什么是瓷片电容?
一、高压瓷片电容高压瓷片电容器,就是以陶瓷材料为介质的电容器
高压瓷片电容器,一个主要的特点就是体积小耐压高
高压瓷片电容就是以陶瓷材料为介质的圆板电容器,在“瓷片”电容器中一般DC50v以下叫低压,DC50V~500V为中高压,DC1000v~6000v和为高压,安规Y电容也是属于高压,DC6000v以上为超高压
2KV、3KV电压很常见
常用于高压场合
高压瓷片电容作用具有耐磨直流高压的特点,适用于高压旁路和耦合电路中,其中的低耗损高压圆片具有较低的介质损耗,特别适合在电视接收机和扫描等电路中使用
二、瓷片电容规格有哪些瓷片电容用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质,在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜,并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成的电容器
瓷片电容(瓷介电容)作用主要有三个方面:1.容量损耗随温度频率具高稳定性2.特殊的串联结构适合于高电压极长期工作可靠性3.高电流爬升速率并适用于大电流回路无感型结构
通常用于高稳定振荡回路中,作为回路、旁路电容器及垫整电容器如消除高频干扰
瓷片电容器不宜使用在脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿
陶瓷有I类瓷,II类瓷,III类瓷之分,I类瓷,NP0,温度特性,频率特性和电压特性佳,因介电常数不高,所以容量做不大II类瓷,X7R次之,温度特性和电压特性较好III类瓷,介电常数高,所以容量可以做很大,但温度特性和电压特性不太好
瓷片电容器一般体积不大
另外,再强调一个重要特点:瓷介电容器击穿后,往往呈短路状态
(这是它的弱点)而薄膜电容器失效后,一般呈开路状态瓷片电容规格Ⅱ类瓷也叫做高介电常数型(HighDielectricConstantType),是适用於作旁路、耦合或用在对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中的具有高介电常数的一种电容器
该类陶瓷介质是以在类别温度范围内电容量非线性变化来表徵
其特性符合以下标准:用途:1).旁路和耦合2).对Q值和容量稳定性要求一般的分步电路
三、电容的识别方法电容器耐压的标注有一种是采用一个数字和一个字母组合而成
数字表示10的幂指数,字母表示数值,单位是V(伏)
字母ABCDEFGHJKZ耐压值1.01.251.62.02.53.154.05.06.38.09.01J代表6.3*10=63V2G代表4.0*100=400V3A代表1.0*1000=1000V由于电容体积要比电阻大,所以一般都使用直接标称法
如果是10n,那么就是10nF,同样100p就是100pF
如果是4n7就是4.7nF,不标单位的直接表示法:用1~4位数字表示,即指数标识,容量单位为pF,如独石和一些瓷片电容,一般就用指数形式,471就代表47×10^1pF=470pF
瓷片电容也有直接标识容量的,单位就是pF
钽电容,一般直接标识数值,常见单位莡F
(电容数字标识部分由pongo网友补充,在此表示感谢!)色码表示法:沿电容引线方向,用不同的颜色表示不同的数字,第一,二种环表示电容量,第三种颜色表示有效数字后零的个数(单位为pF)颜色意义:黑=0、棕=1、红=2、橙=3、黄=4、绿=5、蓝=6、紫=7、灰=8、白=9
电容的识别:看它上面的标称,一般有标出容量和正负极,比如钽电容上,有白线的一端就是正极,另外像电解电容,就用引脚长短来区别正负极长脚为正,短脚为负
电阻电容序列值电容容值系列
瓷片电容是瓷片电容又称圆片瓷介电容分为高压瓷片电容和低压瓷片电容等,高压瓷片电容有哪些特点?瓷片电容规格有哪些呢,下面小编来向你介绍!一、高压瓷片电容高压瓷片电容器,就是以陶瓷材料为介质的电容器
高压瓷片电容器,一个主要的特点就是耐压高
高压瓷片电容就是以陶瓷材料为介质的圆板电容器,在“瓷片”电容器中一般DC50v以下叫低压,DC100V~500V为中高压,DC1000v~6000v和为高压,安规Y电容也是属于高压,DC6000v以上为超高压
