102是多少PF陶瓷电容 还有66 20 105 12 10的 都是多少PF的 陶瓷电容
电容容量一般都是以1~3位数标示,1位2位数的都是照读,66,
20,
12,10没有表示单位的为最小单位“pf”
3位数的最佳记忆化法就是前面两位容量数再在后面加几个0的意思例如:
102就是前面两位是10再在后面加2个0的意思,即是等于1000,没有表示单位的为最小单位“pf”102即等于1000pf等于1nf
10就是前面两位是10再在后面加个5个0的意思,即是等于1000000,105即等于1000000pf等于1000nf等于1uf
这些容量单位都是pF,分别是1pF、3pF、22pF,104表示10乘以10的4次方,也就是100000pF。同理,121表示12乘以10的2次方,也就是1200pF。331表示33乘以10的1次方,也就是330pF
现在一般以常用指数表示法,如102、221,前两位数是电容量的有效数字,后一位数是后面添零的个数,如102表示有效数是10,2表示后面再添2个0,即1000pF;221表示有效数22,1表示后面再添1个0,即220pF。
高压瓷片电容器,一个主要的特点就是体积小耐压高
高压瓷片电容就是以陶瓷材料为介质的圆板电容器,在“瓷片”电容器中一般DC50v以下叫低压,DC50V~500V为中高压,DC1000v~6000v和为高压,安规Y电容也是属于高压,DC6000v以上为超高压
2KV、3KV电压很常见
常用于高压场合
高压瓷片电容作用具有耐磨直流高压的特点,适用于高压旁路和耦合电路中,其中的低耗损高压圆片具有较低的介质损耗,特别适合在电视接收机和扫描等电路中使用
二、瓷片电容规格有哪些瓷片电容用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质,在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜,并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成的电容器
瓷片电容(瓷介电容)作用主要有三个方面:1.容量损耗随温度频率具高稳定性2.特殊的串联结构适合于高电压极长期工作可靠性3.高电流爬升速率并适用于大电流回路无感型结构
通常用于高稳定振荡回路中,作为回路、旁路电容器及垫整电容器如消除高频干扰
瓷片电容器不宜使用在脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿
陶瓷有I类瓷,II类瓷,III类瓷之分,I类瓷,NP0,温度特性,频率特性和电压特性佳,因介电常数不高,所以容量做不大II类瓷,X7R次之,温度特性和电压特性较好III类瓷,介电常数高,所以容量可以做很大,但温度特性和电压特性不太好
瓷片电容器一般体积不大
另外,再强调一个重要特点:瓷介电容器击穿后,往往呈短路状态
(这是它的弱点)而薄膜电容器失效后,一般呈开路状态瓷片电容规格Ⅱ类瓷也叫做高介电常数型(HighDielectricConstantType),是适用於作旁路、耦合或用在对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中的具有高介电常数的一种电容器
该类陶瓷介质是以在类别温度范围内电容量非线性变化来表徵
其特性符合以下标准:用途:1).旁路和耦合2).对Q值和容量稳定性要求一般的分步电路
三、电容的识别方法电容器耐压的标注有一种是采用一个数字和一个字母组合而成
数字表示10的幂指数,字母表示数值,单位是V(伏)
字母ABCDEFGHJKZ耐压值1.01.251.62.02.53.154.05.06.38.09.01J代表6.3*10=63V2G代表4.0*100=400V3A代表1.0*1000=1000V由于电容体积要比电阻大,所以一般都使用直接标称法
如果是10n,那么就是10nF,同样100p就是100pF
如果是4n7就是4.7nF,不标单位的直接表示法:用1~4位数字表示,即指数标识,容量单位为pF,如独石和一些瓷片电容,一般就用指数形式,471就代表47×10^1pF=470pF
瓷片电容也有直接标识容量的,单位就是pF
钽电容,一般直接标识数值,常见单位莡F
(电容数字标识部分由pongo网友补充,在此表示感谢!)色码表示法:沿电容引线方向,用不同的颜色表示不同的数字,第一,二种环表示电容量,第三种颜色表示有效数字后零的个数(单位为pF)颜色意义:黑=0、棕=1、红=2、橙=3、黄=4、绿=5、蓝=6、紫=7、灰=8、白=9
电容的识别:看它上面的标称,一般有标出容量和正负极,比如钽电容上,有白线的一端就是正极,另外像电解电容,就用引脚长短来区别正负极长脚为正,短脚为负
电阻电容序列值电容容值系列
瓷片电容是瓷片电容又称圆片瓷介电容分为高压瓷片电容和低压瓷片电容等,高压瓷片电容有哪些特点?瓷片电容规格有哪些呢,下面小编来向你介绍!一、高压瓷片电容高压瓷片电容器,就是以陶瓷材料为介质的电容器
高压瓷片电容器,一个主要的特点就是耐压高
高压瓷片电容就是以陶瓷材料为介质的圆板电容器,在“瓷片”电容器中一般DC50v以下叫低压,DC100V~500V为中高压,DC1000v~6000v和为高压,安规Y电容也是属于高压,DC6000v以上为超高压
2KV、3KV电压很常见
常用于高压场合
高压瓷片电容作用具有耐磨直流高压的特点,适用于高压旁路和耦合电路中,其中的低耗损高压圆片具有较低的介质损耗,特别适合在电视接收机和扫描等电路中使用
