陶瓷电容有哪些规格呢

贴片电容规格主要是从价格类型来说，贴片电容包括NPO、X7R、Z5U和Y5V。其主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同。

随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。

NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。

Z5U电容器——Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范围，对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本。

X7R电容器——X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。

X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。

扩展资料：

电容的作用：

1、旁路

旁路电容器是一种向本地设备提供能量的能量存储设备。 它可以使调节器的输出均匀，并减少负载需求。 就像小型可充电电池一样，旁路电容器可以充电和放电至设备。

为了使阻抗最小，旁路电容器应尽可能靠近负载设备的电源引脚和接地引脚。 这样可以很好地防止接地电位上升和输入值过大引起的噪声。 接地电势是指接地连接经过大电流故障时的电压降。

2、去耦

去耦，也称为去耦。 从电路的角度看，它总是可以分为驱动源和驱动负载。 如果负载电容较大，则驱动电路需要对电容器进行充电和放电以完成信号转换。 当上升沿相对陡峭时，电流相对较大，因此驱动电流将吸收较大的电源电流。

电感，电阻（尤其是芯片引脚上的电感会反弹），与正常情况相比，该电流实际上是一种噪声，会影响上一级的正常运行，这称为“耦合”。

参考资料来源：百度百科-贴片电容

通常情况下，100uF的贴片陶瓷电容会比同样规格的钽电容还要贵，所以如果需要再大的容值，比如220uF，470uF等等，一般都是直接选用钽电容

钽电容寿命长、耐高温、准确度高、滤高频谐波性能极好，即便是同等价格前提下，也是优于贴片陶瓷电容的选择。

希望我的回答能让你满意，有不明白的也可以再追问。

1960年左右陶瓷叠片电容作为商品开始开发

1970年，随着混合IC、计算机、以及便携电子设备的进步也随之迅速的发展起来，瓷片电容成为电子设备中不可缺少的零部件，而其中技术参数也是学者们研究的重点

现在的陶瓷介质电容的全部数量约占电容市场的70%左右

因为陶瓷介质电容的绝缘体材料主要使用陶瓷，其基本构造是将陶瓷和内部电极交相重叠

陶瓷材料有几个种类

自从考虑电子产品无害化特别是无铅化后，高介电系数的PB（铅）退出瓷片电容技术参数领域，现在主要使用TiO2(二氧化钛)、BaTiO3,CaZrO3(锆酸钙)等

和其它的电容相比具有体积小、容量大、耐热性好、适合批量生产、价格低等优点

由于原材料丰富，结构简单，价格低廉，而且电容量范围较宽（一般有几个PF到上百μF），损耗较小，电容量温度系数可根据要求在很大范围内调整

瓷片电容技术参数品种繁多，外形尺寸相差甚大从0402（约1×0.5mm）封装的贴片电容到大型的功率瓷片电容

按使用的介质材料特性可分为Ⅰ型、Ⅱ型和半导体瓷片电容；按无功功率大小可分为低功率、高功率瓷片电容；按工作电压可分为低压和高压瓷片电容；按结构形状可分为圆片形、管型、鼓形、瓶形、筒形、板形、叠片、独石、块状、支柱式、穿心式等

瓷片电容的分类：瓷片电容技术参数从介质类型主要可以分为两类，即Ⅰ类瓷片电容技术参数和Ⅱ类瓷片电容技术参数

Ⅰ类瓷片电容技术参数（ClassⅠceramiccapacitor），过去称高频瓷片电容技术参数（High-freqencyceramiccapacitor），是指用介质损耗小、绝缘电阻高、介电常数随温度呈线性变化的陶瓷介质制造的电容

它特别适用于谐振回路，以及其它要求损耗小和电容量稳定的电路，或用于温度补偿

Ⅱ类瓷片电容技术参数（ClassⅡceramiccapacitor）过去称为为低频瓷片电容技术参数（Lowfrequencycermiccapacitor），指用铁电陶瓷作介质的电容，因此也称铁电瓷片电容技术参数

这类电容的比电容大，电容量随温度呈非线性变化，损耗较大，常在电子设备中用于旁路、耦合或用于其它对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中