2KV、3KV电压很常见
常用于高压场合
高压瓷片电容作用具有耐磨直流高压的特点,适用于高压旁路和耦合电路中,其中的低耗损高压圆片具有较低的介质损耗,特别适合在电视接收机和扫描等电路中使用
二、瓷片电容规格有哪些瓷片电容用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质,在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜,并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成的电容器
瓷片电容(瓷介电容)作用主要有三个方面:1.容量损耗随温度频率具高稳定性2.特殊的串联结构适合于高电压极长期工作可靠性3.高电流爬升速率并适用于大电流回路无感型结构
通常用于高稳定振荡回路中,作为回路、旁路电容器及垫整电容器如消除高频干扰
瓷片电容器不宜使用在脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿
陶瓷有I类瓷,II类瓷,III类瓷之分,I类瓷,NP0,温度特性,频率特性和电压特性佳,因介电常数不高,所以容量做不大II类瓷,X7R次之,温度特性和电压特性较好III类瓷,介电常数高,所以容量可以做很大,但温度特性和电压特性不太好
瓷片电容器一般体积不大
另外,再强调一个重要特点:瓷介电容器击穿后,往往呈短路状态
(这是它的弱点)而薄膜电容器失效后,一般呈开路状态瓷片电容规格Ⅱ类瓷也叫做高介电常数型(HighDielectricConstantType),是适用於作旁路、耦合或用在对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中的具有高介电常数的一种电容器
该类陶瓷介质是以在类别温度范围内电容量非线性变化来表徵
其特性符合以下标准:用途:1).旁路和耦合2).对Q值和容量稳定性要求一般的分步电路
三、电容的识别方法电容器耐压的标注有一种是采用一个数字和一个字母组合而成
数字表示10的幂指数,字母表示数值,单位是V(伏)
字母ABCDEFGHJKZ耐压值1.01.251.62.02.53.154.05.06.38.09.01J代表6.3*10=63V2G代表4.0*100=400V3A代表1.0*1000=1000V由于电容体积要比电阻大,所以一般都使用直接标称法
如果是10n,那么就是10nF,同样100p就是100pF
如果是4n7就是4.7nF,不标单位的直接表示法:用1~4位数字表示,即指数标识,容量单位为pF,如独石和一些瓷片电容,一般就用指数形式,471就代表47×10^1pF=470pF
瓷片电容也有直接标识容量的,单位就是pF
钽电容,一般直接标识数值,常见单位莡F
(电容数字标识部分由pongo网友补充,在此表示感谢!)色码表示法:沿电容引线方向,用不同的颜色表示不同的数字,第一,二种环表示电容量,第三种颜色表示有效数字后零的个数(单位为pF)颜色意义:黑=0、棕=1、红=2、橙=3、黄=4、绿=5、蓝=6、紫=7、灰=8、白=9
电容的识别:看它上面的标称,一般有标出容量和正负极,比如钽电容上,有白线的一端就是正极,另外像电解电容,就用引脚长短来区别正负极长脚为正,短脚为负
电阻电容序列值电容容值系列
简单的介绍了下瓷片电容,希望能让亲们重新了解高压瓷片电容,瓷谷电子专业制造瓷片电容,安规Y电容30载,为您的安全生活提供有力保障,好质量的瓷片电容请联系瓷谷电子,,24小时热线免费咨询
1nf=1000pf ,所以10nf=10000pf。
在国际单位制里,电容的单位是法拉,简称法,符号是F,由于法拉这个单位太大,所以常用的电容单位有毫法(mF)、微法(μF)、纳法(nF)和皮法(pF)等,换算关系是:
1法拉(F)= 1000毫法(mF)=1000000微法(μF)
1微法(μF)= 1000纳法(nF)= 1000000皮法(pF)。
电容与电池容量的关系:
1伏安时=1瓦时=3600焦耳
W=0.5CUU.
