瓷片电容的规格怎么辨别

瓷片电容技术的发展历程：1900年意大利L.隆巴迪发明陶瓷介质电容；30年代末人们发现在陶瓷中添加钛酸盐可使介电常数成倍增长，因而制造出较便宜的瓷介质电容；1940年前后人们发现了现在的瓷片电容技术参数的主要原材料BaTiO3(钛酸钡)具有绝缘性后，开始将瓷片电容技术参数使用于对既小型、精度要求又极高的军事用电子设备当中

1960年左右陶瓷叠片电容作为商品开始开发

1970年，随着混合IC、计算机、以及便携电子设备的进步也随之迅速的发展起来，瓷片电容成为电子设备中不可缺少的零部件，而其中技术参数也是学者们研究的重点

现在的陶瓷介质电容的全部数量约占电容市场的70%左右

因为陶瓷介质电容的绝缘体材料主要使用陶瓷，其基本构造是将陶瓷和内部电极交相重叠

陶瓷材料有几个种类

自从考虑电子产品无害化特别是无铅化后，高介电系数的PB（铅）退出瓷片电容技术参数领域，现在主要使用TiO2(二氧化钛)、BaTiO3,CaZrO3(锆酸钙)等

和其它的电容相比具有体积小、容量大、耐热性好、适合批量生产、价格低等优点

由于原材料丰富，结构简单，价格低廉，而且电容量范围较宽（一般有几个PF到上百μF），损耗较小，电容量温度系数可根据要求在很大范围内调整

瓷片电容技术参数品种繁多，外形尺寸相差甚大从0402（约1×0.5mm）封装的贴片电容到大型的功率瓷片电容

按使用的介质材料特性可分为Ⅰ型、Ⅱ型和半导体瓷片电容；按无功功率大小可分为低功率、高功率瓷片电容；按工作电压可分为低压和高压瓷片电容；按结构形状可分为圆片形、管型、鼓形、瓶形、筒形、板形、叠片、独石、块状、支柱式、穿心式等

瓷片电容的分类：瓷片电容技术参数从介质类型主要可以分为两类，即Ⅰ类瓷片电容技术参数和Ⅱ类瓷片电容技术参数

Ⅰ类瓷片电容技术参数（ClassⅠceramiccapacitor），过去称高频瓷片电容技术参数（High-freqencyceramiccapacitor），是指用介质损耗小、绝缘电阻高、介电常数随温度呈线性变化的陶瓷介质制造的电容

它特别适用于谐振回路，以及其它要求损耗小和电容量稳定的电路，或用于温度补偿

Ⅱ类瓷片电容技术参数（ClassⅡceramiccapacitor）过去称为为低频瓷片电容技术参数（Lowfrequencycermiccapacitor），指用铁电陶瓷作介质的电容，因此也称铁电瓷片电容技术参数

这类电容的比电容大，电容量随温度呈非线性变化，损耗较大，常在电子设备中用于旁路、耦合或用于其它对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中

常见的Ⅱ类瓷片电容技术参数有：X7R、X5R、Y5V、Z5U其中：X7R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字7位最高工作温度+125℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；X5R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；Y5V表示为：第一位Y为最低工作温度-30℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母V为随温度变化的容值偏差+22%，-82%±15%

Z5U表示为：第一位Z为最低工作温度+10℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母U为随温度变化的容值偏差+22%，-56%

容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10 μF/16V

容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示

字母表示法：1m=1000 μF 1P2=1.2PF 1n=1000PF

数字表示法：三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。三位数字的前两位数字为标称容量的有效数字，第三位数字表示有效数字后面零的个数，它们的单位都是pF。

