什么是陶瓷清洗剂

陶瓷镜面抛光加工精度的高低直接影响产品的性能,因此在加工过程中,除是要注意保证模具表面镜面效率的完美,还要注意平整度及尺寸的控制.

是企业的重点之重。海德研磨自主研发高精密平面研磨机，专业的工艺研发实验室和10多条研磨抛光加工生产线.。常见的陶瓷材料有氧化铝陶瓷、氧化锆陶瓷、氮化硅陶瓷件、碳化硅陶瓷件、石墨陶瓷件、氮化硼陶瓷等。

利用陶瓷平面抛光机抛光陶瓷的步骤分为粗抛、半精抛和精抛三阶段。

1、粗抛阶段主要借助大粒度磨粒的机械作用将抛光表面的较大凸起快速去除，以实现材料去除率的最大化，缩短抛光时间

2、半精抛阶段采用粒度较小的磨粒将粗加工中未去除的微凸起去除，并获得较好的表面光洁度3

3、精抛阶段则在抛光液和微粉的联合作用下，将抛光表面修正至所需的表面质量要求。

苹果白钢可以抛光两次。

抛光是指利用机械或电化学的作用，使工件表面粗糙度降低，以获得光亮、平整表面的加工方法。

而Iphone的整机以及反光logo则需要更为复杂的抛光工艺。

如此精致的工序

手机结构件经过锻压、冲压、注塑、CNC后，表面纹路很粗，毛刺，脏污等，后面的程序必须经过一些表面处理才能达到ID外观需求。抛光就是一种常用表面处理工艺。

消费者看到的手机是这样子的：

帅吗？

实际上未经表面处理的半成品手机是这样子的：

像个战损版

抛光技术在手机外壳上的应用

苹果各系列产品

手机外壳的舒适度、精美度、纯净度是满足用户新鲜触感的重要体验。

手机外壳主要有金属、陶瓷、塑料、玻璃等材质结构。

我们今天着重于叙述手机金属材料的抛光

在加工的苹果

苹果4S 手机的SUS316不锈钢边框，经过CNC铣制后，表面有明显刀铣纹，在使用传统的抛光加工前，刀铣纹必须先经过砂带平整处理(标准制程: #320-#400-#600), 将刀铣纹磨平整后，才能进行抛光作业，经过改进后的新制程，若直接采用杰利信JacksonLea高效黑色BK化学处理的斜裁麻轮，配以我们特制切削力的抛光浆，再配合八头间歇式圆盘抛光机，其可将砂带平整的制程省略，高效的完成平整亮光的表面，不但产能效率提升100%以上，同时一次良率，也超过97%以上。在完成抛光亮面后，再经过喷砂处理，以达最终的高级缎面效果。

浴火重生

苹果5-苹果6-苹果7手机铝合金外壳，经过CNC精雕成型—研磨处理—高光—本色电镀—遮盖—阳极—退遮成一个完整的手机外壳面板。铝合金镜面抛光是相对比较有难度的，利用手抛是完全无法实现其要求的，平面研磨机镜面抛光的过程主要分为二道工序：第一道，白色抛光皮+氧化铝粗抛液，使表面形成一个亚光面（改：把CNC刀纹去除干净） ；第二道，阻尼布+二氧化硅抛光液，在短短十分钟内达到一个理想的超镜面。

光泽亮丽的后壳

苹果7亮光黑-苹果8 一个较为特殊的工艺磁流变抛光

一次抛光：

经过CNC加工成型之后，苹果7的铝合金部件需要进行第一次抛光，第一次抛光就需要达到高光效果，否则最终的高亮效果也会无法实现。

二次抛光：

经过第一次抛光后，铝合金部件需要继续进行阳极氧化处理。经过阳极氧化着色处理后，对氧化膜再进行一次抛光才能实现最终的高亮效果。此工序苹果采用的是磁流变抛光工艺。

磁流变抛光能够达到极低的粗糙度，一般用于精密光学镜头的抛光，适合于工件的最终出光处理。磁流变抛光时，由于整个工件都处于液体当中，抛光热量容易散出，不会在工件局部位置造成过热，有利于避免抛光产生橘皮；整个工件各部分都与流体均匀接触，能够保证抛光效果均匀一致，且不受工件形状限制，特别适合苹果7这种具有凸出火山口的非平面部件的抛光处理。

高精度摄相头环圈

苹果12 的不锈钢摄相头环圈，苹果公司品质要求，除了高亮度镜面外，而且要在显微放大镜的镜头下，达到完全无纹路的全镜面。若此抛光加工，只能在一道次的工序下完成，除了选用合适材料的布轮外(使用方案欢迎联系江门杰利信抛磨材料有限公司索取)，另外，抛光浆的选用，除了要选有去纹切削能力外，同时要不能在工件表面上残留任何抛纹、抛痕，并且能到达高镜面的效果，我们一般称呼二合一抛光蜡。所以在此抛光浆中所采用的磨料，就是关键条件，市售的工业级抛光浆很难达到此要求，这种特制的抛光浆选用纳米级的磨料，可在一道次抛光加工，即可完成此高品质的要求，且一次良率达95%以上。