103是电容上的容值标识,它并不是数值的103。业界103的解释为:前两位为有效数,最后位为10的几次方.结果=有效数*10的几次方。
103为:10*10^3=10000。瓷片电容10nf也常称为103瓷片电容。
瓷片电容10nf又分为高压瓷片电容及安规瓷片电容。两都耐压均有区别。
扩展资料:
电容器单位:一般是 微法(uF)、纳法(nF)、皮法(pF)。
由于单位F(法拉)的容量太大,所以我们看到的一般都是μF、nF、pF的单位。
1F = 1000 毫法 = 1000,000μF 微法;
1μF = 1,000nF = 1000,000pF;
1nF(纳法)=1000pF(皮法) ;
10nf=10000pF;
因此,瓷片电容10nf=10000pF,用103标识,但不能说103PF。
参考资料来源:百度百科——电容器
瓷片电容(ceramiccapacitor)是一种用陶瓷材料作介质,在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜,再经高温烧结后作为电极而成的电容器。通常用于高稳定振荡回路中,作为回路、旁路电容器及垫整电容器。
优点:稳定,绝缘性好,耐高压 缺点:容量比较小
贴片电容全称为:多层(积层,叠层)片式陶瓷电容器,也称为贴片电容,片容。英文全称:Multi-layerceramiccapacitors。英文缩写:MLCC。
贴片电容的分类:
1、NPO电容器
2、 X7R电容器
3、 Z5U电容器
4、 Y5V电容器
区别:NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同,随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。
1、高压陶瓷电容,一般耐压1KV以上的。
2、中压陶瓷电容,一般指100-1KV的。
3、低压陶瓷电容,一般指100V以下的。
至于型号:就和普通电容一样,基本的容值都有。1p-104pf里都有。
通常情况下,100uF的贴片陶瓷电容会比同样规格的钽电容还要贵,所以如果需要再大的容值,比如220uF,470uF等等,一般都是直接选用钽电容。
一般来说贴片陶瓷电容最大容值是100uF,尺寸有1210,1812等规格。。---------%易%容%网。
钽电容寿命长、耐高温、准确度高、滤高频谐波性能极好,即便是同等价格前提下,也是优于贴片陶瓷电容的选择。
X7
R,X5R,Y5U,Y5V是另一个等级的,
前者等级的容量稳定性很好,基本不随温度,电压,时间等变化而变化,但是一般容量都很小。而后者等级的瓷介电容容量稳定性很差,随着温度,电压,时间变化幅度较大,所以一般用在对容量稳定性要求不高的场合。
瓷片电容通常不使用在于脉冲电路中,因为这种电容比较容易被脉冲电压挤坏,虽然比较容易被脉冲电压挤坏,但是他的稳定性相对其它电容来说还是高的,并且瓷片电容还具有很强的耐高温性质和绝缘性质。瓷片电容优点很多,但是缺点还是有的,那就是容量不能做的很大,这在当下大家都追求高容量的情况下是一个很大的缺点,但是已经有很多改进的方法来让陶瓷电容也能做到比较大的容量同时体积比较小。
瓷片电容是一种用陶瓷作为介质的电容器,它和其它的金属电容相比具有高度的稳定性,特别是在震荡回路中这种稳定性甚为明显。瓷片电容分两种,一种具有高频瓷介,一种就是低频瓷介的。高频瓷介的电容器一般是用于工作频率较高的状态,低频瓷介则相反应用于频率较低的环境,用作对稳定性不高的场合。
陶瓷电容器(ceramic capacitor;ceramic condenser )又称为瓷介电容器或独石电容器。顾名思义,瓷介电容器就是介质材料为陶瓷的电容器。根据陶瓷材料的不同,可以分为低频陶瓷电容器和高频陶瓷电容器两类。按结构形式分类,又可分为圆片状电容器、管状电容器、矩形电容器、片状电容器、穿心电容器等多种。
