陶瓷电容器0805封装是什么规格

瓷片电容技术的发展历程：1900年意大利L.隆巴迪发明陶瓷介质电容；30年代末人们发现在陶瓷中添加钛酸盐可使介电常数成倍增长，因而制造出较便宜的瓷介质电容；1940年前后人们发现了现在的瓷片电容技术参数的主要原材料BaTiO3(钛酸钡)具有绝缘性后，开始将瓷片电容技术参数使用于对既小型、精度要求又极高的军事用电子设备当中

1960年左右陶瓷叠片电容作为商品开始开发

1970年，随着混合IC、计算机、以及便携电子设备的进步也随之迅速的发展起来，瓷片电容成为电子设备中不可缺少的零部件，而其中技术参数也是学者们研究的重点

现在的陶瓷介质电容的全部数量约占电容市场的70%左右

因为陶瓷介质电容的绝缘体材料主要使用陶瓷，其基本构造是将陶瓷和内部电极交相重叠

陶瓷材料有几个种类

自从考虑电子产品无害化特别是无铅化后，高介电系数的PB（铅）退出瓷片电容技术参数领域，现在主要使用TiO2(二氧化钛)、BaTiO3,CaZrO3(锆酸钙)等

和其它的电容相比具有体积小、容量大、耐热性好、适合批量生产、价格低等优点

由于原材料丰富，结构简单，价格低廉，而且电容量范围较宽（一般有几个PF到上百μF），损耗较小，电容量温度系数可根据要求在很大范围内调整

瓷片电容技术参数品种繁多，外形尺寸相差甚大从0402（约1×0.5mm）封装的贴片电容到大型的功率瓷片电容

按使用的介质材料特性可分为Ⅰ型、Ⅱ型和半导体瓷片电容；按无功功率大小可分为低功率、高功率瓷片电容；按工作电压可分为低压和高压瓷片电容；按结构形状可分为圆片形、管型、鼓形、瓶形、筒形、板形、叠片、独石、块状、支柱式、穿心式等

瓷片电容的分类：瓷片电容技术参数从介质类型主要可以分为两类，即Ⅰ类瓷片电容技术参数和Ⅱ类瓷片电容技术参数

Ⅰ类瓷片电容技术参数（ClassⅠceramiccapacitor），过去称高频瓷片电容技术参数（High-freqencyceramiccapacitor），是指用介质损耗小、绝缘电阻高、介电常数随温度呈线性变化的陶瓷介质制造的电容

它特别适用于谐振回路，以及其它要求损耗小和电容量稳定的电路，或用于温度补偿

Ⅱ类瓷片电容技术参数（ClassⅡceramiccapacitor）过去称为为低频瓷片电容技术参数（Lowfrequencycermiccapacitor），指用铁电陶瓷作介质的电容，因此也称铁电瓷片电容技术参数

这类电容的比电容大，电容量随温度呈非线性变化，损耗较大，常在电子设备中用于旁路、耦合或用于其它对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中

常见的Ⅱ类瓷片电容技术参数有：X7R、X5R、Y5V、Z5U其中：X7R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字7位最高工作温度+125℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；X5R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；Y5V表示为：第一位Y为最低工作温度-30℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母V为随温度变化的容值偏差+22%，-82%±15%

Z5U表示为：第一位Z为最低工作温度+10℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母U为随温度变化的容值偏差+22%，-56%

高压陶瓷电容一个主要的特点就是耐压高，电压一般大于1KV的电压。高压陶瓷电容常规有2KV、3KV、4KV电压。常用于高压场合。最高的可达30KV的电压。

高压陶瓷电容，以陶瓷材料为介质的圆片形电容器。外壳是陶瓷的，用来绝缘。陶瓷电容封装必须要用环氧树脂进行封装。

如果高压陶瓷电容不用环氧树脂封装，就会让陶瓷电容直接接触空气，这会直接影响到电容器的容量和容抗。陶瓷电容如果接触到空气，其容量就会变低，甚至使得高压陶瓷电容可能会从原本想生产的2000PF的高压陶瓷电容如果没有封装会变成几百PF的电容。另外如果陶瓷电容如果接触空气也会导致其容抗降低，而且随着电阻值和容量越来越小，将会导致陶瓷电容性能尽失。所以高压陶瓷电容生产过程必须要进行封装。以上元器件知识由JEC为您提供。

容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10 μF/16V

容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示

字母表示法：1m=1000 μF 1P2=1.2PF 1n=1000PF

数字表示法：三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。三位数字的前两位数字为标称容量的有效数字，第三位数字表示有效数字后面零的个数，它们的单位都是pF。

