2KV222和2kV222k瓷片电容的区别

直接说吧，这个电容是680P。 p就是nF， 也就是微微法。 1微法=1百万微微法。 电容耐压是2000V 。 681中的1表示在68后缀1个0 ，如果是682， 则表示后缀2个0， 就是6800p ，以此类推。

陶瓷电容C1210C106K4PACTU与C1210C106K4PAC7800的区别如下：

线路上标示c10 是330uF 电解电容，电解电容有极性贴片电容没有，这就是其中一个区别，而且330uF贴片电容也很难找到。

陶瓷电容C1210C106K4PACTU说明：

描述对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况。CAP CER 10UF 16V 10% X5R 1210无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

标准包装类别家庭系列包装电容电压 - 额定容差温度系数安装类型工作温度应用等级封装/外壳大小/尺寸高度 - 安装（最大值）厚度（最大值）引线间距特性引线形式产品目录页面其它名称。

你好，1.数字加字母表示法：此法最常用，数字表示有效值．常为1～4位。字母表示单位。另外用数值表示时，不用小数点，而用R表示或把单位写在整数与小数之间，列如：

7p5=7.5pF，10n5=10.5nF，4u7=4．7uF=4R7，2m2=2200uF。

2.数字表示法。此法较常用，通常用的单位为pF、uF两种。对于瓷片等普通电容，往往将pF省略，而电解电容省略uF，例：5为5pF；2200为2200pF，47(电解)为47uF。

3．数码表示法：此法一般用于小容量电容。一般有三位数字。第一、第二位数为有效值．第三位为倍数，即表示后面跟多少个0。例223表示22×10的3次方pF，473表不47×10的3次方pF，另外，如果第三位数为9，表示10的-1次方而不是10的9次方。例479表示为47×10的-1次方为4．7pF。这类电容常带有后缀字母，用于表示精度，识别方法为：D-±0．5％，容量小于10pF的电容表示±0．5pF；F-±1％，容量小于10pF表示±1pF；G-±2％，J-±5％；K-±10％，P- （+100、-0)%z-（+80/-20）％；s-（+50/-20）％。例如223J表示22000pF，误差为±5％；102K表示1000pF，误差为±10％。

protel99常用元件的电气图形符号和封装形式

1.电阻原理图中常用的名称为RES1-RES4；引脚封装形式：

AXIAL系列 从AXIAL-0.3到AXIAL-1.0，后缀数字代表两焊盘的间距，单位为Kmil.

2.电容原理图中常用的名称为CAP（无极性电容）、ELECTRO（有极性电容）；引脚封装形式：无极性电容为RAD-0.1到RAD-0.4，有极性电容为RB.2/.4到RB.5/1.0.

3.电位器原理图中常用的名称为POT1和POT2；引脚封装形式：VR-1到VR-5.

4.二极管原理图中常用的名称为DIODE（普通二极管）、DIODE SCHOTTKY（肖特基二极管）DUIDE TUNNEL（隧道二极管）DIODE VARCTOR（变容二极管）ZENER1~3（稳压二极管）

5.引脚封装形式：DIODE0.4和DIODE 0.7引脚封装形式：无极性电容

6.三极管原理图中常用的名称为NPN，NPN1和PNP，PNP1；引脚封装形式TO18、TO92A（普通三极管）TO220H（大功率三极管）TO3（大功率达林顿管）

7.场效应管原理图中常用的名称为JFET N（N沟道结型场效应管），JFET P（P沟道结型场效应管）MOSFET N（N沟道增强型管）MOSFET P（P沟道增强型管）引脚封装形式与三极管同。

8.整流桥原理图中常用的名称为BRIDGE1和BRIDGE2，引脚封装形式为D系列，如D-44，D-37，D-46等。

9.单排多针插座原理图中常用的名称为CON系列，从CON1到CON60，引脚封装形式为SIP系列，从SIP-2到SIP-20。

10.双列直插元件原理图中常用的名称为根据功能的不同而不同，引脚封装形式DIP系列。

11.串并口类原理图中常用的名称为DB系列，引脚封装形式为DB和MD系列。

1、先说换算：1微法=1000N法（代表微法的字母是‘米由'键盘不知怎么打） ，1N法=1000P法 。2、云母电容、瓷片电容等由于容量小，一般不用微法做单位。大多用P法做单位，是三位数字后缀字母，从左向右前两位是有效数字，第三位是加零个数，第四位字母是误差。220就是22P法，如果222就是2200P法。至于耐压另起一行直接标注。3、凡是用N法做单位的也采用直接标注法，如68N、4.7N、4N7等。4、电解电容由于容量大，全部采用微法做单位，直接标注，如0.22米由F,就是0.22微法。耐压另起一行直接标注。