如：102表示标称容量为1000pF。

221表示标称容量为220pF。

224表示标称容量为22x10(4)pF。

在这种表示法中有一个特殊情况，就是当第三位数字用"9"表示时，是用有效数字乘上10的-1次方来表示容量大小。

如：229表示标称容量为22x(10-1)pF=2.2pF。

允许误差 ±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20%

如：一瓷片电容为104J表示容量为0.1 μF、误差为±5%

·高压陶瓷电容和高压瓷片电容的特点对比：

高压陶瓷电容的特点

1.不需要认证

2.超高压可以达到7KV 在高就罕见了，

3.打印方式和Y电容比不用把各国认证打在产品表面，

4 电压最低可以到16V

5，耐压最高2.5倍 一般生产是1.5倍的标准测

A型材料的交流击穿电压特性 外面用环氧树脂模压包封的陶瓷电容器的击穿电压厂。与间隙长G(圆片半径与电极半径之差)的关系。电容器的直径为18mm,材料介电常数为1460‘以下简称A材),电极为银电极。试验条件为25℃,施加50Hz交流电压,电压上升率为ZkV/s

高压瓷片电容特点：

常用于高压场合。

陶瓷有I类瓷，II类瓷，III类瓷之分，

I类瓷，NP0，温度特性，频率特性和电压特性佳，因介电常数不高，所以容量做不大；

II类瓷，X7R次之，温度特性和电压特性较好；

III类瓷，介电常数高，所以容量可以做很大，但温度特性和电压特性不太好。

瓷片电容器一般体积不大。

另外，再强调一个重要特点：

瓷介电容器击穿后，往往呈短路状态。（这是它的弱点）

而薄膜电容器失效后，一般呈开路状态。

高压瓷片电容和高压陶瓷电容功能基本上是一样的，一些细节会有些不同。所以在使用的时候也要注意到性能方面。

一、直插的高压陶瓷电容器，俗称DIP类的，这类产品从16VDC到100KV都有生产，但是主要是指直流的，而且是引线型的。

二、直插型的陶瓷电容器有另类，就是交流陶瓷电容器，一般指250VAC的Y2安规电容器，以及400VAC的Y1交流安规电容器。从名称上显而易见，这类电容的电压是指交流电压，而且是有十个左右的国家的安全认证的。陶安规电容器之外，别的引线型陶瓷电容器所说的电压一般是指直流而言。

三、贴片陶瓷电容，俗称SMD类的，这种电容的规格一般以0201，0402，0603，0805，1206，1210等表示。。贴片电容英文简写是MLCC，电压从6.3VDC到2KV以上都有，当然，电压越高，价格也越不菲。

四，螺栓型高压陶瓷电容器。这类电容器一般耐超高电压，在电力系统中往往是指交流电压。如40KV102K，40KV103K，40KV153K等，型号很多种，但是里边的电压并不是直流。因为我们家里，或工厂企业所用的电都是交流电啊！这类电容器的技术含量是相当高的，往往是很多企业能做出这种形状，却始终没办法做出客人要求的品质，原因是：首先这类产品要求较高的交流电压，而大多数厂所标的是直流电压，所以，在送样阶段就被淘汰了；其次，这类高压陶瓷电容器要求超低的局放，局部放电量越大，电容的实际耐压值就越低，因此，局放是衡量一颗电容的质量的最好标准；再次，超高的工频，一般的引线型的电容也要以做到袍高的工频，而这种螺栓型的就更高要求。最后，这类电容对材质要求很严格，因为不同材质的损耗和温度系数，介电系数不一样。 高压发生器要用到很多高压陶瓷电容器和大容量高压电容器。传统使用，客人们一般都使用高压薄膜类的电容器，但是随着陶瓷电容的优势不断体现，将来，薄膜电容器将越来越少的出现在高压发生器中。

高压薄膜类电容器与高压陶瓷电容器的各自优劣，主要是以下几点：

1.高压陶瓷电容的使用寿命更长。薄膜电容的寿命也就是三两年，电好的产品也不会超出5年。而高压陶瓷电容器则不同，比方说帝科电容就公开承诺：按20年设计，至少保证使用10年。

