参数领域，现在主要使用TiO2(二氧化钛)、BaTiO3,CaZrO3(锆酸钙)等

和其它的电容相比具有体积小、容量大、耐热性好、适合批量生产、价格低等优点

由于原材料丰富，结构简单，价格低廉，而且电容量范围较宽（一般有几个PF到上百μF），损耗较小，电容量温度系数可根据要求在很大范围内调整

瓷片电容技术参数品种繁多，外形尺寸相差甚大从0402（约1×0.5mm）封装的贴片电容到大型的功率瓷片电容

按使用的介质材料特性可分为Ⅰ型、Ⅱ型和半导体瓷片电容；按无功功率大小可分为低功率、高功率瓷片电容；按工作电压可分为低压和高压瓷片电容；按结构形状可分为圆片形、管型、鼓形、瓶形、筒形、板形、叠片、独石、块状、支柱式、穿心式等

瓷片电容的分类：瓷片电容技术参数从介质类型主要可以分为两类，即Ⅰ类瓷片电容技术参数和Ⅱ类瓷片电容技术参数

Ⅰ类瓷片电容技术参数（ClassⅠceramiccapacitor），过去称高频瓷片电容技术参数（High-freqencyceramiccapacitor），是指用介质损耗小、绝缘电阻高、介电常数随温度呈线性变化的陶瓷介质制造的电容

它特别适用于谐振回路，以及其它要求损耗小和电容量稳定的电路，或用于温度补偿

Ⅱ类瓷片电容技术参数（ClassⅡceramiccapacitor）过去称为为低频瓷片电容技术参数（Lowfrequencycermiccapacitor），指用铁电陶瓷作介质的电容，因此也称铁电瓷片电容技术参数

这类电容的比电容大，电容量随温度呈非线性变化，损耗较大，常在电子设备中用于旁路、耦合或用于其它对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中

常见的Ⅱ类瓷片电容技术参数有：X7R、X5R、Y5V、Z5U其中：X7R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字7位最高工作温度+125℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；X5R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；Y5V表示为：第一位Y为最低工作温度-30℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母V为随温度变化的容值偏差+22%，-82%±15%

Z5U表示为：第一位Z为最低工作温度+10℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母U为随温度变化的容值偏差+22%，-56%