开关管瓷片电容多大
0.1微法。一般瓷片电容0.1微法。电容(Capacitance)是“电容量”的简称,用于表征电子元件在给定电势差下的储电能力,常用字母C表示。电容的国际标准单位为法拉(F)。电荷在电场作用下会移动;当导体之间填充介质时,介质会阻碍电荷移动,并使得电荷在导体上积累和储存,这种储存的电荷量被称为“电容”,而相应存储电荷的电子元件被称为“电容器”。
106即为电容量,瓷片电容上标有106表示该电容的电容量为106uf。
uf是实际工作中常用的电容量单位,电容量之间的换算关系为:1法拉(F)=1000毫法(mF);1毫法(mF)=1000微法(μF);1微法(μF)=1000纳法(nF);1纳法(nF)=1000皮法(pF);即:1F=1000000μF;1μF=1000000pF。
扩展资料:
电容的其他参数:
1、额定电压,为在最低环境温度和额定环境温度下可连续加在电容器的最高直流电压。如果工作电压超过电容器的耐压,电容器将被击穿,造成损坏。在实际中,随着温度的升高,耐压值将会变低。
2、绝缘电阻。直流电压加在电容上,产生漏电电流,两者之比称为绝缘电阻。当电容较小时,其值主要取决于电容的表面状态;容量大于0.1时,其值主要取决于介质。通常情况,绝缘电阻越大越好。
3、损耗。电容在电场作用下,在单位时间内因发热所消耗的能量称做损耗。损耗与频率范围、介质、电导、电容金属部分的电阻等有关。
4、频率特性。随着频率的上升,一般电容器的电容量呈现下降的规律。当电容工作在谐振频率以下时,表现为容性;当超过其谐振频率时,表现为感性,此时就不是一个电容而是一个电感了。所以一定要避免电容工作于谐振频率以上。
参考资料来源:百度百科-电容器
瓷片电容104是多大
瓷片电容是一种用陶瓷材料作介质,在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜,再经高温烧结后作为电极而成的电容器。
瓷片电容通常用于高稳定振荡回路中,作为回路、旁路电容器及垫整电容器。
高压瓷片电容作用具有耐磨直流高压的特点,适用于高压旁路和耦合电路中。
电容器阻值计算方法:
电容器常用数码标记阻值,通常使用三位数标法,其具体含义是:
电容上标识的前两位是有效数字,第三位是前面数字的位率(即10的多少次方)。
电容数码标法的单位是pF(皮法=10^(-12)法)。
下面举例说明,比如:
104 标识 10 x 10^4 = 100000pF,又等于 0.1uF
又如:100 是 10 x 10^0 = 10pF
105 是 10 x 10^5 = 1000000pF = 1uF
跟普通电阻一样,电容器阻值的单位也是“欧”。
瓷片电容(器)的分类:
瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器,用于高稳定振荡回路中,作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用,或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿。
MLCC(1类)—微型化,高频化、超低损耗、低ESR、高稳定、高耐压、高绝缘、高可靠、无极性、低容值、低成本、耐高温,主要应用于高频电路中。
MLCC(2类)—微型化,高比容、中高压、无极性、高可靠、耐高温、低ESR、低成本。主要应用于中低频电路中作隔直、耦合、旁路和滤波等电容器使用。
(瓷片)电容、涤纶电容耐压值的判别方法:
1J代表 6.3X10=63V
2F代表 3.15X100=315V
3A代表 1.0x1000=1000V
1K代表 8.0x10=80V
数字最大为4,如4Z代表90000V。
电容器耐压的标注也有两种常见方法,一种是把耐压值直接印在电容器上,另一种是采用一个数字和一个字母组合而成。数字表示10的幂指数,字母表示数值,单位是V(伏)。
还有,阿拉伯字母 A /B / C / D / E / F / G / H / J / K /Z
相对应的耐压值为
容量大的电容其容量值在电容上直接标明,如10 μF/16V
容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示
字母表示法:1m=1000 μF 1P2=1.2PF 1n=1000PF
数字表示法:三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。三位数字的前两位数字为标称容量的有效数字,第三位数字表示有效数字后面零的个数,它们的单位都是pF。
如:102表示标称容量为1000pF。
221表示标称容量为220pF。
224表示标称容量为22x10(4)pF。
在这种表示法中有一个特殊情况,就是当第三位数字用"9"表示时,是用有效数字乘上10的-1次方来表示容量大小。
如:229表示标称容量为22x(10-1)pF=2.2pF。
允许误差 ±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20%
如:一瓷片电容为104J表示容量为0.1 μF、误差为±5%
表示方法:
瓷片电容: 多数在1μF以下,
①直接用数字表示。如: 10、22、0.047、0.1 等等, 这里要注意的是单位。凡用整数表示的, 单位默认pF; 凡用小数表示的,单位默认μF。如以上例子中, 分别是10P、22P、0.047μF、220μF 等。
②现在国际上流行另一种类似色环电阻的表示方法( 单位默认pF) :
前两个数字表示有效读数,第三个数字表示后面追加的“0”的个数。
如: “ 473”(即47加三个0)=47000pF=0.047μF ,
“ 103”即(10+000)pF=10000PF=0.01μF等等, 这种表示法已经相当普遍。
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瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器,用于高稳定振荡回路中,作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用,或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿。
331为330pF=0.33nF=0.00033μF
68为68pF
682为6800pF=6.8nF=0.0068μF
5为5pF
附:小瓷片、涤纶电容的标识含义(给你学习)
1F(法)=1000000 μF(微法),即106μF(微法)
1μF(微法)=1000 nF (纳法),即103nF(纳法)=1000,000 pF (皮法)
1nF (纳法) =1000 pF (皮法) ,即103pF(皮法)
104表示为:10,0000 pF(皮法)=100 nF (纳法)=0.1μF(微法);
223表示为:22,000 pF(皮法)=22 nF (纳法)=0.022μF(微法);
684表示为:68,0000 pF(皮法)=680 nF (纳法) =0.68μF(微法);
105表示为:10,00000 pF(皮法)=1000 nF (纳法)=1μF(微法)。
1、电容耐压、误差标识意义
I类、II类电容的耐压代号:
A::1.0V G: 4.0V B::1.25V W::4.5V C::1.6V H::5.0V D: 2.0V
J::6.3V E::2.5V K::8.0V F::3.15V Z::9.0V
以上字母前面的数字表示10的多少次幂,如2A就表示耐压为1.0×10^2=100V; 2J就表示耐压为6.3×10^2=630V。
2、电容器精度等级表示方法
常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同。用字母表示:
D——0.05级——±0.5%;
F——0.1级——±1%;
G——0.2级——±2%;
J—— I 级——±5%;
K—— II 级——±10%;
M—— III 级——±20%。