2.高压陶瓷电容的内阻更小。这是由各自的构造特点决定的。高压陶瓷电容器的内阻很小，而薄膜电容器由于是采取卷绕方式，这样就造成内阻偏大。而这种偏大的内阻带来的另一负面影响就是，电容在反复充放电的过程中，内阻会继续变大，并且会在一定时候使电容在电路中失效。

3.相对而言高压陶瓷电容器的电压更高。薄膜电容器的电容相对来讲，工作电压是不如陶瓷电容的高，这是共识；

4.有优点也会有缺点，陶瓷电容的容量较小。 高压陶瓷电容器的可靠性测试，也叫老化测试，寿命测试，包括很多方面的测试内容：

1，串联电阻测试，绝缘电阻测试；

2，拉力测试，即引线与芯片焊接的牢固度；

3，正负温变化率测试，即-40度到+60度状况下，电容的变化率；

4，老化测试，高压陶瓷电容在模拟工作环境状态下运作30~60天，测试其衰减其各项参数的变化；

5，耐压实验，包括额定工作电压24小时工作测试；也包括击穿耐压，即破坏性测试，电容被击穿前的那一个临界电压就是击穿电压。

6，局放测试，即局部放电测试；

7，寿命测试，即在老化测试的基础上，再对电容进行高频冲电流下快速充放电测试，得到的充放电次数就是充放电寿命，注意，这个寿命的得出是在长时间的老化之后得出的。 高温烧结，是高压陶瓷电容的最重要的工序之一。经过一百吨的冲压铸造，以及一千多度的高温烧结，高压陶瓷电容的芯片内部，各分子之间的构造成晶体结构。接下来的6小时的高温烘烤，和7小时的保温，彻底打乱了晶体的内部构造。

那么，要想恢复芯片的构造，稳固芯片的特性，高压陶瓷电容需要时间恢复。自然恢复（常温存放）以60天以上的时间为佳。而且，存放一年与存放两年的产品，以时间长为表现优异。所以，恢复期长，对电容器的性能是有很大帮助的，没有恢复期的电容，其耐压及耐电流性能是较差的。经试验发现，存放时间长的高压陶瓷电容器，其损耗角值会变得更小，高频特性也会更好。 ·电容的基本单位是：F（法），此外还有μF（微法）、pF（皮法），另外还有一个用的比较少的单位，那就是：nF，由于电容F的容量非常大，所以我们看到的一般都是μF、nF、pF的单位，而不是F的单位。他们之间的具体换算如下：

1F=1000000μF

1μF=1000nF=1000000pF

·电容的符号：

电容的符号同样分为国内标表示法和国际电子符号表示法，但电容符号在国内和国际表示都差不多，唯一的区别就是在有极性电容上，国内的是一个空筐下面一根横线，而国际的就是普通电容加一个“+”符号代表正极。 1.工作电压

在交流电路或纹波电流电路中使用直流额定电压电容器时,请务必将外加电压的Vp-p值或包含直流偏置电压的Vo-p值维持在额定电压范围内.

若向电路施加电压,开始或停止时可能会因谐振或切换产生暂时的异常电压.请务必使用额定电压范围包含这些异常电压的电容器.

2.工作温度和自生热

(适用于B/E/F特性)

电容器的表面温度应保持在其额定工作温度范围的上限以下.务必考虑到电容器的自生热.电容器在高频电流,冲激电流等中使用时可能会因介电损耗发出自生热.外加电压应使自生热等负荷在25℃周围温度条件下不超过20℃范围.测量时应使用0.1mm小热容量的(K)的热电偶,而且电容器不应受到其它元件的散热或周围温度波动影响.

过热可能会导致电容器特性及可靠性下降.(切勿在冷却风扇运转时进行测量.否则无法确保测量数据的精确性)

3.耐电压的测试条件

(1)测试设备

交流耐电压的测试设备应具有能够产生类似于50/60Hz正弦波的性能.

