瓷片电容的规格怎么辨别？
相信大家都知道热门电容中，瓷片电容占的比例也较多
在回路以及旁路电容器中瓷片电容都是必不可少的，瓷片电容都是由陶瓷材料烧制而成的
虽然材质都是一样的，但在不同电路中所运用的瓷片电容规格也是不一样的
规格一:1000V-6000V高频瓷片电容高频瓷片电容一般主要都是运用于较高稳定振荡的回路中，因此其在稳定性方面要求是比较高的，如比较常见的耦合电容以及高压旁路就会选择用高频瓷片电容
最主要的优点就是可以耐受高温以及耐磨性比较强，如日常生活中常见的电视接收机上就会使用高压瓷片电容
规格二:50V以下低频瓷片电容低频瓷片电容主要是运用在一些工作频率比较低的回路中，在这类型的回路中往往对于电容的稳定性以及损耗的程度要求都不是很高
尤其是在一些脉冲比较强的电路中是不能使用低频瓷片电容的，否则很有可能会被电压直接击穿
二者的差异比较二者不同类型的瓷片电容规格识别可以直接通过电容器或者是电路来进行判断
一般来说可以耐受高压，绝缘性比较好，而且比较可靠，运用于高压电路中的就属于高频瓷片电容
而低频瓷片电容相比较而言可靠性以及成本都比较低，多数时候都是运用于一些低频电路以及耦合电路等的电容器中
快速识别方法一般来说在音频控制器以及分频器上使用的电容都是高频瓷片电容，因为其容量会比较大，通过金属塑料薄膜的使用可以获得更佳的音质
其次就是在滤波电容中，其容量的特性决定了使用电解电容的效果会比较好，但在使用的过程中还要注意抑制高频阻抗不断上升的情况
所以针对瓷片电容规格的识别来说，可以通过判断回路的电压以及特性就可以快速鉴别出其所使用的瓷片电容，同时在进行识别的时候也可以参照电阻的规格识别方法
104为0.1uF的瓷片电容。瓷片电容读法：104=10*10的4次方pF=0.1uF，相同的型号有103、102、224、223、222、474、473、472等。
瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。
电容的容量标识的几种方法。
第一就是直接标识，如其电解电容，容量47uf，电容耐压25v。其次则是使用单位nf：如涤纶电容，标称4n7，即4.7nf，转换为pf即为4700pf。还有的例如：10n，即0.01uf33n，即0.033uf。后面的63是指电容耐压63v。
此外还有就是数学计数法。如瓷片电容，标值103，容量就是：10x1000pf=0.01uf.如果标值473，即为47X1000pf=0.047uf。(后面的4、3，都表示10的多少次方)。
又如：332=33X100pf=3300pf。电容的使用，都应该在指定的耐压下工作。现在的好多质量不高的产品，就因为使用了耐压不足的电容而引起故障(常见电容爆裂)。
容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10 μF/16V
容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示
字母表示法：1m=1000 μF 1P2=1.2PF 1n=1000PF
数字表示法：三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。三位数字的前两位数字为标称容量的有效数字，第三位数字表示有效数字后面零的个数，它们的单位都是pF。
如：102表示标称容量为1000pF。
221表示标称容量为220pF。
224表示标称容量为22x10(4)pF。
在这种表示法中有一个特殊情况，就是当第三位数字用"9"表示时，是用有效数字乘上10的-1次方来表示容量大小。
如：229表示标称容量为22x(10-1)pF=2.2pF。
允许误差 ±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20%
如：一瓷片电容为104J表示容量为0.1 μF、误差为±5%
温度补偿型NPO(COG)是Ⅰ类瓷片电容；X7R；X5R；Y5U；Y5V是Ⅱ类瓷片电容Ⅰ类瓷片电容特点是容量稳定性好，基本不随温度；电压；时间的变化而变化，容量也比较小
NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器
它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的
NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一
在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃,电容量随频率的变化小于±0.3ΔC
NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%,相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的
其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%
NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同,大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好
应用在电容稳定性有要求的场合
Ⅱ类瓷片电容特点是容量稳定相对较差，但是容量相对也大些
X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器
当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%,需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的
X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的,它也随时间的变化而变化,大约每10年变化1%ΔC,表现为10年变化了约5%
X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用,而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下
它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大
Y5V瓷片电容是有一定温度限制的通用电容器,在工作温度-30℃到85℃范围内其容量变化为+22%到-82%、介质损耗为5%
Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达100μF的电容器
Y5V瓷片电容适合用于去耦、平滑用
2、瓷片电容104是多大uF。
3、瓷片电容104是多大容量。
4、瓷片电容104是多大苹果12怎样l录屏。
1.瓷片电容104是100000皮法（pF），也就是100纳法（nF），采用的是数字表示法，三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。
2.三位数字的前两位数字为标称容量的有效数字，第三位数字表示有效数字后面零的个数，它们的单位都是pF。
陶瓷电容有以下一些材质：Y5P；Y5E；Y5R；Y5T；Y5V； Y5U； Z5U；Z5V；Z4V；X7R；N750；N330；NPO；SL。
陶瓷电容常用的几种：Y5P；Y5V；Y5U；X7R；NPO。
Y5P的温度补偿性能最好，全温度范围内的电容值变化范围为±10%。
Y5U对温度变化无补偿性，全温度范围内的电容值变化范围为+22%/-56%。
Y5V表示工作在-30~+85度，整个温度范围内偏差-82%~+22%
X5R表示工作在-55~+85度，整个温度范围内偏差正负15%
X7R表示工作在-55~+125度，整个温度范围内偏差正负15%
NPO（COG）是温度特性最稳定的电容器，电容温漂很小，整个温度范围容量很稳定，温度也是-55~125度，适用于振荡器，超高频滤波去耦。
331为330pF=0.33nF=0.00033μF
68为68pF
682为6800pF=6.8nF=0.0068μF
5为5pF
附：小瓷片、涤纶电容的标识含义（给你学习）
1F（法）=1000000 μF（微法），即106μF（微法）
1μF（微法）=1000 nF (纳法)，即103nF（纳法）=1000,000 pF (皮法)
1nF (纳法) =1000 pF (皮法) ，即103pF（皮法）
104表示为：10,0000 pF(皮法)=100 nF (纳法)=0.1μF（微法）；
223表示为：22,000 pF(皮法)=22 nF (纳法)=0.022μF（微法）；
684表示为：68,0000 pF(皮法)=680 nF (纳法) =0.68μF（微法）；
105表示为：10,00000 pF(皮法)=1000 nF (纳法)=1μF（微法）。
1、电容耐压、误差标识意义
I类、II类电容的耐压代号：
A:：1.0V G： 4.0V B:：1.25V W:：4.5V C:：1.6V H:：5.0V D： 2.0V
J:：6.3V E:：2.5V K:：8.0V F:：3.15V Z:：9.0V
以上字母前面的数字表示10的多少次幂，如2A就表示耐压为1.0×10^2=100V； 2J就表示耐压为6.3×10^2=630V。
2、电容器精度等级表示方法
常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同。用字母表示：
D——0.05级——±0.5%；
F——0.1级——±1%；
G——0.2级——±2%；
J—— I 级——±5%；
K—— II 级——±10%；
M—— III 级——±20%。
用3位数字表示的是 PF 级别的小电容，自然是高频用途。332 就是 3300PF ，前面两个是有效数字，后面一个就是零的个数。也有直接标示的。
晶体振荡器匹配电容是20 ~ 30 P，瓷片上只有写 20 或30 。你用 3300P 的电容超过100倍了，肯定不起振。
