瓷片电容的常规特性等级

陶瓷电容有以下一些材质：Y5P；Y5E；Y5R；Y5T；Y5V； Y5U； Z5U；Z5V；Z4V；X7R；N750；N330；NPO；SL。

陶瓷电容常用的几种：Y5P；Y5V；Y5U；X7R；NPO。

Y5P的温度补偿性能最好，全温度范围内的电容值变化范围为±10%。

Y5U对温度变化无补偿性，全温度范围内的电容值变化范围为+22%/-56%。

Y5V表示工作在-30~+85度，整个温度范围内偏差-82%~+22%

X5R表示工作在-55~+85度，整个温度范围内偏差正负15%

X7R表示工作在-55~+125度，整个温度范围内偏差正负15%

NPO（COG）是温度特性最稳定的电容器，电容温漂很小，整个温度范围容量很稳定，温度也是-55~125度，适用于振荡器，超高频滤波去耦。

温度补偿型NPO(COG)是Ⅰ类瓷片电容；X7R；X5R；Y5U；Y5V是Ⅱ类瓷片电容Ⅰ类瓷片电容特点是容量稳定性好，基本不随温度；电压；时间的变化而变化，容量也比较小

NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器

它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的

NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一

在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃,电容量随频率的变化小于±0.3ΔC

NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%,相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的

其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%

NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同,大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好

应用在电容稳定性有要求的场合

Ⅱ类瓷片电容特点是容量稳定相对较差，但是容量相对也大些

X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器

当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%,需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的

X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的,它也随时间的变化而变化,大约每10年变化1%ΔC,表现为10年变化了约5%

X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用,而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下

它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大

Y5V瓷片电容是有一定温度限制的通用电容器,在工作温度-30℃到85℃范围内其容量变化为+22%到-82%、介质损耗为5%

Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达100μF的电容器

Y5V瓷片电容适合用于去耦、平滑用

按结构形式分类，又可分为圆片状电容器、管状电容器、矩形电容器、片状电容器、穿心电容器等多种

根据美国标准EIA-198-D，在用字母或数字表示陶瓷电容器的温度性质有三部分：一部分为低工作温度；二位部分数字为高工作温度；第三部分为随温度变化的容差

常见的Ⅱ类陶瓷电容器有：X7R、X5R、X8R、Y5V、Z5UX7R表示为：一位X为低工作温度-55℃，二位的数字7位高工作温度+125℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差正负百分之十五

X5R表示为：一位X为低工作温度-55℃，二位的数字5位高工作温度+85℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差正负百分之十五

X8R表示为：一位X为低工作温度-55℃，二位的数字5位高工作温度+150℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差正负百分之十五

Y5V表示为：一位Y为低工作温度-30℃，二位的数字5位高工作温度+85℃，第三位字母V为随温度变化的容值偏差正百分之二十二，负百分之八十二，正负百分之十五

Z5U表示为：一位Z为低工作温度+10℃，二位的数字5位高工作温度+85℃，第三位字母U为随温度变化的容值偏差正百分之二十二，负百分之五十六

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