瓷片电容规格识别

相信大家都知道热门电容中，瓷片电容占的比例也较多

在回路以及旁路电容器中瓷片电容都是必不可少的，瓷片电容都是由陶瓷材料烧制而成的

虽然材质都是一样的，但在不同电路中所运用的瓷片电容规格也是不一样的

规格一:1000V-6000V高频瓷片电容高频瓷片电容一般主要都是运用于较高稳定振荡的回路中，因此其在稳定性方面要求是比较高的，如比较常见的耦合电容以及高压旁路就会选择用高频瓷片电容

最主要的优点就是可以耐受高温以及耐磨性比较强，如日常生活中常见的电视接收机上就会使用高压瓷片电容

规格二:50V以下低频瓷片电容低频瓷片电容主要是运用在一些工作频率比较低的回路中，在这类型的回路中往往对于电容的稳定性以及损耗的程度要求都不是很高

尤其是在一些脉冲比较强的电路中是不能使用低频瓷片电容的，否则很有可能会被电压直接击穿

二者的差异比较二者不同类型的瓷片电容规格识别可以直接通过电容器或者是电路来进行判断

一般来说可以耐受高压，绝缘性比较好，而且比较可靠，运用于高压电路中的就属于高频瓷片电容

而低频瓷片电容相比较而言可靠性以及成本都比较低，多数时候都是运用于一些低频电路以及耦合电路等的电容器中

快速识别方法一般来说在音频控制器以及分频器上使用的电容都是高频瓷片电容，因为其容量会比较大，通过金属塑料薄膜的使用可以获得更佳的音质

其次就是在滤波电容中，其容量的特性决定了使用电解电容的效果会比较好，但在使用的过程中还要注意抑制高频阻抗不断上升的情况

所以针对瓷片电容规格的识别来说，可以通过判断回路的电压以及特性就可以快速鉴别出其所使用的瓷片电容，同时在进行识别的时候也可以参照电阻的规格识别方法

1960年左右陶瓷叠片电容作为商品开始开发

1970年，随着混合IC、计算机、以及便携电子设备的进步也随之迅速的发展起来，瓷片电容成为电子设备中不可缺少的零部件，而其中技术参数也是学者们研究的重点

现在的陶瓷介质电容的全部数量约占电容市场的70%左右

因为陶瓷介质电容的绝缘体材料主要使用陶瓷，其基本构造是将陶瓷和内部电极交相重叠

陶瓷材料有几个种类

自从考虑电子产品无害化特别是无铅化后，高介电系数的PB（铅）退出瓷片电容技术参数领域，现在主要使用TiO2(二氧化钛)、BaTiO3,CaZrO3(锆酸钙)等

和其它的电容相比具有体积小、容量大、耐热性好、适合批量生产、价格低等优点

由于原材料丰富，结构简单，价格低廉，而且电容量范围较宽（一般有几个PF到上百μF），损耗较小，电容量温度系数可根据要求在很大范围内调整

瓷片电容技术参数品种繁多，外形尺寸相差甚大从0402（约1×0.5mm）封装的贴片电容到大型的功率瓷片电容

按使用的介质材料特性可分为Ⅰ型、Ⅱ型和半导体瓷片电容；按无功功率大小可分为低功率、高功率瓷片电容；按工作电压可分为低压和高压瓷片电容；按结构形状可分为圆片形、管型、鼓形、瓶形、筒形、板形、叠片、独石、块状、支柱式、穿心式等

瓷片电容的分类：瓷片电容技术参数从介质类型主要可以分为两类，即Ⅰ类瓷片电容技术参数和Ⅱ类瓷片电容技术参数

Ⅰ类瓷片电容技术参数（ClassⅠceramiccapacitor），过去称高频瓷片电容技术参数（High-freqencyceramiccapacitor），是指用介质损耗小、绝缘电阻高、介电常数随温度呈线性变化的陶瓷介质制造的电容

它特别适用于谐振回路，以及其它要求损耗小和电容量稳定的电路，或用于温度补偿

Ⅱ类瓷片电容技术参数（ClassⅡceramiccapacitor）过去称为为低频瓷片电容技术参数（Lowfrequencycermiccapacitor），指用铁电陶瓷作介质的电容，因此也称铁电瓷片电容技术参数

