三元催化陶瓷去哪里卖了
修理厂跟汽配城还有淘宝都可以买到的，大概几千元
一.三元催化器安装在汽车排气系统中的机外净化装置，它也是汽车重要的环保装置。三元催化器把发动机排出的有害气体，通过净化剂增强汽车尾气中CO、HC和NOx三种气体的活性，促使其进行一定的氧化还原反应，最终变成无害气体。由于三元催化器含有贵重金属，所以本身价格比较昂贵。三元催化器分为四个部分，由壳体、减振层、载体和催化剂涂层组成。三元催化器最主要的部件是载体，安装在壳体中，是一块多孔陶瓷材料，不过它本身并不参加催化反应，而是上面覆盖着一层催化剂涂层，它们分别是Pt（铂）、Rh（铑）、Pd（钯）等稀有金属，和包括Ce（铈）、La（镧）在内的稀土金属。
1.本发明涉及新材料领域，具体为一种导电性较强的高性能陶瓷材料及其制备方法。
背景技术：
2.导电陶瓷材料是指陶瓷材料中具备离子导电、电子/空穴导电的一种新型功能的材料，在能源、冶金、换班、电化学器件等各个领域有着广阔的应用前景。导电陶瓷具有抗氧化、抗腐蚀、抗辐射、耐高温和长寿命等特点，可以用于固体燃料电池电极、气敏元件、高温加热、固体电阻器、氧化还原材料和高临界温度超导材料等方面。
3.提高碳化硅陶瓷材料的导电性，不仅可以解决应用受限的问题，而且导电性达到一定程度后可以满足电火花加工条件，利用电火花加工可以快速精确的完成碳化硅陶瓷材料后期的加工成型。如果陶瓷材料不仅具备导电性能，还具备其他优异的性能，更能够拓宽陶瓷材料的适用范围。由此，研究导电性较强的高性能陶瓷材料是非常有发展前景的。因此，制备一种保温隔热性能优异的新型陶瓷材料是非常有必要的。
技术实现要素：
4.本发明的目的在于提供一种导电性较强的高性能陶瓷材料，以解决上述背景技术中提出的问题。
5.为了解决上述技术问题，本发明第一方面提供如下技术方案：一种导电性较强的高性能陶瓷材料，其特征在于，包括以下重量份数的原料：
6.20～30份氧化锆、80～120份碳化硅、8～16份氧化铝、10～25份锌粉，2～4份氧化钇、20～40份烧结助剂、30～60份聚乙烯醇。
7.优选的，所述烧结助剂为使用聚乙烯醇包裹氧化铝和氧化钇。
8.本发明第二方面提供：一种导电性较强的高性能陶瓷材料的制备方法，其特征在于：
9.制备导电性较强的高性能陶瓷材料的工艺流程为：
10.球磨陶瓷原料，特殊的高温煅烧，二次球磨，制备烧结助剂，液相烧结，降温制得成品。
11.优选的，包括以下具体步骤：
12.(1)将氧化锆与碳化硅按一定比例混合，形成混料；
13.(2)向混料中加入与混料体积比为1：1的无水乙醇，制成湿料，将湿料置于陶瓷球磨机中进行研磨，研磨时间为1.5～3h；
14.(3)将混料置于焙烧炉中进行第一次高温煅烧；
15.(4)调节温度，通入氮气，进行第二次高温煅烧；
16.(5)保持温度不变，向混料中通入脉冲电流进行第三次高温煅烧，电流大小为1ka，周期为0.08s；
17.(6)高温煅烧后加入锌粉，将混料置于陶瓷球磨机中，进行二次球磨；
18.(7)将氧化铝和氧化钇浸于三倍体积的聚乙烯醇中，制得烧结助剂；
19.(8)向二次球磨后的混料中加入烧结助剂，进行液相烧结，烧结温度保持在930～1100℃；
20.(9)烧结完成后进行梯度温度速降式降温，制得成品。
21.优选的，上述步骤(1)中：氧化锆与碳化硅的质量比为1：4。
22.优选的，上述步骤(3)中：第一次高温煅烧温度为1700～1900℃。
23.优选的，上述步骤(4)中：第二次高温煅烧温度为2100～2300℃。
24.优选的，上述步骤(6)中：加入锌粉与混料体积比为1：8。
25.优选的，上述步骤(7)中：氧化铝和氧化钇质量比为4：1。
26.优选的，上述步骤(9)中：降温时，降温速度为200℃/h，每隔1h进行一次保温，保温时间为0.5h。
27.与现有技术相比，本发明所达到的有益效果是：
28.对于原料的预处理使用特殊的多次煅烧方式；首先原料碳化硅、二氧化硅、氧化锆球磨后进行第一次高温煅烧，提高粉体活性，降低粉体的烧结温度；然后升高温度，在氮气氛围下进行第二次煅烧，部分碳化硅与二氧化硅和氮气反应，转变为氮化硅，并生成碳；最后再在颗粒间直接通入脉冲电流进行第三次煅烧，氧化锆与碳反应生成碳化锆，经过三次煅烧后陶瓷材料的高阻成分为颗粒大小不一的碳化硅、氧化锆、氮化硅、碳化锆，第三次煅烧后加入锌粉，进行二次球磨，球磨后进行液相烧结，烧结时锌粉被氧化成四针状的氧化锌，穿插在颗粒大小不一的陶瓷材料中，烧结后后，使四针状氧化锌在陶瓷材料中均匀分布形成电渗流网络，使陶瓷材料不仅获得导电性能，还获得抗氧化、抗冷热冲击的高性能。