二、瓷片电容规格有哪些瓷片电容用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质,在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜,并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成的电容器
瓷片电容(瓷介电容)作用主要有三个方面:1.容量损耗随温度频率具高稳定性2.特殊的串联结构适合于高电压极长期工作可靠性3.高电流爬升速率并适用于大电流回路无感型结构
通常用于高稳定振荡回路中,作为回路、旁路电容器及垫整电容器如消除高频干扰
瓷片电容器不宜使用在脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿
陶瓷有I类瓷,II类瓷,III类瓷之分,I类瓷,NP0,温度特性,频率特性和电压特性佳,因介电常数不高,所以容量做不大II类瓷,X7R次之,温度特性和电压特性较好III类瓷,介电常数高,所以容量可以做很大,但温度特性和电压特性不太好
瓷片电容器一般体积不大
另外,再强调一个重要特点:瓷介电容器击穿后,往往呈短路状态
(这是它的弱点)而薄膜电容器失效后,一般呈开路状态瓷片电容规格Ⅱ类瓷也叫做高介电常数型(HighDielectricConstantType),是适用於作旁路、耦合或用在对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中的具有高介电常数的一种电容器
该类陶瓷介质是以在类别温度范围内电容量非线性变化来表徵
其特性符合以下标准:用途:1).旁路和耦合2).对Q值和容量稳定性要求一般的分步电路
三、电容的识别方法电容器耐压的标注有一种是采用一个数字和一个字母组合而成
数字表示10的幂指数,字母表示数值,单位是V(伏)
字母ABCDEFGHJKZ耐压值1.01.251.62.02.53.154.05.06.38.09.01J代表6.3*10=63V2G代表4.0*100=400V3A代表1.0*1000=1000V由于电容体积要比电阻大,所以一般都使用直接标称法
如果是10n,那么就是10nF,同样100p就是100pF
如果是4n7就是4.7nF,不标单位的直接表示法:用1~4位数字表示,即指数标识,容量单位为pF,如独石和一些瓷片电容,一般就用指数形式,471就代表47×10^1pF=470pF
瓷片电容也有直接标识容量的,单位就是pF
钽电容,一般直接标识数值,常见单位莡F
(电容数字标识部分由pongo网友补充,在此表示感谢!)色码表示法:沿电容引线方向,用不同的颜色表示不同的数字,第一,二种环表示电容量,第三种颜色表示有效数字后零的个数(单位为pF)颜色意义:黑=0、棕=1、红=2、橙=3、黄=4、绿=5、蓝=6、紫=7、灰=8、白=9
电容的识别:看它上面的标称,一般有标出容量和正负极,比如钽电容上,有白线的一端就是正极,另外像电解电容,就用引脚长短来区别正负极长脚为正,短脚为负
电阻电容序列值电容容值系列
简单的介绍了下瓷片电容,希望能让亲们重新了解高压瓷片电容,瓷谷电子专业制造瓷片电容,安规Y电容30载,为您的安全生活提供有力保障,好质量的瓷片电容请联系瓷谷电子,,24小时热线免费咨询
1960年左右陶瓷叠片电容作为商品开始开发
1970年,随着混合IC、计算机、以及便携电子设备的进步也随之迅速的发展起来,瓷片电容成为电子设备中不可缺少的零部件,而其中技术参数也是学者们研究的重点
现在的陶瓷介质电容的全部数量约占电容市场的70%左右
因为陶瓷介质电容的绝缘体材料主要使用陶瓷,其基本构造是将陶瓷和内部电极交相重叠
陶瓷材料有几个种类
自从考虑电子产品无害化特别是无铅化后,高介电系数的PB(铅)退出瓷片电容技术参数领域,现在主要使用TiO2(二氧化钛)、BaTiO3,CaZrO3(锆酸钙)等
和其它的电容相比具有体积小、容量大、耐热性好、适合批量生产、价格低等优点
由于原材料丰富,结构简单,价格低廉,而且电容量范围较宽(一般有几个PF到上百μF),损耗较小,电容量温度系数可根据要求在很大范围内调整
瓷片电容技术参数品种繁多,外形尺寸相差甚大从0402(约1×0.5mm)封装的贴片电容到大型的功率瓷片电容
按使用的介质材料特性可分为Ⅰ型、Ⅱ型和半导体瓷片电容;按无功功率大小可分为低功率、高功率瓷片电容;按工作电压可分为低压和高压瓷片电容;按结构形状可分为圆片形、管型、鼓形、瓶形、筒形、板形、叠片、独石、块状、支柱式、穿心式等
瓷片电容的分类:瓷片电容技术参数从介质类型主要可以分为两类,即Ⅰ类瓷片电容技术参数和Ⅱ类瓷片电容技术参数
Ⅰ类瓷片电容技术参数(ClassⅠceramiccapacitor),过去称高频瓷片电容技术参数(High-freqencyceramiccapacitor),是指用介质损耗小、绝缘电阻高、介电常数随温度呈线性变化的陶瓷介质制造的电容
它特别适用于谐振回路,以及其它要求损耗小和电容量稳定的电路,或用于温度补偿
Ⅱ类瓷片电容技术参数(ClassⅡceramiccapacitor)过去称为为低频瓷片电容技术参数(Lowfrequencycermiccapacitor),指用铁电陶瓷作介质的电容,因此也称铁电瓷片电容技术参数
这类电容的比电容大,电容量随温度呈非线性变化,损耗较大,常在电子设备中用于旁路、耦合或用于其它对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中