高压陶瓷电容器
(一)概述
随着电子工业的高速发展,迫切要求开发击穿电压高、损耗小、体积小、可靠性高的高压陶瓷电容器。近20多年来,国内外研制成功的高压陶瓷电容器已经广泛应用于电力系统、激光电源、磁带录像机、彩电、电子显微镜、复印机、办公自动化设备、宇航、导弹、航海等方面。
高压陶瓷电容器的瓷料主要有钛酸钡基和钛酸锶基两大类。
钛酸钡基陶瓷材料具有介电系数高、交流耐压特性较好的优点,但也有电容变化率随介质温度升高、绝缘电阻下降等缺点。
钛酸锶晶体的居里温度为-250℃,在常温下为立方晶系钙钛矿结构,是顺电体,不存在自发极化现象,在高电压下钛酸锶基陶瓷材料的介电系数变化小,tgδ及电容变化率小,这些优点使其作为高压电容器介质是十分有利的。
(二)制造工艺要点
(1)原料要精选
影响高压陶瓷电容器质量的因素,除瓷料组成外,优化工艺制造、严格工艺条件是非常重要的。因此,对原料既要考虑成本又要注意纯度,选择工业纯原料时,必须注意原料的适用性。
(2)熔块的制备
熔块的制备质量对瓷料的球磨细度和烧成有很大的影响,如熔块合成温度偏低,则合成不充分。对后续工艺不利。如合成料中残存Ca2+,会阻碍轧膜工艺的进行:如合成温度偏高,使熔块过硬,会影响球磨效率:研磨介质的杂质引入,会降低粉料活性,导致瓷件烧成温度提高。
(3)成型工艺
成型时要防止厚度方向压力不均,坯体闭口气孔过多,若有较大气孔或层裂产生,会影响瓷体的抗电强度。
(4)烧成工艺
应严格控制烧成制度,采取性能优良的控温设备及导热性良好的窑具。
(5)包封
包封料的选择、包封工艺的控制以及瓷件表面的清洁处理等对电容器的特性影响很大。冈此,必须选择抗潮性好,与瓷体表面密切结合的、抗电强度高的包封料。目前,大多选择环氧树脂,少数产品也有选用酚醛脂进行包封的。还有采取先绝缘漆涂覆,再用酚醛树脂包封方法的,这对降低成本有一定意义。大规模生产线上多采用粉末包封技术。
为提高陶瓷电容器的击穿电压,在电极与介质表面交界边缘四周涂覆一层玻璃釉,可有效地提高电视机等高压电路中使用的陶瓷电容器的耐压和高温负荷性能,如涂有一种硼硅酸铅玻璃釉,可使该电容器在直流电场下的;蕾穿电压提高1.4倍;在交流电场下的击穿电压提高1.3倍。 [2]
多层陶瓷电容器
多层陶瓷电容器(Multilayer Ceramic Capacitor,MLCC)是片式元件中应用最广泛的一类,它是将内电极材料与陶瓷坯体以多层交替并联叠合,并共烧成一个整体,又称片式独石电容器,具有小尺寸、高比容、高精度的特点,可贴装于印制电路板(PCB)、混合集成电路(HIC)基片,有效地缩小电子信息终端产品(尤其是便携式产品)的体积和重量,提高产品可靠性。顺应了IT产业小型化、轻量化、高性能、多功能的发展方向,国家2010年远景目标纲要中明确提出将表面贴装元器件等新型元器件作为电子工业的发展重点。它不仅封装简单、密封性好,而且能有效地隔离异性电极。MLCC在电子线路中可以起到存储电荷、阻断直流、滤波、祸合、区分不同频率及使电路调谐等作用。在高频开关电源、计算机网络电源和移动通信设备中可部分取代有机薄膜电容器和电解电容器,并大大提高高频开关电源的滤波性能和抗干扰性能。
1.小型化
对于便携式摄录机、手机等袖珍型电子产品,需要更加小型化的MLCC产品。另一方面,由于精密印刷电极和叠层工艺的进步,超小型MLCC产品也逐步面世和取得应用。以日本矩形MLCC的发展为例,外形尺寸已经从20世纪80年代前期的3216减小到现在的0603。国内企业生产的MLCC主流产品是0603型,已突破了0402型MLCC大规模生产的技术难关。0201型MLCC已研制出样品,产业化技术以及国内市场需求均处于发育成熟阶段,目前最小的020l型MLCC长边甚至不到500 μm。 [3]
