OB2226AP用什么可以代换
用VIPer12A代换。
VIPER12A是ST最新推出的脱机开关方式电源调节器VIPer产品家族的新成员，这款芯片是为在高达5W/10W二次输出功率的脱机电源中使用而专门优化的解决方案。
扩展资料：
VIPer12a封装刑式采用结构紧奏的SO-8或DIP-8，并集成了专用电流方式PWM控制器和一个高压电源MOSFET，其中MOSFET采用了一项耐用、专利的智能电源技术，允许输出电流垂直流过硅片。
负责提供控制逻辑的VDD管脚具有强大的输入电压能力，从而使VIPer12a特别适用于电池充电器的壁挂式适配器，以及电视和监视的待机电源。
电磁炉工作流程
当一个回路线圈通予电流时，其效果相当于磁铁棒。因此线圈面有磁场N-S极的产生，亦即有磁通量穿越。若所使用的电源为交流电，线圈的磁极和穿越回路面的磁通量都会产生变化。
感应的电流越大则所产生的热量就越高，煮熟食物所需的时间就越短。要使感应电流越大，则穿越金属面的磁通变化量也就要越大，当然磁场强度也就要越强。这样一来，原先通过交流电的线圈就需要越多匝数缠绕在一起。
参考资料来源：百度百科-viper12a
参考资料来源：百度百科-电磁炉
mos管并联一般都是在电流放大电路，当输出电流不够时，需要并联几个或几十个。多个场效应管并联，因为场效应管的Vgs离散性很大，起始电压差异也很大，直接并联是不行的，必须用运算放大器进行有源均流，使Vgs的差异缩小到1/Kv倍，均流后，不但均流、均功耗（均温），而且还能使输入输出线性化
1、Ron具有正温度系数，具有电流自动均衡的能力，容易并联。
2、 注意选用Ron、UT、Gfs和Ciss尽量相近的器件并联。
3、 电路走线和布局应尽量对称。
4、可在源极电路中串入小电感,起到均流电抗器的作用。
IGBT并联运行时注意：
1、 在1/2或1/3额定电流以下的区段，通态压降具有负温度系数。
2、在以上的区段则具有正温度系数。
3、并联使用时也具有电流的自动均衡能力，易于并联。
MOSFET是金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型” 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS、PMOS等。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
左边的PWM5、PWM6是驱动脉冲发生电路，产生驱动mosfet所需要的波形，紧接着的是两个光耦，一般用于隔离控制部分和驱动部分，因为需要驱动的mosfet一般电压都比数字逻辑部分要高，通常的数字逻辑电路电压在5V以内，而mosfet驱动部分基本都在10V以上（一般mosfet的开启电压需要在10V以上才能完全导通，完全导通时导通电阻低，导通损耗就小）
然后是去耦电路部分。
接下来是两输出mosfet/IGBT专用驱动芯片IR2110S，其中电容C23是根据IR2110S的Datasheet需要接的。
R40/R41是mosfet栅极驱动电阻，用于调节栅极导通关断时间，减小mosfet被噪声击穿的可能。
C26、D14是自举升压电路，用于驱动高压侧mosfet。
C27是去耦电容，这个0.01uf应该是给比较高的频率用的，一般的电路0.1uf就够了，推荐瓷片或钽电容，因为电感小。