如果施加变形的正弦波或超过规定电压值的过载电压,则可能会导致故障.

(2)电压外加方法

施加耐电压时,电容器的引线或端子应与耐电压测试设备的输出端连接牢固然后再将电压从近零增加到测试电压.

如果测试电压不从近零逐渐提高而是直接施加在电容器上,则施加时应包含过零点*.测试结束时,测试电压应降到近零然后再将电容器引线或端子从耐电压测试设备的输出端取下.

如果测试电压不从近零逐渐提高而是直接施加在电容器上,则可能会出现浪涌电压,从而导致故障.0V电压正弦波

*过零点是指电压正弦通过0V的位置.

4.失效安全性

当电容器损坏时,失效可能会导致短路.为了避免在短路时引起触电,冒烟,火灾等危险情况,请在电路中使用熔丝等元件来设置自动防故障功能.

使用本产品时如忽略上述警告事项,则在严重情况下可能导致短路,并引起冒烟或局部离散。

331为330pF=0.33nF=0.00033μF

68为68pF

682为6800pF=6.8nF=0.0068μF

5为5pF

附：小瓷片、涤纶电容的标识含义（给你学习）

1F（法）=1000000 μF（微法），即106μF（微法）

1μF（微法）=1000 nF (纳法)，即103nF（纳法）=1000,000 pF (皮法)

