如何用整流桥 ，二极管，瓷片电容设计一个输出正负电压的电路

比较明显的是容量的差异咯，1钽电容温度稳定性高，容量可以做比较大，体积较小，但对电压脉冲敏感，价格贵哦(与耐压，容量成正比）。

2瓷片电容的容量一般比较小，一般用在振荡，去耦，滤波电路中，价格便宜，温度稳定性较高，耐压一般比较高，但容量一般很难做大，体积也相当不小。

3电解电容，优点主要就是容量大咯，随便的几百微法甚至上万微法都能做出来咯，一般用在电源滤波，音频输出耦合。价格比较便宜，缺点就是温度较敏感，体积也不小，容量随时间会衰减咯。

其实目前用的最多还是贴片陶瓷叠层电容，像0603 10uF,4.7uF....0402 0.1uF,1uF..这些在目前才是用量最大的哦。

瓷介电容可分为低压低功率和高压高功率，在低压低功率中又可分为I型（CC型）和II型（CT型）。

I型（CC型）特点是体积小， 损耗低，电容对频率，温度稳定性都较高，常用于高频电路。

II型（CT型）特点是体积小，损耗大，电容对温度频率，稳定性都较差，常用于低频电路。

CC1型圆片高频瓷介电容

适用于谐振回路及其他电路做温度补偿，耦合，隔直使用。损耗：《0.025绝缘电阻：10000mohm 试验电压：200v

允许偏差：5p(+-0.5p) 6-10p(+-1P) 10p以上（J,K,M）温度系数：-150--- -1000PPM/C环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C时达96%

CT1型圆形瓷片低频电容：

环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C时达96%工作电压50V电容范围和允差：101—472 （+-10%） 472-403（+80-- -20%）

CC01圆形瓷片电容：

环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C时达96% 大气压力750+-30mmhg允许偏差：5p(+-0.5p) 6-10p(+-1P) 10p以上（J,K,M）

温度系数：1—4P +120(+-60)PPM 4—56P –47(+-60)PPM

56—180P –750(+-250)PPM

180—390P –1300(+-250)PPM

430—820P –3300(+-500)PPM

CT01圆形瓷片电容：

环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C时达96% 大气压力750+-30mmhg损耗《0.05绝缘电阻：1000mohm

允差：+80 -20%容量：1000-47000p

工作电压：63v 试验电压：200v CC10 超高频瓷介电容

可用于《500MHZ下，环境温度：-55—85C 相对湿度：+40C时达98% 压力33mmhg 震动强度：加速度10g 冲击：加速度25g 离心：加速度15g

允差：k容量：1-47p工作电压：500v

CC11,CT11园片无引线瓷片电容

该电容特为高频头设计，频率特性好。

CC11直流电压：250V标称容量：3—39P损耗：《0.0015 绝缘》10000mohm

CT11直流电压：160V标称容量：240—1500 绝缘》2500mohm

CT82,CC82高压高功率瓷片电容：

环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C时达98%大气 压力40000PA 震动：加速度15g 冲击：加速度15g额定电压：1—4kv 试验电压：2.5—8kv允差：K,M

独石瓷介电容器：

CC4D独石瓷介电容器

环境温度：-55—85C 相对湿度：+40C时达98% 大气压力666.6PA损耗《15*10(-4)容量：100-100000p工作电压：40v 试验电压：120v

CT4D独石瓷介电容器

环境温度：-55—85C 相对湿度：+40C时达98% 大气压力1000PA损耗《0.035容量：0.033-2.2uf工作电压：40v-100v 试验电压：3UW允差：+80-20%

CC2,CT2管形瓷介电容器

与片形瓷介电容相比，机械强度高，用作旁路时内电极屏蔽性能好，用在高频电阻杂散耦合好，缺点是固有谐振频率低，制造工艺复杂，产量低。

CT2 损耗《0.04绝缘电阻<1000mohm 试验电压：480v

使用条件：-55—85c相对湿度：40C时达98% CC3,CCTD型叠片瓷介电容器CCTF型方形叠片瓷片电容器

CC3损耗《0.0015 容量：33-1000P 允差：K,M 工作电压：100V

CCTD损耗《0.035 容量：470-33000P 允差：+80-20% 工作电压：250V

CCTF损耗《0.04 容量：10000-47000P 允差：+80-20% 工作电压：160V

CC53,CC52,CT53,CT52穿心式瓷介电容

该类电容使用于VHF,UHF调谐器和其他无线电设备中做高低频旁路滤波用。

CC52E-1C 容量：2-33P工作电压：63V 绝缘电阻：10000mohm损耗：《0.0015

CC53-2C 容量：1000-1500P工作电压：160V 绝缘电阻：1000mohm损耗《0.035

CT87鼓形高压低频瓷介电容器,该电容主要使用于电子设备的脉冲电路。CC87-1 容量：470P工作电压：10KV 绝缘电阻：10000mohm

CCG81型板形高功率瓷介电容：使用于大功率高频电子设备中。容量：1000P 工作电压20KV(高频15KV) 额定无功功率：100KVA最大电流：25A 最大重量：1.3KG

具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器，低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用

那么为什么陶瓷电容适合做去耦电容呢？陶瓷或多层陶瓷电容具有尺寸紧凑和低损耗特性，通常是数MHz以上的选电容材料，不过陶瓷电介质特性相差很大，对于电源去耦应用，一些类型优于其它类型

采用X7R的高K电介质配方时，陶瓷电介质电容的值高可达数μF

Z5U和Y5V型的额定电压高可达200V

X7R型在直流偏置电压下的电容变化小于Z5U和Y5V型，因此是较佳选择

NP0型使用介电常数较低的配方，具有标称零TC和低电压系数（不同于较不稳定的高K型）

NP0型的可用值限于0.1μF或更低，0.01μF是更实用的上限值

多层陶瓷电容的极低电感设计可提供近乎的RF旁路，因此越来越频繁地用于10MHz或更高频率下的旁路和滤波

更小的芯片陶瓷电容工作频率范围可达1GHz

对于高频应用中的这些及其它电容，通过选择自谐振频率高于高目标频率的电容，可确保有用值符合需要