1965年美国孟山都公司在世界上首先提出了二氧化硅溶胶和凝胶应用于硅晶圆片的抛光加工的专利。从此，半导体用抛光液（slurry）成为了半导体制造中的重要的、必不缺少的辅助材料。半导体硅片抛光工艺是衔接材料与器件制备的边沿工艺，它极大地影响着材料和器件的成品率，并肩负消除前加工表面损伤沾污以及控制诱生二次缺陷和杂质的双重任务。在特定的抛光设备条件下，硅片抛光效果取决于抛光剂及其抛光工艺技术。随着集成电路的集成度的不断提高，相应的要求亦有所提高，不但直径要增大，技术要求也相应地提高，并不断有新的要求出现。

采用SiO2抛光液进行硅片抛光加工，目前多采用化学机械抛光（CMP）技术。抛光工艺中有粗抛光和精抛光之分，故有粗抛光液和精抛光液品种之分。预计在2005年-2010年期间，在我国半导体抛光片业内整体需求抛光液量，每年会以平均增长率为25%比率的增长。2004年间使用SiO2抛光液总共约是157吨。其中粗抛液有约126吨, 精抛液有约31.5吨。

目前在我国半导体硅抛光片加工中，所使用的抛光液绝大多数都靠进口。国外半导体硅抛光液的市场占有率较高生产厂家，主要有美国Rodel &Onden Nalco、美国的DUPONT公司、日本FUJIMI公司等。尽管我国目前在抛光液行业现已发展到有几十家的企业，但是真正涉足到半导体硅片抛光液制造、研发方面的企业很少。无论是产品质量上、还是在市场占有率方面，国内企业都表现出与国外厂家具有相当的差距。

研磨抛光是半导体加工过程中的一项重要工艺， 主要应用于半导体表面进行加工， 研磨液、抛光液是影响半导体表面质量的重要因素。

研磨是半导体加工过程中的一项重要工艺， 它主要是应用化学研磨液混配磨料的方式对半导体表面进行精密加工， 这种化学研磨工艺几乎涉及到半导体制程中的各个环节， 研磨液是影响半导体表面质量的重要因素。

对于研磨工件产品，品种多；可选择不同程度效果的氧化铝研磨液，研磨速度快可减省研磨时间，提高生产效率，作业后工件表面比较平滑。

加油或者加水稀释使用，有效，方便，无污染，不腐蚀等特点。其中金刚石颗粒硬度好，粒度均匀，磨削效果好。

用于在蓝宝石衬底的研磨和减薄的研磨液，蓝宝石研磨液利用聚晶金刚石的特性，在研磨抛光过程中保持高切削的效率，同时不易对工件产生划伤。

（1）切力较稳定，性价比高；

（2）铝为电和热的良导体，而氧化铝则是电与热的绝缘体；

（3）具有良好的研磨稳定效果；

（4）品种多，可以进行粗磨和细磨，视半导体材质而定；

（5）适用作为Inp、GaAs半导体的研磨液。

  分散稳定性不好、易团聚、易沉淀。

（1）金刚石磨料是研磨硬质合金、陶瓷、宝石、光学玻璃等高硬度材料的理想原料；

（2）蓝宝石研磨液是蓝宝石衬底的研磨和减薄、光学晶体、硬质玻璃和晶体、超硬陶瓷和合金、刺头、硬盘、芯片领域的研磨；

（3）不适用于Inp、GaAs。

CMP抛光液( chemical mechanical polishing化学机械抛光，简称CMP)是平坦化精密加工工艺中超细固体研磨材料和化学添加剂的混合物，CMP抛光液一般由提供研磨作用的超细固体粒子如纳米级SiO2、Al2O3粒子等和提供腐蚀溶解作用的表面活性剂、稳定剂、氧化剂等组成。