1nF (纳法) =1000 pF (皮法) ，即103pF（皮法）

104表示为：10,0000 pF(皮法)=100 nF (纳法)=0.1μF（微法）；

223表示为：22,000 pF(皮法)=22 nF (纳法)=0.022μF（微法）；

684表示为：68,0000 pF(皮法)=680 nF (纳法) =0.68μF（微法）；

105表示为：10,00000 pF(皮法)=1000 nF (纳法)=1μF（微法）。

1、电容耐压、误差标识意义

I类、II类电容的耐压代号：

A:：1.0V G： 4.0V B:：1.25V W:：4.5V C:：1.6V H:：5.0V D： 2.0V

J:：6.3V E:：2.5V K:：8.0V F:：3.15V Z:：9.0V

以上字母前面的数字表示10的多少次幂，如2A就表示耐压为1.0×10^2=100V； 2J就表示耐压为6.3×10^2=630V。

2、电容器精度等级表示方法

常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同。用字母表示：

D——0.05级——±0.5%；

F——0.1级——±1%；

G——0.2级——±2%；

J—— I 级——±5%；

K—— II 级——±10%；

M—— III 级——±20%。

当测量中发现万用表的指针无法达到无穷大的位置时，指针所指的阻值就是该瓷片电容器的漏电电阻

指针距离阻值无穷大的位置越远，说明瓷片电容器漏电越严重

有的电容器在测其漏电电阻时，指针退回无穷大的位置，然后又慢慢的向顺时针方向摆动，摆动的越多说明陶瓷电容的漏电流越严重

瓷片电容的断路测量

瓷片电容的容量范围很宽，用万用表判断电容器的断路情况时，首先要看电容量的大小

对于0.019UF以下的小容量电容器，用万用表不能准确判断其是否断路，只能用其他仪表进行鉴别

对于0.01UF以上的瓷片电容，用万用表测量时，必须根据瓷片电容容量大小，选择合适的量程进行测量，才能正确的给以判断

如测量300UF以上的陶瓷电容，可以选R*10档或者R*1档；如要测10~300UF陶瓷电容时可选用R*100档；如要测0.4710UF的电容可选用R*1K档

按照上述方法选好量程后，便可将万用表的两表笔分别接陶瓷电容的两引脚

测量时，如指针不动，可将两表笔对调后再测，如指针不动，说明瓷片电容断路

用万用表的欧姆档测量瓷片电容的短路

用万用表的两表笔分别接电容器的两引脚，如果指针所指示的阻值很小或者接近为零，而且指针不再退回无穷大的位置，说明瓷片电容已经被击穿短路

需要注意的是在测量容量较大的电容器时，要根据电容量的大小，依照上述介绍的量程选择方法来选择适合的量程，否则可能会把瓷片电容的充电误认为击穿

选择瓷片电容时，产品质量好坏直接关系我们的生活品质及生活安全

请选择原厂正品出产，品质有保证并可安全使用

1、高压陶瓷电容，一般耐压1KV以上的。

2、中压陶瓷电容，一般指100-1KV的。

3、低压陶瓷电容，一般指100V以下的。

至于型号：就和普通电容一样，基本的容值都有。1p-104pf里都有。

通常情况下，100uF的贴片陶瓷电容会比同样规格的钽电容还要贵，所以如果需要再大的容值，比如220uF，470uF等等，一般都是直接选用钽电容。

一般来说贴片陶瓷电容最大容值是100uF，尺寸有1210,1812等规格。。---------%易%容%网。

钽电容寿命长、耐高温、准确度高、滤高频谐波性能极好，即便是同等价格前提下，也是优于贴片陶瓷电容的选择。

表示方法：

瓷片电容： 多数在1μF以下，

①直接用数字表示。如： 10、22、0.047、0.1 等等， 这里要注意的是单位。凡用整数表示的， 单位默认pF； 凡用小数表示的，单位默认μF。如以上例子中， 分别是10P、22P、0.047μF、220μF 等。

②现在国际上流行另一种类似色环电阻的表示方法（ 单位默认pF） ：

前两个数字表示有效读数，第三个数字表示后面追加的“0”的个数。

如： “ 473”（即47加三个0）=47000pF=0.047μF  ，

“ 103”即（10+000）pF=10000PF=0.01μF等等， 这种表示法已经相当普遍。

瓷片电容104是100000皮法（pF），也就是是100纳法（nF）。

瓷片电容104，采用的是数字表示法：三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。三位数字的前两位数字为标称容量的有效数字，第三位数字表示有效数字后面零的个数，它们的单位都是pF，如：

101表示标称容量为10pF；

102表示标称容量为1000pF；

221表示标称容量为220pF；

在这种表示法中有一个特殊情况，就是当第三位数字用"9"表示时，是用有效数字乘上10的-1次方来表示容量大小。如：229表示标称容量为22x(10-1)pF=2.2pF。

扩展资料：

瓷片电容通常用于高稳定振荡回路中，作为回路、旁路电容器及垫整电容器。除数字表示法外，瓷片电容的识别方法还有：

1、直标法，数值直接在电容上标出，如果数字是10n，那么就是10nF，同样100p就是100pF。

2、色标法，沿电容引线方向，用不同的颜色表示不同的数字，第一，二种环表示电容量，第三种颜色表示有效数字后零的个数（单位为pF）。颜色意义：黑=0、棕=1、红=2、橙=3、黄=4、绿=5、蓝=6、紫=7、灰=8、白=9。

在国际单位制里，电容的单位是法拉，简称法，符号是F，由于法拉这个单位太大，所以常用的电容单位有毫法（mF）、微法（μF）、纳法（nF）和皮法（pF）等，换算关系是：

1法拉（F）= 10^3毫法（mF）=10^6微法（μF）=10^9纳法（nF）=10^12皮法（pF）。

参考资料来源：百度百科—瓷片电容

参考资料来源：百度百科—电容

根据查询相关公开信息显示，电容的容值越大，谐振频率越低，电容能有效补偿电流的频率范围也越小，因此，为保证电容提供高频电流的能力，电容并不是越大越好。

瓷片电容是一种用陶瓷材料作介质，在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜，再经高温烧结后作为电极而成的电容器，通常用于高稳定振荡回路中，作为回路、旁路电容器及垫整电容器。