这是什么电容

陶瓷电容：陶瓷电容用高介电常数的电容器陶瓷〈钛钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成

它又分高频瓷介和低频瓷介两种

具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器

低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉

这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿

二者联系和区别：瓷片电容的高频特性好，但电容值最大只能做到0.1uF

瓷片电容也属于陶瓷电容的一种

瓷片电容的在识别上与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种

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1、材质不同

陶瓷电容无极性，电解电容有极性。

2、容量不同

陶瓷电容的容量一般较小，电解电容的容值可以做得很大。

3、用途不同

陶资电容一般用于信号源滤波，而电解电容一般用于电源部分。

作用：

电解电容器广泛应用于家用电器和各种电子产品中，其容量范围较大，一般为1~33000μF，额定工作电压范围为6.3~700V。其缺点是介质损耗、容量误差较大（最大允许偏差为+100%、-20%），耐高温性较差，存放时间长容易失效。

陶瓷电容高频特性好，多用于高频电路。瓷片电容可滤除高频纹波，故可用作高通滤波。瓷片电容可用于纯交流电路。

参考资料来源：百度百科-陶瓷电容

参考资料来源：百度百科-电解电容

　瓷片电容分为高频瓷片电容和低频瓷片电容。高频瓷片电容体积小、稳定性高、高频特性好、损耗小（tgδ<0.0015）、绝缘强度高、结构简单、还可以做成不同温度特性的电容。高频瓷片电容主要用于电子设备中的高频电路和高频高压电路。低频瓷片电容体积小、容量大的优点，但是稳定性差、损耗角较大，主要用于低频旁路、隔直、以及滤波电路。

常见瓷片电容分高频和低频的两种，怎么区分，有的瓷片电容上有一个黑点或蓝点或红点，有的没有，可以这样理解：有点的是高频瓷片（CC），比没有点的稍贵点；而没有点的是低频瓷片，也就是CT；瓷片电容一般耐压是63v，一般情况下是不标注的，如果是标出的如104 400v其耐压就是400v，104 是电容的容量为0.1uF.

高压陶瓷电容具有耐磨直流高压的特点，适用于高压旁路和耦合电路中，其中的低耗损高压圆片具有较低的介质损耗，特别适合在电视接收机和扫描等电路中使用。

高压瓷片电容只要针对于高频，高压瓷片电容取决于使用在什么场合，典型作用可以消除高频干扰。

在大功率、高压领域使用的高压陶瓷电容器，要求具有小型、高耐压和频率特性好等特点。近年来随着材料、电极和制造技术的进步，高压陶瓷电容器的发展有长足的进展，并取得广泛应用。高压陶瓷电容器已成为大功率高压电子产品不可缺少的元件之一。高压陶瓷电容这我推荐JEC智旭电子，品质管控、环境外部影响、工程专业度等都做得很到位。 

高压瓷片电容，即使用在电力系统中的高压陶瓷电容器，它的作用除了计量以外还有一个重要的作用就是储能，所以是能存电的。

高压瓷片电容器，就是以陶瓷材料为介质的电容器，主要的特点就是耐压高，2KV、3KV电压很常见，常用于高压场合。

如22P电容就是220 104=0.1uf 225=2.2uf 334=0.33uf 222=0.22nf

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瓷介电容可分为低压低功率和高压高功率，在低压低功率中又可分为I型（CC型）和II型（CT型）。

I型（CC型）特点是体积小， 损耗低，电容对频率，温度稳定性都较高，常用于高频电路。

II型（CT型）特点是体积小，损耗大，电容对温度频率，稳定性都较差，常用于低频电路。

CC1型圆片高频瓷介电容

适用于谐振回路及其他电路做温度补偿，耦合，隔直使用。损耗：《0.025绝缘电阻：10000mohm 试验电压：200v

允许偏差：5p(+-0.5p) 6-10p(+-1P) 10p以上（J,K,M）温度系数：-150--- -1000PPM/C环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C时达96%

CT1型圆形瓷片低频电容：

环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C时达96%工作电压50V电容范围和允差：101—472 （+-10%） 472-403（+80-- -20%）

CC01圆形瓷片电容：

环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C时达96% 大气压力750+-30mmhg允许偏差：5p(+-0.5p) 6-10p(+-1P) 10p以上（J,K,M）

温度系数：1—4P +120(+-60)PPM 4—56P –47(+-60)PPM

56—180P –750(+-250)PPM

180—390P –1300(+-250)PPM

430—820P –3300(+-500)PPM

CT01圆形瓷片电容：

环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C时达96% 大气压力750+-30mmhg损耗《0.05绝缘电阻：1000mohm

允差：+80 -20%容量：1000-47000p

工作电压：63v 试验电压：200v CC10 超高频瓷介电容

可用于《500MHZ下，环境温度：-55—85C 相对湿度：+40C时达98% 压力33mmhg 震动强度：加速度10g 冲击：加速度25g 离心：加速度15g

允差：k容量：1-47p工作电压：500v

CC11,CT11园片无引线瓷片电容

该电容特为高频头设计，频率特性好。

CC11直流电压：250V标称容量：3—39P损耗：《0.0015 绝缘》10000mohm

CT11直流电压：160V标称容量：240—1500 绝缘》2500mohm

CT82,CC82高压高功率瓷片电容：

环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C时达98%大气 压力40000PA 震动：加速度15g 冲击：加速度15g额定电压：1—4kv 试验电压：2.5—8kv允差：K,M

独石瓷介电容器：

CC4D独石瓷介电容器

环境温度：-55—85C 相对湿度：+40C时达98% 大气压力666.6PA损耗《15*10(-4)容量：100-100000p工作电压：40v 试验电压：120v

CT4D独石瓷介电容器

环境温度：-55—85C 相对湿度：+40C时达98% 大气压力1000PA损耗《0.035容量：0.033-2.2uf工作电压：40v-100v 试验电压：3UW允差：+80-20%

CC2,CT2管形瓷介电容器

与片形瓷介电容相比，机械强度高，用作旁路时内电极屏蔽性能好，用在高频电阻杂散耦合好，缺点是固有谐振频率低，制造工艺复杂，产量低。

CT2 损耗《0.04绝缘电阻<1000mohm 试验电压：480v

使用条件：-55—85c相对湿度：40C时达98% CC3,CCTD型叠片瓷介电容器CCTF型方形叠片瓷片电容器

CC3损耗《0.0015 容量：33-1000P 允差：K,M 工作电压：100V

CCTD损耗《0.035 容量：470-33000P 允差：+80-20% 工作电压：250V

CCTF损耗《0.04 容量：10000-47000P 允差：+80-20% 工作电压：160V

CC53,CC52,CT53,CT52穿心式瓷介电容

该类电容使用于VHF,UHF调谐器和其他无线电设备中做高低频旁路滤波用。

CC52E-1C 容量：2-33P工作电压：63V 绝缘电阻：10000mohm损耗：《0.0015

CC53-2C 容量：1000-1500P工作电压：160V 绝缘电阻：1000mohm损耗《0.035

CT87鼓形高压低频瓷介电容器,该电容主要使用于电子设备的脉冲电路。CC87-1 容量：470P工作电压：10KV 绝缘电阻：10000mohm

CCG81型板形高功率瓷介电容：使用于大功率高频电子设备中。容量：1000P 工作电压20KV(高频15KV) 额定无功功率：100KVA最大电流：25A 最大重量：1.3KG