这类电容的比电容大，电容量随温度呈非线性变化，损耗较大，常在电子设备中用于旁路、耦合或用于其它对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中

常见的Ⅱ类瓷片电容技术参数有：X7R、X5R、Y5V、Z5U其中：X7R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字7位最高工作温度+125℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；X5R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；Y5V表示为：第一位Y为最低工作温度-30℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母V为随温度变化的容值偏差+22%，-82%±15%

Z5U表示为：第一位Z为最低工作温度+10℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母U为随温度变化的容值偏差+22%，-56%

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电阻封装外形尺寸

电子封装电阻外形尺寸

注：1mil = 1/1000英寸，1 英寸 = 2.539999918厘米

电容电阻外形尺寸与电子封装的对应关系是: 0402=1.0x0.5 0603=1.6x0.8 0805=2.0x1.2 1206=3.2x1.6 1210=3.2x2.5 1812=4.5x3.2 2225=5.6x6.5 注：A\B\C\D四类型的封装形式则为其具体尺寸,标注形式为L X S X H1210具体尺寸与电解电容B类3528类型相同0805具体尺寸：2.0 X 1.25 X 0.51206具体尺寸：3.0 X 1.5 0X 0.5

电解电容：可分为无极性和有极性两类，无极性电容下述两类封装最为常见，

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即0805、0603；而有极性电容也就是我们平时所称的电解电容，一般我们平时用的最多的为铝电解电容，由于其电解质为铝，所以其温度稳定性以及精度都不是很高，而贴片元件由于其紧贴电路版，所以要求温度稳定性要高，所以贴片电容以钽电容为多，根据其耐压不同，贴片电容又可分为A、B、C、D四个系列，具体分类如下：

类型 封装形式 耐压 A 3216 10V B 3528 16V C 6032 25V D 7343 35V无极性电容的封装模型为RAD系列，例如“RAD-0.1”“RAD-0.2”“RAD-0.3”“RAD-0.4”等，其后缀的数字表示封装模型中两个焊盘间的距离，单位为“英寸”。电

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解电容的封装模型为RB系列，例如从“RB-.2/.4”到“RB-.5/.10”，其后缀的第一个数字表示封装模型中两个焊盘间的距离，第二个数字表示电容外形的尺寸，单位为“英寸”。

PROTEL 99SE元件的封装问题

2009-04-12 14:34

元件封装是元件在电路板是存在的形势，Footprint那栏是元件封装栏，要自己输入，比如电阻可以用AXIAL0.3等等 protel99常用元件的电气图形符号和封装形式 1. 标准电阻：RES1、RES2；封装：AXIAL-0.3到AXIAL-1.0 两端口可变电阻：RES3、RES4；封装：AXIAL-0.3

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到AXIAL-1.0 三端口可变电阻：RESISTOR TAPPED，POT1，POT2；封装：VR1-VR5 2.电容：CAP（无极性电容）、ELECTRO1或ELECTRO2（极性电容）、可变电容CAPVAR 封装：无极性电容为RAD-0.1到RAD-0.4，有极性电容为RB.2/.4到RB.5/1.0. 3.二极管：DIODE（普通二极管）、DIODE SCHOTTKY（肖特基二极管）、DUIDE TUNNEL（隧道二极管）DIODE VARCTOR（变容二极管）ZENER1~3（稳压二极管） 封装：DIODE0.4和DIODE 0.7（上面已经说了，注意做PCB时别忘了将封装DIODE的端口改为A、K） 4.三极管：NPN，NPN1和PNP，

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PNP1；引脚封装：TO18、TO92A（普通三极管）TO220H（大功率三极管）TO3（大功率达林顿管） 以上的封装为三角形结构。T0-226为直线形，我们常用的9013、9014管脚排列是直线型的，所以一般三极管都采用TO-126啦！ 5、效应管：JFETN（N沟道结型场效应管），JFETP（P沟道结型场效应管）MOSFETN（N沟道增强型管）MOSFETP（P沟道增强型管） 引脚封装形式与三极管同。 6、电感：INDUCTOR、INDUCTOR1、INDUCTOR2（普通电感），INDUCTOR VAR、INDUCTOR3、INDUCTOR4（可变电感） 8.整流桥原

