瓷片电容3A332是多少？
332M为3300pF=3.3nF=0.0033μF，M——III级精度——误差±20%。
331为330pF=0.33nF=0.00033μF
68为68pF
682为6800pF=6.8nF=0.0068μF
5为5pF
附：小瓷片、涤纶电容的标识含义（给你学习）
1F（法）=1000000 μF（微法），即106μF（微法）
1μF（微法）=1000 nF (纳法)，即103nF（纳法）=1000,000 pF (皮法)
1nF (纳法) =1000 pF (皮法) ，即103pF（皮法）
104表示为：10,0000 pF(皮法)=100 nF (纳法)=0.1μF（微法）；
223表示为：22,000 pF(皮法)=22 nF (纳法)=0.022μF（微法）；
684表示为：68,0000 pF(皮法)=680 nF (纳法) =0.68μF（微法）；
105表示为：10,00000 pF(皮法)=1000 nF (纳法)=1μF（微法）。
1、电容耐压、误差标识意义
I类、II类电容的耐压代号：
A:：1.0V G： 4.0V B:：1.25V W:：4.5V C:：1.6V H:：5.0V D： 2.0V
J:：6.3V E:：2.5V K:：8.0V F:：3.15V Z:：9.0V
以上字母前面的数字表示10的多少次幂，如2A就表示耐压为1.0×10^2=100V； 2J就表示耐压为6.3×10^2=630V。
2、电容器精度等级表示方法
常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同。用字母表示：
D——0.05级——±0.5%；
F——0.1级——±1%；
G——0.2级——±2%；
J—— I 级——±5%；
K—— II 级——±10%；
M—— III 级——±20%。
一、高压瓷片电容高压瓷片电容器，就是以陶瓷材料为介质的电容器
高压瓷片电容器，一个主要的特点就是体积小耐压高
高压瓷片电容就是以陶瓷材料为介质的圆板电容器，在“瓷片”电容器中一般DC50v以下叫低压，DC50V~500V为中高压，DC1000v~6000v和为高压，安规Y电容也是属于高压，DC6000v以上为超高压
2KV、3KV电压很常见
常用于高压场合
高压瓷片电容作用具有耐磨直流高压的特点，适用于高压旁路和耦合电路中，其中的低耗损高压圆片具有较低的介质损耗，特别适合在电视接收机和扫描等电路中使用
二、瓷片电容规格有哪些瓷片电容用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜,并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成的电容器
瓷片电容(瓷介电容)作用主要有三个方面：1.容量损耗随温度频率具高稳定性2.特殊的串联结构适合于高电压极长期工作可靠性3.高电流爬升速率并适用于大电流回路无感型结构
通常用于高稳定振荡回路中，作为回路、旁路电容器及垫整电容器如消除高频干扰
瓷片电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿
陶瓷有I类瓷，II类瓷，III类瓷之分，I类瓷，NP0，温度特性，频率特性和电压特性佳，因介电常数不高，所以容量做不大II类瓷，X7R次之，温度特性和电压特性较好III类瓷，介电常数高，所以容量可以做很大，但温度特性和电压特性不太好
瓷片电容器一般体积不大
另外，再强调一个重要特点：瓷介电容器击穿后，往往呈短路状态
(这是它的弱点)而薄膜电容器失效后，一般呈开路状态瓷片电容规格Ⅱ类瓷也叫做高介电常数型(HighDielectricConstantType)，是适用於作旁路、耦合或用在对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中的具有高介电常数的一种电容器
该类陶瓷介质是以在类别温度范围内电容量非线性变化来表徵
其特性符合以下标准：用途：1).旁路和耦合2).对Q值和容量稳定性要求一般的分步电路
三、电容的识别方法电容器耐压的标注有一种是采用一个数字和一个字母组合而成
数字表示10的幂指数，字母表示数值，单位是V(伏)
字母ABCDEFGHJKZ耐压值1.01.251.62.02.53.154.05.06.38.09.01J代表6.3*10=63V2G代表4.0*100=400V3A代表1.0*1000=1000V由于电容体积要比电阻大，所以一般都使用直接标称法
如果是10n，那么就是10nF，同样100p就是100pF
如果是4n7就是4.7nF，不标单位的直接表示法：用1～4位数字表示，即指数标识，容量单位为pF，如独石和一些瓷片电容，一般就用指数形式，471就代表47×10^1pF=470pF
瓷片电容也有直接标识容量的，单位就是pF
钽电容，一般直接标识数值，常见单位莡F