2.低成本化——贱金属内电极MLCC
传统的MLCC由于采用昂贵的钯电极或钯银合金电极,其制造成本的70%被电极材料占去。包括高压MLCC在内的新一代MLCC,采用了便宜的贱金属材料镍、铜作电极,大大降低了MLCC的成本。但是贱金属内电极MLCC需要在较低的氧分压下烧结以保证电极材料的导电性,而过低的氧分压会带来介质瓷料的半导化倾向,不利于元件的绝缘性和可靠性。村田制作所先后开发出几种抗还原瓷料,在还原气氛下烧结,制成的电容器的可靠性可与原先使用贵金属电极的电容器相媲美,这类电容器一面世便很快进入市场。目前,贱金属化的Y5V组别电容器的销量已占该组别MLCC的一半左右,另外正在寻求扩大贱金属电极在其他组别电容器上的应用。
我国在这方面也有显著进展。清华大学与元器件厂商合作用化学方法制备高纯钛酸钡纳米粉(20~100 nm),通过受主掺杂和双稀土掺杂构建“核一壳”结构来提高材料高温抗还原性和实现温度稳定特性,研制出一系列具有自主知识产权的温度稳定型高性能纳米/亚微米晶抗还原钛酸钡瓷料,所研制的材料配方组成、制备方法具有独创性,材料综合性能居国际领先水平。其中高性能X7R(0302)贱金属内电极MLCC瓷料室温相对介电常数高达3 000,陶瓷晶粒尺寸小于300 nm,容温变化率小于±12%,介电损耗小于2.5×10-2,绝缘电阻率约为1013 Ω·cm。MLCC击穿场强大于70 MV/m。已制备出超薄层贱金属内电极MLCC产品,陶瓷介质单层厚度约为3 μm。
3.大容量化、高频化
一方面,伴随半导体器件低压驱动和低功耗化,集成电路的工作电压已由5 V降低到3 V和1.5 V;另一方面,电源小型化需要小型、大容量产品以替代体积大的铝电解电容器。为了满足这类低压大容量MLCC的开发与应用,在材料方面,已开发出相对介电常数比BaTiO3高1~2倍的弛豫类高介材料。在开发新产品过程中,同时发展了三种关键技术,即制取超薄生片粉料分散技术、改善生片成膜技术和内电极与陶瓷生片收缩率相匹配技术。最近日本的松下电子组件公司成功研制出电容量最大为100μF,最高耐压为25 V的大容量MLCC,该产品可用于液晶显示器(LCD)的电源线路。
通信产业的快速发展对元器件的频率要求越来越高。美国Vishay公司推出的Cer—F系列MLCC的高频特性可以与薄膜电容器相媲美,在高频段的某些应用中可以替代薄膜电容器。而我国高频、超高频MLCC产品与国外仍有一定的差距,主要原因是缺乏基础原料及其配方的研发力度。随着技术不断更新,现已不断涌现出了低失真率和冲击噪声小的产品、高频宽温长寿命产品、高安全性产品以及高可靠低成本产品。 [3]
陶瓷电容器介质
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陶瓷材料具有优越的电学、力学、热学等性质,可用作电容器介质、电路基板及封装材料等。
陶瓷材料的微观结构
陶瓷材料是由氧化物或其他化合物制成坯体后,在接近熔融的温度下,经高温焙烧制得的材料。通常包括原料粉碎、浆料制备、坯件成型和高温烧结等重要过程。陶瓷是一个复杂的多晶多相系统,一般由结晶相、玻璃相、气相及相界交织而成,这些相的特征、组成、相对含量及其分布情况,决定着整个陶瓷的基本性质。
陶瓷中的晶相通常指那些大小不同、形状不一、取向随机的晶粒,晶粒的直径通常为几微米至几十微米。晶相可以同属一种化合物或一种晶系,也可以是不同化合物或不同晶系。陶声中若存在两种以上组成和结构互不相同的晶粒时,则称其为多晶相陶瓷,其中相对含量最多产品相称为主晶相,其他的称为副品相。其中主晶相的性能基本上决定了材料的性能,如相对f电常数、电导率、损耗及热膨胀系数等。所以,要获得性能良好的陶瓷,就必须选择适当的:晶相。此外,还应考虑晶粒的大小、均匀程度、晶粒取向、晶界形成及杂质分布等情况。