广泛用于各类集成电路、半导体、蓝宝石、LED行业及其他领域的抛光过程，用来辅助抛光、保护硅片等材料免受划伤，因此在芯片的制备过程中是离不开它的。

①.氧化铝抛光液：晶向稳定、硬度高、颗粒小且分布均匀；磨削力强、抛光速率快、镜面效果好；抛光液不易沉淀。

②. 氧化硅抛光液：

（1）分散性好。

（2）粒径分布广泛：5-100nm。

（3）适合与各种抛光垫、合成材料配合抛光使用。

（4）适用硅晶圆、蓝宝石等半导体及衬底材料的粗抛和精抛，抛光后易清洗，表面粗糙度低。

③ 白刚玉抛光液：纯度高、耐酸碱腐蚀、耐高温、热态性能稳定它硬度略高于棕刚玉，韧性稍低，自锐性好、磨削能力强、发热量小、效率高、热稳定性好。

优势在于

（1）氧化铝抛光的抛光速率快、二氧化硅抛光液易清洁。

（2）氧化铝抛光液良好的微粒形状，纯度高、磨削力强，表面粗糙度5-15nm。

（3）二氧化硅抛光液表面粗糙度低，而且抛光后易清洗，适用于二次抛光解决脏污。

（4）如图下氧化铝抛光液结合二氧化硅抛光液的效果图。

劣势在于： 氧化铝抛光液异常多，比如橘皮现象、表面出现白点现象；二氧化硅抛光液抛光过程中易产生结晶，对硬底材料抛光速率低。

白刚玉微粉可用做触媒体，绝缘体以及精密铸造砂等。

不积珪步，无以至千里；不积细流，无以成江海。做好每一份工作，都需要坚持不懈的学习。

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电化学抛光

电化学抛光是以被抛光工件作为阳极，不溶性金属或惰性导体作为阴极，两电极同时浸入特定的电解液中，通直流电而产生有选择性的阳极溶解，达到整平金属表面并使之产生金属光泽的加工过程。

电化学抛光液的组成及工艺条件为：磷酸600ml/l，硫酸300ml/l，甘油30ml/l，糖精1-2g/l，阳极电流密度30-60A/dm2，5-8min。磷酸是保证电化学抛光正常进行的主要成分，其体积分数过高时，黏度提高，减缓整平速率；其体积分数过低时，活化倾向大，钝化倾向小，导致不锈钢表面出现不均匀腐蚀。硫酸是活化剂，其体积分数过高时，不锈钢表面出现过腐蚀；其体积分数过低时，不锈钢表面出现严重的不均匀腐蚀。磷酸与甘油能形成C3H5（OH）2PO4配位物，这种配位物的金属衍生物可以形成复杂的磷酸盐膜，能防止电化学抛光液对不锈钢在不通电条件下的腐蚀。

Leonardo S等用一种原着色溶液对304不锈钢进行电化学抛光，其抛光液组成及工艺条件为：三氧化铬2.5mol/l，硫酸5.0mol/l，25A/dm2，45℃，10min。以该工艺抛光后的不锈钢表面均匀，几乎没有任何粗糙的痕迹。

李广武等采用在磷酸－硫酸体系中添加高分子聚乙二醇的电化学抛光工艺，其抛光液组成及工艺条件为：磷酸500g/l，硫酸130g/l，聚乙二醇130g/l，甘油30g/l，阳极电流密度8-15A/dm2，75-95℃。研究结果表明：聚乙二醇能有效地形成黏膜，显著提高不锈钢电化学抛光的效果。

郭贤烙等研究了工艺条件对电化学抛光质量的影响，确定了抛光液组成及工艺条件为：磷酸300ml/l，硫酸180ml/l，铬酐10g/l，添加剂12ml/l，阳极电流密度70A/dm2，40-50℃，5-8min，S阴极∶S阳极＝2:1，阴极材料采用不锈钢。

Chi C L等研究了甘油的质量浓度、温度及电流密度对不锈钢表面粗糙度的影响，并提出了一种通过这三种因素控制抛光质量的机理。抛光液由混酸和甘油分别以体积比为75:25和65:35两种比例组成，混酸由质量分数为85%的浓磷酸和质量分数为97%的浓硫酸预先混合而成。研究结果表明：高温容易使抛光表面变得粗糙，甘油的质量浓度对抛光质量有重要的影响。

复合抛光

传统不锈钢抛光液中大都含有铬酸、氢氟酸、硝酸等毒性较大的物质，同时采用高温酸洗去除氧化物，使成本增加。

曾祥德介绍了一种将酸洗、化学抛光及电化学抛光融为一体的环保型不锈钢抛光工艺，并称之为粗抛、细抛、精抛组合工艺。

（1）粗抛：

即预抛，将磷酸与硫酸组合使用，在室温下能很好地去除不锈钢表面的氧化物，且成本较低。其抛光液组成及工艺条件为：磷酸290-370ml/l，硫酸150-250ml/l，水380-560ml/l，室温，5-10min。

（2）细抛：

即化学抛光，在化学抛光液中加入双氧水，可去除不锈钢表面难溶于粗抛液的氧化物，使不锈钢表面获得银白色的镜面光泽。其抛光液组成及工艺条件为：磷酸250-340ml/l，硫酸180-220ml/l，双氧水60-100ml/l，ZP-1稳定剂30-50ml/l，ZP缓蚀剂10-20ml/l，水270-550ml/l，室温，5-10min。

（3）精抛：

即电化学抛光，精抛后的不锈钢表面洁净、光亮，且在金属表面形成的保护膜能提高不锈钢的耐蚀性能，制品经久耐用，不会褪色。其抛光液组成及工艺条件为：磷酸300-350ml/l，硫酸180-220ml/l，聚乙二醇4-8g/l，ZP缓蚀剂10-20ml/l，水470-550ml/l，阳极电流密度0.5-1.0A/dm2，室温，5-10min，阴极材料为铅板。

该工艺将粗抛、化学抛光和电化学抛光融为一体，形成组合工艺，具有溶液组成简单、无污染、寿命长、能耗低、质量好等优点。