(电容数字标识部分由pongo网友补充，在此表示感谢!)色码表示法：沿电容引线方向，用不同的颜色表示不同的数字，第一，二种环表示电容量，第三种颜色表示有效数字后零的个数(单位为pF)颜色意义：黑=0、棕=1、红=2、橙=3、黄=4、绿=5、蓝=6、紫=7、灰=8、白=9
电容的识别：看它上面的标称，一般有标出容量和正负极，比如钽电容上，有白线的一端就是正极，另外像电解电容，就用引脚长短来区别正负极长脚为正，短脚为负
电阻电容序列值电容容值系列
瓷片电容是瓷片电容又称圆片瓷介电容分为高压瓷片电容和低压瓷片电容等，高压瓷片电容有哪些特点?瓷片电容规格有哪些呢，下面小编来向你介绍!一、高压瓷片电容高压瓷片电容器，就是以陶瓷材料为介质的电容器
高压瓷片电容器，一个主要的特点就是耐压高
高压瓷片电容就是以陶瓷材料为介质的圆板电容器，在“瓷片”电容器中一般DC50v以下叫低压，DC100V~500V为中高压，DC1000v~6000v和为高压，安规Y电容也是属于高压，DC6000v以上为超高压
2KV、3KV电压很常见
常用于高压场合
高压瓷片电容作用具有耐磨直流高压的特点，适用于高压旁路和耦合电路中，其中的低耗损高压圆片具有较低的介质损耗，特别适合在电视接收机和扫描等电路中使用
二、瓷片电容规格有哪些瓷片电容用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜,并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成的电容器
瓷片电容(瓷介电容)作用主要有三个方面：1.容量损耗随温度频率具高稳定性2.特殊的串联结构适合于高电压极长期工作可靠性3.高电流爬升速率并适用于大电流回路无感型结构
通常用于高稳定振荡回路中，作为回路、旁路电容器及垫整电容器如消除高频干扰
瓷片电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿
陶瓷有I类瓷，II类瓷，III类瓷之分，I类瓷，NP0，温度特性，频率特性和电压特性佳，因介电常数不高，所以容量做不大II类瓷，X7R次之，温度特性和电压特性较好III类瓷，介电常数高，所以容量可以做很大，但温度特性和电压特性不太好
瓷片电容器一般体积不大
另外，再强调一个重要特点：瓷介电容器击穿后，往往呈短路状态
(这是它的弱点)而薄膜电容器失效后，一般呈开路状态瓷片电容规格Ⅱ类瓷也叫做高介电常数型(HighDielectricConstantType)，是适用於作旁路、耦合或用在对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中的具有高介电常数的一种电容器
该类陶瓷介质是以在类别温度范围内电容量非线性变化来表徵
其特性符合以下标准：用途：1).旁路和耦合2).对Q值和容量稳定性要求一般的分步电路
三、电容的识别方法电容器耐压的标注有一种是采用一个数字和一个字母组合而成
数字表示10的幂指数，字母表示数值，单位是V(伏)
字母ABCDEFGHJKZ耐压值1.01.251.62.02.53.154.05.06.38.09.01J代表6.3*10=63V2G代表4.0*100=400V3A代表1.0*1000=1000V由于电容体积要比电阻大，所以一般都使用直接标称法
如果是10n，那么就是10nF，同样100p就是100pF
如果是4n7就是4.7nF，不标单位的直接表示法：用1～4位数字表示，即指数标识，容量单位为pF，如独石和一些瓷片电容，一般就用指数形式，471就代表47×10^1pF=470pF
瓷片电容也有直接标识容量的，单位就是pF
钽电容，一般直接标识数值，常见单位莡F
(电容数字标识部分由pongo网友补充，在此表示感谢!)色码表示法：沿电容引线方向，用不同的颜色表示不同的数字，第一，二种环表示电容量，第三种颜色表示有效数字后零的个数(单位为pF)颜色意义：黑=0、棕=1、红=2、橙=3、黄=4、绿=5、蓝=6、紫=7、灰=8、白=9
电容的识别：看它上面的标称，一般有标出容量和正负极，比如钽电容上，有白线的一端就是正极，另外像电解电容，就用引脚长短来区别正负极长脚为正，短脚为负
电阻电容序列值电容容值系列
简单的介绍了下瓷片电容，希望能让亲们重新了解高压瓷片电容，瓷谷电子专业制造瓷片电容，安规Y电容30载，为您的安全生活提供有力保障，好质量的瓷片电容请联系瓷谷电子，，24小时热线免费咨询
47是47pF；
27是27pF；
202是2000pF，也就是2nF，或者0.002uF；
391是390pF。
你的0.01uF用数字表示是103，0.033uF是333。
上面的都不行啊，差的太远了。
教你一个办法，你家里如果有报废了的节能灯头，可以拆开里面取元件用的，里面一般都有0.01uF的电容。
通常用于高稳定震荡回路中，作为回路、旁路电容器及垫整电容器
瓷片电容只要针对于高频,高压瓷片电容取决于你使用在什么场合,典型作用可以消除高频干扰
优点1.容量损耗随温度频率具高稳定性2.特殊的串联结构适合于高电压极长期工作可靠性3.高电流爬升速率并适用于大电流回路无感型结构作用MLCC(1类)—微型化,高频化,超低损耗,低ESR,高稳定,高耐压,高绝缘,高可靠,无极性,低容值,低成本,耐高温.主要应用高高频电路中
