瓷片电容Ⅰ类与Ⅱ类有什么区别

我想是这样的，同类型电子器件分级别由来已久，主要是区分同类型电子器件的误差百分率。一级为小于或等于1%，二级为小于或等于2.5%，三级为小于或等于5%。不同的电子线路的局部电路所用的电子器件的误差级别不同，或电子线路板统一采用某个级别的电子器件，使得电子器件组成的电子线路控制误差保证在某个范围内。如同一进口的电视机是不同的厂家或地方生产的，那产品有什么内在品质的差别呢？就在于同一类型电子产品中的电子器件自身误差级别不同。

Ⅰ类陶瓷电容器根据美国标准EIA-198-D，在用字母或数字表示陶瓷电容器的温度性质有三部分：一部分为（例如字母C）温度系数α的有效数字；第二位部分有效数字的倍乘（如0即为100）；第三部分为随温度变化的容差（以ppm/℃表示）例如，C0G（有时也称为NP0）表示为：前面的字母C为温度系数的有效数字为0，第二位数字0为有效温度系数的倍乘为100=1，第三位字母G为随温度变化的容差为±30ppm/℃，即0±30ppm/℃，Ⅰ类陶瓷电容器的电容量几乎不随温度变化陶瓷电容器从介质类型主要可以分为两类，即Ⅰ类陶瓷电容器和Ⅱ类陶瓷电容器，具体是怎么样的呢？有哪些特点？适用于哪些范围呢？1、Ⅰ类陶瓷电容器：过去称高频陶瓷电容器，是指用介质损耗小、绝缘电阻高、介电常数随温度呈线性变化的陶瓷介质制造的电容器，特别适用于谐振回路，以及其它要求损耗小和电容量稳定的电路，片状陶瓷电容，或用于温度补偿；2、Ⅱ类陶瓷电容器：过去称为为低频陶瓷电容器，指用铁电陶瓷作介质的电容器，因此也称铁电陶瓷电容器，图片状陶瓷电容，常在电子设备中用于旁路、耦合或用于其它对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中

一 温度补偿型 NPO(COG) 电容器

NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃,电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%,相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同,大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。

NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容,以及高频电路中的耦合电容。

二 高介电常数型 X7R(R7) 特性电容器

X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%,需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的,它也随时间的变化而变化,大约每10年变化1%ΔC,表现为10年变化了约5%。X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用,而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。下表给出了X7R电容器可选取的容量范围。

X7R电容器适合用于去耦、平滑用。还有250V、630V、1000V、2000V等耐压品种。

三 高介电常数型 Y5V 特性电容器

Y5V电容器是有一定温度限制的通用电容器,在工作温度-30℃到85℃范围内其容量变化为 +22% 到 -82% 、介质损耗为 5% 。Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达100μF的电容器。

Y5V电容器适合用于去耦、平滑用。