地板上的瓷砖被砸出一个洞，请问要怎么修补？
如果阳台、卫生间以及厨房都事先铺上瓷砖产品的话，那么您日后想要在上面钻孔的话就会比较麻烦了。因为瓷砖都是比较脆的，一不小心就会将其打烂了。那该怎样做呢？
1、第一要做的就是先用相机拍下水电的位置，以防钻到电线以及水管。然后就用铅笔将需要钻孔的地方标记后，然后贴上一些胶带。
2、切记不能使用铁钉，要使用样冲或者是钢钉，首先用榔头和样冲在刚刚标记的地方打一个小小的洞，这样能够避免砖头碰到瓷砖后会打滑。而我们刚刚所贴上的胶布是用来防止不小心钻破的。
3、用装上冲击锤的冲击钻垂直对准先前钻好的小孔，开始时不要用力过猛，等穿透了瓷砖以后就可以用力一点往深打。。
4、打好了孔以后，就可以安装膨胀管，然后就将所要安装的架子都固定上去。
虽然上面是比较常用的一种钻孔办法，但是如果瓷砖是比较脆弱的话，其还是很容易就被打裂的，在这里有三个技巧可提供给大家：
（1）钻孔时，选择瓷砖的交界处会更好，这样瓷砖不易裂开，最好是两块瓷砖的交界处。
（2）有些瓷砖中间的部分是空鼓的，因此，切记莫在空鼓的地方，这样很容易开裂的。
（3）因为墙砖的吸水性比较高，在钻孔时大家可以不断地往墙砖泼水，这一瓷砖就比较不容易开裂了。
除了以上方法，还有一种网友介绍的方法就是先在木板上用玻璃钻头钻好孔，这样可以定住瓷砖了。
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安规电容器，一般有两大类材质－－薄膜材料和陶瓷材料；
薄膜材料－－聚酯膜PET和聚丙烯膜PP；
陶瓷材料的安规电容器，其外形大多是圆形瓷片，多为Y电容；
聚酯膜和聚丙烯安规电容器，大多是方形盒式，X、Y都有。
瓷介电容可分为低压低功率和高压高功率，在低压低功率中又可分为I型（CC型）和II型（CT型）。
I型（CC型）特点是体积小， 损耗低，电容对频率，温度稳定性都较高，常用于高频电路。
II型（CT型）特点是体积小，损耗大，电容对温度频率，稳定性都较差，常用于低频电路。
CC1型圆片高频瓷介电容
适用于谐振回路及其他电路做温度补偿，耦合，隔直使用。损耗：《0.025绝缘电阻：10000mohm 试验电压：200v
允许偏差：5p(+-0.5p) 6-10p(+-1P) 10p以上（J,K,M）温度系数：-150--- -1000PPM/C环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C时达96%
CT1型圆形瓷片低频电容：
环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C时达96%工作电压50V电容范围和允差：101—472 （+-10%） 472-403（+80-- -20%）
CC01圆形瓷片电容：
环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C时达96% 大气压力750+-30mmhg允许偏差：5p(+-0.5p) 6-10p(+-1P) 10p以上（J,K,M）
温度系数：1—4P +120(+-60)PPM 4—56P –47(+-60)PPM
56—180P –750(+-250)PPM
180—390P –1300(+-250)PPM
430—820P –3300(+-500)PPM
CT01圆形瓷片电容：
环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C时达96% 大气压力750+-30mmhg损耗《0.05绝缘电阻：1000mohm
允差：+80 -20%容量：1000-47000p
工作电压：63v 试验电压：200v CC10 超高频瓷介电容
可用于《500MHZ下，环境温度：-55—85C 相对湿度：+40C时达98% 压力33mmhg 震动强度：加速度10g 冲击：加速度25g 离心：加速度15g
允差：k容量：1-47p工作电压：500v
CC11,CT11园片无引线瓷片电容
该电容特为高频头设计，频率特性好。
