221瓷片电容可以用什么代替
1、221瓷片电容可以用220p瓷片电容代替。
2、瓷片电容(ceramiccapacitor)是一种用陶瓷材料作介质,在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜,再经高温烧结后作为电极而成的电容器。通常用于高稳定振荡回路中,作为回路、旁路电容器及垫整电容器。
3、瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器,用于高稳定振荡回路中,作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用,或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿。
电容221K和221的区别就是电容的容量精度范围不同。221是指电容的容量为220pF(皮法),K是指容量精度范围为±10%。
瓷片电容221k的容量是221=220pF,瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器,用于高稳定振荡回路中,作为回路电容器及垫整电容器。
瓷片电容(ceramic capacitor)是一种用陶瓷材料作介质,在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜,再经高温烧结后作为电极而成的电容器。通常用于高稳定振荡回路中,作为回路、旁路电容器及垫整电容器。
电容
电容(Capacitance)亦称作“电容量”,是指在给定电位差下自由电荷的储藏量,记为C,国际单位是法拉(F)。一般来说,电荷在电场中会受力而移动,当导体之间有了介质,则阻碍了电荷移动而使得电荷累积在导体上,造成电荷的累积储存,储存的电荷量则称为电容。
电容是指容纳电荷的能力。任何静电场都是由许多个电容组成,有静电场就有电容,电容是用静电场描述的。一般认为:孤立导体与无穷远处构成电容,导体接地等效于接到无穷远处,并与大地连接成整体。
电容(或称电容量)是表现电容器容纳电荷本领的物理量。电容从物理学上讲,它是一种静态电荷存储介质,可能电荷会永久存在,这是它的特征,它的用途较广,它是电子、电力领域中不可缺少的电子元件。主要用于电源滤波、信号滤波、信号耦合、谐振、滤波、补偿、充放电、储能、隔直流等电路中。
温度补偿型NPO(COG)是Ⅰ类瓷片电容;X7R;X5R;Y5U;Y5V是Ⅱ类瓷片电容Ⅰ类瓷片电容特点是容量稳定性好,基本不随温度;电压;时间的变化而变化,容量也比较小
NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器
它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的
NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一
在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃,电容量随频率的变化小于±0.3ΔC
NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%,相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的
其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%
NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同,大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好
应用在电容稳定性有要求的场合
Ⅱ类瓷片电容特点是容量稳定相对较差,但是容量相对也大些
X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器
当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%,需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的
X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的,它也随时间的变化而变化,大约每10年变化1%ΔC,表现为10年变化了约5%
X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用,而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下
它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大
Y5V瓷片电容是有一定温度限制的通用电容器,在工作温度-30℃到85℃范围内其容量变化为+22%到-82%、介质损耗为5%
Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达100μF的电容器
Y5V瓷片电容适合用于去耦、平滑用
可以的,不过建议从实际情况下代替,电压是不是真的非要达到3KV要求?如是直接用Y5P-221K/3KV,如不需要达到3KV电压1KV电压可以正常使用的话就不用替代,回为3KV的成本比1KV高出。
坏了还是用220PF的瓷片代替为好,用其他数值会改变电路参数 ,影响电路工作状态
你好:
——★1、瓷片电容器的容量较小,都是以 PF 为单位的,最后的数字,为 0 的个数。
——★2、“221K2KV” 中,221 代表容量:22 后面加 1 个 0 ,即 220 P 。
——★3、“332J1600V” ,332 就是容量:33 后面加 2 个 0 ,为 3300 P 。
例如: 代号 静电容量
R50 0.5pF
1R0 1.0pF
100 10pF
103 10000pF
所以 电容221表示22后面0的个数是1个,即为220pF
电容102表示10后面的0的个数是1个,即为1000pF