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理图中常用的名称为BRIDGE1和BRIDGE2，引脚封装形式为D系列，如D-44，D-37，D-46等。 9.单排多针插座原理图中常用的名称为CON系列，从CON1到CON60，引脚封装形式为SIP系列，从SIP-2到SIP-20。 10.双列直插元件原理图中常用的名称为根据功能的不同而不同，引脚封装形式DIP系列， 不如40管脚的单片机封装为DIP40。 11.串并口类原理图中常用的名称为DB系列，引脚封装形式为DB和MD系列。 12、晶体振荡器：CRYSTAL；封装：XTAL1 13、发光二极管：LED；封装可以才用电容的封装。（RAD0.1-0.4） 14、发光数码管：DPY；至于封装嘛，建议自

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己做！ 15、拨动开关：SW DIP；封装就需要自己量一下管脚距离来做！ 16、按键开关：SW-PB：封装同上，也需要自己做。 17、变压器：TRANS1——TRANS5；封装不用说了吧？自己量，然后加两个螺丝上去。 最后在说说PROTEL 99 的原理图库吧！ 常用元器件都在protel DOS schematic Libraries.ddb里 此外还有protel DOS schematic 4000 CMOS (4000序列元件) protel DOS schematic Analog digital (A/D,D/A转换元件) protel DOS schematic Comparator （比较器，如LM139之类） protel DOS schematic intel (Intel 的处理器和接口芯片之类)

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电阻：RES1，RES2，RES3，RES4；封装属性为axial系列

无极性电容：cap封装属性为RAD-0.1到rad-0.4

电解电容：electroi封装属性为rb.2/.4到rb.5/1.0

电位器：pot1,pot2；封装属性为vr-1到vr-5

二极管：封装属性为diode-0.4(小功率)diode-0.7(大功率)

三极管：常见的封装属性为to-18（普通三极管）to-22(大功率三极管)to-3(大功率达林顿管)

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电源稳压块有78和79系列；78系列正电压如7805，7812，7820等

79负电压系列有7905，7912，7920等

常见的封装属性有to126h和to126v

整流桥：BRIDGE1,BRIDGE2: 封装属性为D系列（D-44，D-37，D-46）

电阻：AXIAL0.3-AXIAL0.7 其中0.4-0.7指电阻的长度，一般用AXIAL0.4

瓷片电容：RAD0.1-RAD0.3。 其中0.1-0.3指电容大小，一般用RAD0.1

电解电容：RB.1/.2-RB.4/.8 其中.1/.2-.4/.8指电容大小。一般<100uF用

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RB.1/.2,100uF-470uF用RB.2/.4,>470uF用RB.3/.6

二极管：DIODE0.4-DIODE0.7 其中0.4-0.7指二极管长短，一般用DIODE0.4

发光二极管：RB.1/.2

集成块：DIP8-DIP40, 其中8－40指有多少脚，8脚的就是DIP8 贴片电阻

0603表示的是封装尺寸 与具体阻值没有关系，但封装尺寸与功率有关通常来说如下：

0201 1/20W

0402 1/16W

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0603 1/10W

0805 1/8W

1206 1/4W

电容电阻外形尺寸与封装的对应关系是：

0402=1.0mmx0.5mm

0603=1.6mmx0.8mm

0805=2.0mmx1.2mm

1206=3.2mmx1.6mm

1210=3.2mmx2.5mm

1812=4.5mmx3.2mm

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2225=5.6mmx6.5mm

零件封装是指实际零件焊接到电路板时所指示的外观和焊点的位置。是纯粹的空间概念因此不同的元件可共用同一零件封装，同种元件也可有不同的零件封装。像电阻，有传统的针插式，这种元件体积较大，电路板必须钻孔才能安置元件，完成钻孔后，插入元件，再过锡炉或喷锡（也可手焊），成本较高，较新的设计都是采用体积小的表面贴片式元件（SMD）这种元件不必钻孔，用钢膜将半熔状锡膏倒入电路板，再把SMD元件放上，即可焊接在电路板上了。