CC11直流电压：250V标称容量：3—39P损耗：《0.0015 绝缘》10000mohm
CT11直流电压：160V标称容量：240—1500 绝缘》2500mohm
CT82,CC82高压高功率瓷片电容：
环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C时达98%大气 压力40000PA 震动：加速度15g 冲击：加速度15g额定电压：1—4kv 试验电压：2.5—8kv允差：K,M
独石瓷介电容器：
CC4D独石瓷介电容器
环境温度：-55—85C 相对湿度：+40C时达98% 大气压力666.6PA损耗《15*10(-4)容量：100-100000p工作电压：40v 试验电压：120v
CT4D独石瓷介电容器
环境温度：-55—85C 相对湿度：+40C时达98% 大气压力1000PA损耗《0.035容量：0.033-2.2uf工作电压：40v-100v 试验电压：3UW允差：+80-20%
CC2,CT2管形瓷介电容器
与片形瓷介电容相比，机械强度高，用作旁路时内电极屏蔽性能好，用在高频电阻杂散耦合好，缺点是固有谐振频率低，制造工艺复杂，产量低。
CT2 损耗《0.04绝缘电阻<1000mohm 试验电压：480v
使用条件：-55—85c相对湿度：40C时达98% CC3,CCTD型叠片瓷介电容器CCTF型方形叠片瓷片电容器
CC3损耗《0.0015 容量：33-1000P 允差：K,M 工作电压：100V
CCTD损耗《0.035 容量：470-33000P 允差：+80-20% 工作电压：250V
CCTF损耗《0.04 容量：10000-47000P 允差：+80-20% 工作电压：160V
CC53,CC52,CT53,CT52穿心式瓷介电容
该类电容使用于VHF,UHF调谐器和其他无线电设备中做高低频旁路滤波用。
CC52E-1C 容量：2-33P工作电压：63V 绝缘电阻：10000mohm损耗：《0.0015
CC53-2C 容量：1000-1500P工作电压：160V 绝缘电阻：1000mohm损耗《0.035
CT87鼓形高压低频瓷介电容器,该电容主要使用于电子设备的脉冲电路。CC87-1 容量：470P工作电压：10KV 绝缘电阻：10000mohm
CCG81型板形高功率瓷介电容：使用于大功率高频电子设备中。容量：1000P 工作电压20KV(高频15KV) 额定无功功率：100KVA最大电流：25A 最大重量：1.3KG
所谓片式多层瓷介电容器(MLCC)---简称片式电容器,是由印好电极（内电极）的陶瓷介质膜片以错位的方式叠合起来，经过一次性高温烧结形成陶瓷芯片，再在芯片的两端封上金属层（外电极），从而形成一个类似独石的结构体，故也叫独石电容器。
片式电容器除有电容器 “隔直通交”的通性特点外，其还有体积小，比容大，寿命长，可靠性高，适合表面安装等特点。随着世界电子行业的飞速发展，作为电子行业的基础元件，片式电容器也以惊人的速度向前发展，每年以10%～15%的速度递增。目前，世界片式电容的需求量在 2000亿支以上，70%出自日本，其次是欧美和东南亚（含中国）。随着片容产品可靠性和集成度的提高，其使用的范围越来越广，广泛地应用于各种军民用电子整机和电子设备。如电脑、电话、程控交换机、精密的测试仪器、雷达通信等。
瓷片电容电容量一般为几PF 到几千PF.
容量小，频率高，常用于高频放大电路中。（以前分立元件的收音机，电视机中常见）
Al2O3陶瓷：氧化铝含量高，结构比较致密，具有特殊的性能，故称为特种陶瓷。Al2O3.陶瓷材料是以氧离子构成的密排六方结构，而铝离子填充于三分之二的八面体间隙中，这是与天然刚玉相同稳定的α- Al2O3结构，因此陶瓷具有高熔点、高硬度，具有优良的耐磨性能。陶瓷贴片硬度≥HRA85，仅次于金刚石的硬度，而且表面光滑摩擦系数小，耐磨性能十分理想，尤其是在高温氧化性介质或腐蚀介质中，陶瓷贴片的材料较之其它金属材料性能优越得多。
耐磨弯头陶瓷片
氧化铝陶瓷片
耐磨陶瓷片