常见的Ⅱ类瓷片电容技术参数有：X7R、X5R、Y5V、Z5U其中：X7R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字7位最高工作温度+125℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；X5R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；Y5V表示为：第一位Y为最低工作温度-30℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母V为随温度变化的容值偏差+22%，-82%±15%

Z5U表示为：第一位Z为最低工作温度+10℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母U为随温度变化的容值偏差+22%，-56%

按照介质不同可分为类I瓷介电容和II类瓷介I电容，通常NP0，SL0，COG是I类瓷介电容，X7R，X5R，Y5p，Y5V是II类瓷介电容，I类瓷介电容容量稳定性很好，基本不随温度，电压，时间等变化而变化，但是一般容量都很小，而II类瓷介电容容量稳定性很差，随着温度，电压，时间变化幅度较大，所以一般用在对容量稳定性要求不高的场合，如滤波等

如何判断陶瓷电容规格例如：30加下滑线，这表示该电容多大？电容是陶瓷圆板电容，容量是30pf，没有标单位的为小单位pf，下滑线代表直流额定电压50v，一般都可以耐压到500v没问题，因为它的的芯片厚度至少都有15条

此容量一般都是k档或J档，温度特性是SL或N750

陶瓷电容器就是用陶瓷作为电介质，在陶瓷基体两面喷涂银层，然后经低温烧成银质薄膜作极板而制成

它的外形以片式居多，也有管形、圆形等形状

小于计算值均为合格品。

你说的陶瓷电容没有“漏电流”这一电性能参数的。

电容器的介质对直流电流具有很大的阻碍作用。然而，由于铝氧化膜介质上浸有电解液，在施加电压时，重新形成的以及修复氧化膜的时候会产生一种很小的称之为漏电流的电流。通常，漏电流会随着温度和电压的升高而增大。

所以说是不是你用的电容太小了使电容温度过高了呢？

如果你说的漏电偏高肯定会导致整个电路无电，你想想电容不就是一端在正，一端在负么。。。

新手回答，望采纳！！！

106即为电容量，瓷片电容上标有106表示该电容的电容量为106uf。

uf是实际工作中常用的电容量单位，电容量之间的换算关系为：1法拉(F)=1000毫法(mF)；1毫法(mF)=1000微法(μF)；1微法(μF)=1000纳法（nF）；1纳法（nF）=1000皮法(pF)；即：1F=1000000μF；1μF=1000000pF。

扩展资料：

电容的其他参数：

1、额定电压，为在最低环境温度和额定环境温度下可连续加在电容器的最高直流电压。如果工作电压超过电容器的耐压，电容器将被击穿，造成损坏。在实际中，随着温度的升高，耐压值将会变低。

2、绝缘电阻。直流电压加在电容上，产生漏电电流，两者之比称为绝缘电阻。当电容较小时，其值主要取决于电容的表面状态；容量大于0.1时，其值主要取决于介质。通常情况，绝缘电阻越大越好。

3、损耗。电容在电场作用下，在单位时间内因发热所消耗的能量称做损耗。损耗与频率范围、介质、电导、电容金属部分的电阻等有关。

4、频率特性。随着频率的上升，一般电容器的电容量呈现下降的规律。当电容工作在谐振频率以下时，表现为容性；当超过其谐振频率时，表现为感性，此时就不是一个电容而是一个电感了。所以一定要避免电容工作于谐振频率以上。

参考资料来源：百度百科-电容器

瓷片电容(ceramiccapacitor)是一种用陶瓷材料作介质，在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜，再经高温烧结后作为电极而成的电容器。通常用于高稳定振荡回路中，作为回路、旁路电容器及垫整电容器。

优点：稳定，绝缘性好，耐高压           缺点：容量比较小

贴片电容全称为：多层（积层，叠层）片式陶瓷电容器，也称为贴片电容，片容。英文全称：Multi-layerceramiccapacitors。英文缩写：MLCC。

贴片电容的分类：

1、NPO电容器

2、 X7R电容器

3、 Z5U电容器

4、 Y5V电容器

区别：NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。