如：102表示标称容量为1000pF。

221表示标称容量为220pF。

224表示标称容量为22x10(4)pF。

在这种表示法中有一个特殊情况，就是当第三位数字用"9"表示时，是用有效数字乘上10的-1次方来表示容量大小。

如：229表示标称容量为22x(10-1)pF=2.2pF。

允许误差 ±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20%

如：一瓷片电容为104J表示容量为0.1 μF、误差为±5%

这是0.1微法电容。

有瓷片的，也有聚酯的、和纸介油浸的多种，具体要看用在什么地方，这个大小也不一样的，日本的电容由于材质好，一样容量体积就小的多。

电容104是0.1uF大小的电容，也就是100000pF大小的电容。计算方法是10乘以10的4次方的100000，单位是pF。这种方法为数学计数法。

电容容值单度位转换：1法拉(F)=1000毫法(mF)；1毫法(mF)=1000微法(μF)；1微法(μF)=1000纳法（nF）；1纳法（nF）=1000皮法(pF)；即：1F=1000000μF；1μF=1000000pF。

用三位数字表示电容值时，前两位数是容值有效数字，后一位是10的指数，单位是pF。同样，104，就表示度容值是 10x10^4pF = 10x10^-2μF = 0.1μF。

扩展资料：

电容器既然是一种储存电荷的“容器”，就有“容量”大小的问题。为了衡量电容器储存电荷的能力，确定了电容量这个物理量。

电容器必须在外加电压的作用下才能储存电荷。不同的电容器在电压作用下储存的电荷量也可能不相同。国际上统一规定，给电容器外加1伏特直流电压时，它所能储存的电荷量，为该电容器的电容量（即单位电压下的电量），用字母C表示。

参考资料来源：百度百科-电容器

按照介质不同可分为类I瓷介电容和II类瓷介I电容，通常NP0，SL0，COG是I类瓷介电容，X7R，X5R，Y5p，Y5V是II类瓷介电容，I类瓷介电容容量稳定性很好，基本不随温度，电压，时间等变化而变化，但是一般容量都很小，而II类瓷介电容容量稳定性很差，随着温度，电压，时间变化幅度较大，所以一般用在对容量稳定性要求不高的场合，如滤波等

如何判断陶瓷电容规格例如：30加下滑线，这表示该电容多大？电容是陶瓷圆板电容，容量是30pf，没有标单位的为小单位pf，下滑线代表直流额定电压50v，一般都可以耐压到500v没问题，因为它的的芯片厚度至少都有15条