常见的Ⅱ类瓷片电容技术参数有:X7R、X5R、Y5V、Z5U其中:X7R表示为:第一位X为最低工作温度-55℃,第二位的数字7位最高工作温度+125℃,第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%;X5R表示为:第一位X为最低工作温度-55℃,第二位的数字5位最高工作温度+85℃,第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%;Y5V表示为:第一位Y为最低工作温度-30℃,第二位的数字5位最高工作温度+85℃,第三位字母V为随温度变化的容值偏差+22%,-82%±15%
Z5U表示为:第一位Z为最低工作温度+10℃,第二位的数字5位最高工作温度+85℃,第三位字母U为随温度变化的容值偏差+22%,-56%
电容器的容量误差通常用字符表示:
第一种,绝对误差,通常以电容量的值的绝对误差表示,以PF为单位,即:B代表±0.1PF、C代表±0.25PF、D代表±0.5PF,Y代表±1PF,A代表±1.5PF,V代表±5PF。这种表达方式通常用于小容量电容器。
第二种,相对误差,以电容量标称值的偏差百分数表示,即:D代表±0.5%,P代表±0.625%、F代表±1%,R代表±1.25%,G代表±2%,U代表±3.5%,J代表±5%,K代表±10%,M代表±20%,S代表±50%/-20%、Z代表±80%/-20%。
电容值很小,多数在1μF以下,约等于无。额定电压+500V,额定电压常用为1000V,2000V,可以做1KV-12KV。包括X电容和Y电容两种类型,x电容是跨接在电力线两线(L-N)之间的电容,一般选用金属薄膜电容。
E 202M 12KV EG电容尽量靠近负载器件的供电电源管脚和地管脚。这能够很好地防止输入值过大而导致的地电位抬高和噪声。地电位是地连接处在通过大电流毛刺时的电压降 。
扩展资料
电容在给定电位差下的电荷储藏量,记为C,国际单位是法拉(F)。一般来说,电荷在电场中会受力而移动。
当导体之间有了介质,则阻碍了电荷移动而使得电荷累积在导体上,造成电荷的累积储存,储存的电荷量则称为电容。
一般用三位数字表示容量大小,前两位表示有效数字,第三位数字是倍率。
如:102表示10×10的2次方PF=1000PF 224表示22×10的4次方PF=0.22 uF
其实,这个电容,都是从第一本单片机书那抄过来的,多少年了,就没变过。
但是,事实上,时钟电路所配的电容真是可有可无的,干脆不用了,时钟电路照常工作,这都是实际做出来的。比那些书本要有说服力吧,可就是没有一本这么写。更没有一本书介绍怎么计算出来的,因为,可有可无的东西还用计算吗?
现在,STC单片机,把外部晶振都省了,可以用内部 IRC时钟电路了,而且频率一样精确,你说还用计算吗,外部什么都不用啦,你还计算什么?不要什么东西都靠计算,这不是数学。
温度补偿型NPO(COG)是Ⅰ类瓷片电容;X7R;X5R;Y5U;Y5V是Ⅱ类瓷片电容Ⅰ类瓷片电容特点是容量稳定性好,基本不随温度;电压;时间的变化而变化,容量也比较小
NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器
它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的
NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一
在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃,电容量随频率的变化小于±0.3ΔC
NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%,相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的
其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%
NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同,大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好
应用在电容稳定性有要求的场合
Ⅱ类瓷片电容特点是容量稳定相对较差,但是容量相对也大些
X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器
当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%,需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的
X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的,它也随时间的变化而变化,大约每10年变化1%ΔC,表现为10年变化了约5%
X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用,而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下
它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大
Y5V瓷片电容是有一定温度限制的通用电容器,在工作温度-30℃到85℃范围内其容量变化为+22%到-82%、介质损耗为5%
Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达100μF的电容器
Y5V瓷片电容适合用于去耦、平滑用