晶粒间界是指两个晶粒之间的过渡区,在这个过渡区内,品格结构的完整性或化学成分与晶粒体内有显著的区别。在晶粒间界上通常聚集着大量的位错、热缺陷与杂质缺陷,因而对陶瓷材料的力学性能和电学性能有重大影响。
气相一般分布于晶界、重结晶晶体内和玻璃相中,它是陶瓷组织结构中很难避免的一部分。其来源于烧成过程中各个晶粒之间不可能实现完全紧密的镶嵌,玻璃相也不可能完全填充各个晶粒的空隙;也可能是由于坯料烧结时释放出气体而形成的气孔。气相会严重地影响陶瓷材料的电学性能、力学性能和热学性能。一般希望陶瓷中气相的含量越少越好。
陶瓷的微观结构决定了材料的一系列力学性能和电学性能。一致的晶粒组成,微细晶粒的均匀分布及致密的烧结体,可使陶瓷的机械强度和介电性能达到预期的结果。
按结构可分为:固定电容,可变电容,微调电容。
按介质材料可分为:气体介质电容,液体介质电容,无机固体介质电容,有机固体介质电容电解电容。
按极性分为:有极性电容和无极性电容。 我们最常见到的就是电解电容。
电容在电路中具有隔断直流电,通过交流电的作用,因此常用于级间耦合、滤波、去耦、旁路及信号调谐
五、电容的种类
电容的种类有很多,可以从原理上分为:无极性可变电容、无极性固定电容、有极性电容等,从材料上可以分为:CBB电容(聚乙烯),涤纶电容、瓷片电容、云母电容、独石电容、电解电容、钽电容等。下面是各种电容的优缺点:
无感CBB电容
2层聚丙乙烯塑料和2层金属箔交替夹杂然后捆绑而成。
无感,高频特性好,体积较小
不适合做大容量,价格比较高,耐热性能较差。
CBB电容
2层聚乙烯塑料和2层金属箔交替夹杂然后捆绑而成。
有感,其他同上。
瓷片电容
薄瓷片两面渡金属膜银而成。
体积小,耐压高,价格低,频率高(有一种是高频电容)
易碎!容量低
云母电容
云母片上镀两层金属薄膜
容易生产,技术含量低。
体积大,容量小,(几乎没有用了)
独石电容
体积比CBB更小,其他同CBB,有感
电解电容
两片铝带和两层绝缘膜相互层叠,转捆后浸泡在电解液(含酸性的合成溶液)中。
容量大。
高频特性不好。
钽电容
用金属钽作为正极,在电解质外喷上金属作为负极。
稳定性好,容量大,高频特性好。
造价高。(一般用于关键地方)
六、电容的标称及识别方法
1. 由于电容体积要比电阻大,所以一般都使用直接标称法。如果数字是0.001,那它代表的是0.001uF=1nF,如果是10n,那么就是10nF,同样100p就是100pF。
2. 不标单位的直接表示法:用1~4位数字表示,容量单位为pF,如350为350pF,3为3pF,0.5为0.5pF
3. 色码表示法:沿电容引线方向,用不同的颜色表示不同的数字,第一,
二种环表示电容量,第三种颜色表示有效数字后零的个数(单位为pF)
颜色意义:黑=0、棕=1、红=2、橙=3、黄=4、绿=5、蓝=6、紫=7、灰=8、白=9。
瓷片电容分为高频瓷片电容和低频瓷片电容。高频瓷片电容体积小、稳定性高、高频特性好、损耗小(tgδ<0.0015)、绝缘强度高、结构简单、还可以做成不同温度特性的电容。高频瓷片电容主要用于电子设备中的高频电路和高频高压电路。低频瓷片电容体积小、容量大的优点,但是稳定性差、损耗角较大,主要用于低频旁路、隔直、以及滤波电路。
常见瓷片电容分高频和低频的两种,怎么区分,有的瓷片电容上有一个黑点或蓝点或红点,有的没有,可以这样理解:有点的是高频瓷片(CC),比没有点的稍贵点;而没有点的是低频瓷片,也就是CT;瓷片电容一般耐压是63v,一般情况下是不标注的,如果是标出的如104 400v其耐压就是400v,104 是电容的容量为0.1uF.