MLCC(2类)—微型化,高比容,中高压,无极性,高可靠,耐高温,低ESR,低成本.主要应用于中,低频电路中作隔直,耦合,旁路和滤波等电容器使用
1、高压陶瓷电容，一般耐压1KV以上的。
2、中压陶瓷电容，一般指100-1KV的。
3、低压陶瓷电容，一般指100V以下的。
至于型号：就和普通电容一样，基本的容值都有。1p-104pf里都有。
瓷片电容是一种用陶瓷材料作介质,在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜,再经高温烧结后作为电极而成的电容器。通常用于高稳定振荡回路中，作为回路、旁路电容器及垫整电容器。103意思是说电容为0.01uF，瓷片电容读法：103=10*10的3次方pF=0.01uF。
电容器，通常简称其容纳电荷的本领为电容，用字母C表示。定义1：电容器，顾名思义，是“装电的容器”，是一种容纳电荷的器件。电容的种类也是有很多种，以下简单按照介质分类的几种电容：
1、陶瓷电容：以高介电常数、低损耗的陶瓷材料为介质，体积小，电感小。
2、云母电容：以云母片作介质的电容器。性能优良，高稳定，高精密。
3、纸质电容：纸介电容器的电极用铝箔或锡箔做成，绝缘介质是浸蜡的纸，相叠后卷成圆柱体，外包防潮物质，有时外壳采用密封的铁的纸，相叠后卷成圆柱体，外包防潮物质，有时外壳采用密封的铁壳以提高防潮性。
4、薄膜电容：用聚苯乙烯、聚四氟乙烯或涤纶等有机薄膜代替纸介质，做成的各种电容器。体积小，但损耗大，不稳定。质，做成的各种电容器。体积小，但损耗大，不稳定。
5、电解电容：以铝、担、锯、钛等金属氧化膜作介质的电容器。容量大，稳定性差。（使用时应注意极性）大，稳定性差。
1960年左右陶瓷叠片电容作为商品开始开发
1970年，随着混合IC、计算机、以及便携电子设备的进步也随之迅速的发展起来，瓷片电容成为电子设备中不可缺少的零部件，而其中技术参数也是学者们研究的重点
现在的陶瓷介质电容的全部数量约占电容市场的70%左右
因为陶瓷介质电容的绝缘体材料主要使用陶瓷，其基本构造是将陶瓷和内部电极交相重叠
陶瓷材料有几个种类
自从考虑电子产品无害化特别是无铅化后，高介电系数的PB（铅）退出瓷片电容技术参数领域，现在主要使用TiO2(二氧化钛)、BaTiO3,CaZrO3(锆酸钙)等
和其它的电容相比具有体积小、容量大、耐热性好、适合批量生产、价格低等优点
由于原材料丰富，结构简单，价格低廉，而且电容量范围较宽（一般有几个PF到上百μF），损耗较小，电容量温度系数可根据要求在很大范围内调整
瓷片电容技术参数品种繁多，外形尺寸相差甚大从0402（约1×0.5mm）封装的贴片电容到大型的功率瓷片电容
按使用的介质材料特性可分为Ⅰ型、Ⅱ型和半导体瓷片电容；按无功功率大小可分为低功率、高功率瓷片电容；按工作电压可分为低压和高压瓷片电容；按结构形状可分为圆片形、管型、鼓形、瓶形、筒形、板形、叠片、独石、块状、支柱式、穿心式等
瓷片电容的分类：瓷片电容技术参数从介质类型主要可以分为两类，即Ⅰ类瓷片电容技术参数和Ⅱ类瓷片电容技术参数
Ⅰ类瓷片电容技术参数（ClassⅠceramiccapacitor），过去称高频瓷片电容技术参数（High-freqencyceramiccapacitor），是指用介质损耗小、绝缘电阻高、介电常数随温度呈线性变化的陶瓷介质制造的电容
它特别适用于谐振回路，以及其它要求损耗小和电容量稳定的电路，或用于温度补偿
Ⅱ类瓷片电容技术参数（ClassⅡceramiccapacitor）过去称为为低频瓷片电容技术参数（Lowfrequencycermiccapacitor），指用铁电陶瓷作介质的电容，因此也称铁电瓷片电容技术参数
这类电容的比电容大，电容量随温度呈非线性变化，损耗较大，常在电子设备中用于旁路、耦合或用于其它对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中
常见的Ⅱ类瓷片电容技术参数有：X7R、X5R、Y5V、Z5U其中：X7R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字7位最高工作温度+125℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；X5R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；Y5V表示为：第一位Y为最低工作温度-30℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母V为随温度变化的容值偏差+22%，-82%±15%
Z5U表示为：第一位Z为最低工作温度+10℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母U为随温度变化的容值偏差+22%，-56%