此容量一般都是k档或J档，温度特性是SL或N750

陶瓷电容器就是用陶瓷作为电介质，在陶瓷基体两面喷涂银层，然后经低温烧成银质薄膜作极板而制成

它的外形以片式居多，也有管形、圆形等形状

1 框架结构：分为原理图元件库和PCB元件库两个库,每个库做为一个单独的设计项目

1.1 依据元器件种类，原理图元件库包括以下16个库：

1.1.1 单片机

1.1.2 集成电路

1.1.3 TTL74系列

1.1.4 COMS系列

1.1.5 二极管、整流器件

1.1.6 晶体管：包括三极管、场效应管等

1.1.7 晶振

1.1.8 电感、变压器件

1.1.9 光电器件：包括发光二极管、数码管等

1.1.10 接插件：包括排针、条型连接器、防水插头插座等

1.1.11 电解电容

1.1.12 钽电容

1.1.13 无极性电容

1.1.14 SMD电阻

1.1.15 其他电阻：包括碳膜电阻、水泥电阻、光敏电阻、压敏电阻等

1.1.16 其他元器件：包括蜂鸣器、电源模块、继电器、电池等

1.2 依据元器件种类及封装，PCB元件封装库包括以下11个库：

1.2.1 集成电路（直插）

1.2.2 集成电路（贴片）

1.2.3 电感

1.2.4 电容

1.2.5 电阻

1.2.6 二极管整流器件

1.2.7 光电器件

1.2.8 接插件

1.2.9 晶体管

1.2.10 晶振

1.2.11 其他元器件

2 PCB元件库命名规则

2.1 集成电路（直插）

用DIP-引脚数量+尾缀来表示双列直插封装

尾缀有N和W两种,用来表示器件的体宽

N为体窄的封装，体宽300mil,引脚间距2.54mm

W为体宽的封装, 体宽600mil,引脚间距2.54mm

如：DIP-16N表示的是体宽300mil,引脚间距2.54mm的16引脚窄体双列直插封装

2.2 集成电路（贴片）

用SO-引脚数量+尾缀表示小外形贴片封装

尾缀有N、M和W三种,用来表示器件的体宽

N为体窄的封装，体宽150mil,引脚间距1.27mm

M为介于N和W之间的封装，体宽208mil,引脚间距1.27mm

W为体宽的封装, 体宽300mil,引脚间距1.27mm

如：SO-16N表示的是体宽150mil，引脚间距1.27mm的16引脚的小外形贴片封装

若SO前面跟M则表示为微形封装，体宽118mil,引脚间距0.65mm

2.3 电阻

2.3.1 SMD贴片电阻命名方法为：封装+R

如：1812R表示封装大小为1812的电阻封装

2.3.2 碳膜电阻命名方法为：R-封装

如：R-AXIAL0.6表示焊盘间距为0.6英寸的电阻封装

2.3.3 水泥电阻命名方法为：R-型号

如：R-SQP5W表示功率为5W的水泥电阻封装

2.4 电容

2.4.1 无极性电容和钽电容命名方法为：封装+C

如：6032C表示封装为6032的电容封装

2.4.2 SMT独石电容命名方法为：RAD+引脚间距

如：RAD0.2表示的是引脚间距为200mil的SMT独石电容封装

2.4.3 电解电容命名方法为：RB+引脚间距/外径

如：RB.2/.4表示引脚间距为200mil, 外径为400mil的电解电容封装

2.5 二极管整流器件

命名方法按照元件实际封装，其中BAT54和1N4148封装为1N4148

2.6 晶体管

命名方法按照元件实际封装，其中SOT-23Q封装的加了Q以区别集成电路的SOT-23封装，另外几个场效应管为了调用元件不致出错用元件名作为封装名

2.7 晶振

HC-49S,HC-49U为表贴封装，AT26,AT38为圆柱封装，数字表规格尺寸

如：AT26表示外径为2mm，长度为8mm的圆柱封装

2.8 电感、变压器件

电感封封装采用TDK公司封装

2.9 光电器件

2.9.1 贴片发光二极管命名方法为封装+D来表示

如：0805D表示封装为0805的发光二极管

2.9.2 直插发光二极管表示为LED-外径

如LED-5表示外径为5mm的直插发光二极管

2.9.3 数码管使用器件自有名称命名

2.10 接插件

2.10.1 SIP+针脚数目+针脚间距来表示单排插针，引脚间距为两种：2mm，2.54mm

如：SIP7-2.54表示针脚间距为2.54mm的7针脚单排插针

2.10.2 DIP+针脚数目+针脚间距来表示双排插针，引脚间距为两种：2mm，2.54mm

如：DIP10-2.54表示针脚间距为2.54mm的10针脚双排插针

2.10.3 其他接插件均按E3命名

2.11 其他元器件

详见《Protel99se元件库清单》

3 SCH元件库命名规则

3.1 单片机、集成电路、二极管、晶体管、光电器件按照器件自有名称命名

3.2 TTL74系列和COMS系列是从网上找的元件库，封装和编码需要在画原理图时重新设定

3.3 电阻

3.3.1 SMD电阻用阻值命名，后缀加-F表示1%精度，如果一种阻值有不同的封装，则在名称后面加上封装

如：3.3-F-1812表示的是精度为1%，封装为1812，阻值为3.3欧的电阻

3.3.2 碳膜电阻命名方法为：CR+功率-阻值

如：CR2W-150表示的是功率为2W，阻值为150欧的碳膜电阻

3.3.3 水泥电阻命名方法为：R+型号-阻值

如：R-SQP5W-100表示的是功率为5W，阻值为100欧的水泥电阻

3.3.4 保险丝命名方法为：FUSE-规格型号，规格型号后面加G则表示保险管

如：FUSE-60V/0.5A表示的是60V,0.5A的保险丝

3.4 电容

3.4.1 无极性电容用容值来命名，如果一种容值有不同的封装，则在容值后面加上封装。

如：0.47UF-0805C表示的是容值为0.47UF，封装为0805C的电容

3.4.2 SMT独石电容命名方法为：容值-PCB封装

如：39PF-RAD0.2表示的是容值为39PF，引脚间距为200mil的SMT独石电容

3.4.3 钽电容命名方法为：容值/耐压值，如果参数相同，只有封装不同，则在耐压值后面加“_封装”

如：220UF/10V表示的是容值为220UF，耐压值为10V的钽电容

3.4.4 电解电容命名方法为：容值/耐压值_E

如：47UF/35V_E表示的是容值为47UF，耐压值为35V的电解电容

3.5 晶振

3.5.1 用振荡频率作为SCH名称

3.6 电感

3.6.1 用电感量作为SCH名称，如果电感量相同，封装不同，则在电感量后面加封装来区分

如：22UH-NLFC3225表示电感量为22UH，封装为NLFC3225的电感

3.7 接插件

3.7.1 SCH命名和PCB命名一致

3.8 其他元器件

3.8.1 命名详见《Protel99se元件库清单》

4 其他需要说明的

4.1 SCH元件库中每一个元件都对应一个元件编码，均和E3编码一致，这样在生成PCB元件清单时，直接生成E3编码

4.2 《Protel99se元件库清单》中如果PCB或SCH其中有一个空缺，则表示元件库中无此PCB封装或SCH原理图

4.3 某些SCH命名可能画原理图时不太方便，调用时可以稍作修改

4.4 并非E3所有电子元器件都列入库内，需要在使用过程中扩充元件库

4.5 有于没有作图经验，建库过程中难免有错误或不合常规之处，还请同仁在使用过程中小心留意，多多指点。