关于零件封装我们在前面说过，除了D

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EVICE。LIB库中的元件外，其它库的元件都已经有了固定的元件封装，这是因为这个库中的元件都有多种形式：以晶体管为例说明一下：

晶体管是我们常用的的元件之一，在DEVICE。LIB库中，简简单单的只有NPN与PNP之分，但实际上，如果它是NPN的2N3055那它有可能是铁壳子的TO—3，如果它是NPN的2N3054，则有可能是铁壳的TO-66或TO-5，而学用的CS9013，有TO-92A，TO-92B，还有TO-5，TO-46，TO-52等等，千变万化。还有一个就是电阻，在DEVICE库中，它也是简单地把它们称为RES1和RES2，不管它是100Ω还是470KΩ都一

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样，对电路板而言，它与欧姆数根本不相关，完全是按该电阻的功率数来决定的我们选用的1/4W和甚至1/2W的电阻，都可以用AXIAL0.3元件封装，而功率数大一点的话，可用AXIAL0.4,AXIAL0.5等等。现将常用的元件封装整理如下：

电阻类及无极性双端元件AXIAL0.3-AXIAL1.0

无极性电容 RAD0.1-RAD0.4

有极性电容 RB.2/.4-RB.5/1.0

二极管DIODE0.4及 DIODE0.7

石英晶体振荡器XTAL1

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晶体管、FET、UJT TO-xxx(TO-3,TO-5)

可变电阻（POT1、POT2）VR1-VR5

当然，我们也可以打开C:\Client98\PCB98\library\advpcb.lib库来查找所用零件的对应封装。

这些常用的元件封装，大家最好能把它背下来，这些元件封装，大家可以把它拆分成两部分来记如电阻AXIAL0.3可拆成AXIAL和0.3，AXIAL翻译成中文就是轴状的，0.3则是该电阻在印刷电路板上的焊盘间的距离也就是300mil（因为在电机领域里，是以英制单位为主的。同

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样的，对于无极性的电容，RAD0.1-RAD0.4也是一样；对有极性的电容如电解电容，其封装为RB.2/.4，RB.3/.6等，其中“.2”为焊盘间距，“.4”为电容圆筒的外径。

对于晶体管，那就直接看它的外形及功率，大功率的晶体管，就用TO—3，中功率的晶体管，如果是扁平的，就用TO-220，如果是金属壳的，就用TO-66，小功率的晶体管，就用TO-5，TO-46，TO-92A等都可以，反正它的管脚也长，弯一下也可以。

对于常用的集成IC电路，有DIPxx，就是双列直插的元件封装，DIP8就是双排，

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每排有4个引脚，两排间距离是300mil,焊盘间的距离是100mil。SIPxx就是单排的封装。等等。

值得我们注意的是晶体管与可变电阻，它们的包装才是最令人头痛的，同样的包装，其管脚可不一定一样。例如，对于TO-92B之类的包装，通常是1脚为E（发射极），而2脚有可能是B极（基极），也可能是C（集电极）；同样的，3脚有可能是C，也有可能是B，具体是那个，只有拿到了元件才能确定。因此，电路软件不敢硬性定义焊盘名称（管脚名称），同样的，场效应管，MOS管也可以用跟晶体管一样的封装，它可以通用于三个引脚的元件。Q1-B，

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在PCB里，加载这种网络表的时候，就会找不到节点（对不上）。在可变电阻上也同样会出现类似的问题；在原理图中，可变电阻的管脚分别为1、W、及2，所产生的网络表，就是1、

或h字样的符号，而电容一般都标有c类符号。高压电容标有1600v,2000v字样，压敏电阻没有。

R1=(12V)^2/8W=18欧姆

R2=(12V)^2/12W=12欧姆

R3=(12V)^2/15W=9.6欧姆

R4=(12V)^2/18W=8欧姆

R5=(12V)^2/24W=6欧姆

如果你有示波器的话，使用示波器测量MOS管的VDS电压，先增加个10nF,看VDS的电压是否有足够的余量。余量不足就加大电容容值，余量够了就可以减小容值。 另外需要看下吸收电阻的功率是否足够.