29.高温煅烧后使用聚乙烯醇包裹氧化铝和氧化钇作为烧结助剂，进行造粒和液相烧结，聚乙烯醇在造粒时作为粘结剂，成型时直接将氧化铝和氧化钇释放，成型和烧结时进行，减少工艺流程，使陶瓷材料得到交流导电性能；液相烧结过程中会形成少量的氧化物，在剩余的碳化硅晶粒间形成一层薄膜，将烧结时间延长，使材料中的氧和铝的含量减少，降低薄膜的厚度，随着四针状氧化锌生成，穿插在薄膜中，在液相中的长时间烧结导致碳化硅晶粒先溶解，再沉淀在四针状氧化锌晶粒表面，碳化硅变成由铝和氧掺杂的复合相，具备导电能力，与氧化锌共同形成交叉的三维导电网络，导电性能增强，且薄膜越薄导电性越强。
30.烧结完成后进行梯度温度速降式降温，由于陶瓷材料具备抗冷热性能，不会对陶瓷材料产生影响，梯度温度速降式降温后，不仅使颗粒中的缝隙变小，陶瓷材料与四针状氧化锌的接触更加密切，导电性能稳定，还使得晶界处的薄膜变薄，增强陶瓷材料的导电性能。
具体实施方式
31.下面将结合本发明的实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
32.一种导电性较强的高性能陶瓷材料，其特征在于，包括以下重量份数的原料：
33.20～30份氧化锆、80～120份碳化硅、8～16份氧化铝、10～25份锌粉，2～4份氧化钇、20～40份烧结助剂、30～60份聚乙烯醇。
34.优选的，所述烧结助剂为使用聚乙烯醇包裹氧化铝和氧化钇。
35.本发明第二方面提供：一种导电性较强的高性能陶瓷材料的制备方法，其特征在于：
36.制备导电性较强的高性能陶瓷材料的工艺流程为：
37.球磨陶瓷原料，特殊的高温煅烧，二次球磨，制备烧结助剂，液相烧结，降温制得成品。
38.优选的，包括以下具体步骤：
39.(1)将氧化锆与碳化硅按一定比例混合，形成混料；
40.(2)向混料中加入与混料体积比为1：1的无水乙醇，制成湿料，将湿料置于陶瓷球磨机中进行研磨，研磨时间为1.5～3h；
41.(3)将混料置于焙烧炉中进行第一次高温煅烧；
42.(4)调节温度，通入氮气，进行第二次高温煅烧；
43.(5)保持温度不变，向混料中通入脉冲电流进行第三次高温煅烧，电流大小为1ka，周期为0.08s；
44.(6)高温煅烧后加入锌粉，将混料置于陶瓷球磨机中，进行二次球磨；
45.(7)将氧化铝和氧化钇浸于三倍体积的聚乙烯醇中，制得烧结助剂；
46.(8)向二次球磨后的混料中加入烧结助剂，进行液相烧结，烧结温度保持在930～1100℃；
47.(9)烧结完成后进行梯度温度速降式降温，制得成品。
48.优选的，上述步骤(1)中：氧化锆与碳化硅的质量比为1：4。
49.优选的，上述步骤(3)中：第一次高温煅烧温度为1700～1900℃。
50.优选的，上述步骤(4)中：第二次高温煅烧温度为2100～2300℃。
51.优选的，上述步骤(6)中：加入锌粉与混料体积比为1：8。
52.优选的，上述步骤(7)中：氧化铝和氧化钇质量比为4：1。
53.优选的，上述步骤(9)中：降温时，降温速度为200℃/h，每隔1h进行一次保温，保温时间为0.5h。
54.实施例1：导电性较强的高性能陶瓷材料一：
55.一种导电性较强的高性能陶瓷材料，该陶瓷材料组分以重量份计：
56.氧化锆重量分数为20份、碳化硅重量分数为80份、氧化铝重量分数为8份、锌粉重量分数为10份、氧化钇重量分数为2份、烧结助剂重量分数为20份、聚乙烯醇重量分数为30份。
57.该陶瓷材料的制备方法如下：
58.(1)将重量分数为20份的氧化锆与80份的碳化硅混合，形成混料；
59.(2)向混料中加入与混料体积比为1：1的无水乙醇，制成湿料，将湿料置于陶瓷球磨机中进行研磨，研磨时间为1.5h；
60.(3)将混料置于焙烧炉中进行第一次高温煅烧，煅烧温度为1700℃；
61.(4)调节温度为2100℃，通入氮气，进行第二次高温煅烧；
62.(5)保持温度不变，向混料中通入脉冲电流进行第三次高温煅烧，电流大小为1ka，周期为0.08s；
63.(6)高温煅烧后加入重量分数为10份的锌粉，将混料置于陶瓷球磨机中，进行二次球磨；
64.(7)将重量分数为8份的氧化铝和2份的氧化钇浸于三倍体积的聚乙烯醇中，制得烧结助剂；
65.(8)向二次球磨后的混料中加入烧结助剂，进行液相烧结，烧结温度保持在1000℃；
66.(9)烧结完成后进行梯度温度速降式降温，降温速度为200℃/h，每隔1h进行一次保温，保温时间为0.5h，制得成品。
67.实施例2：导电性较强的高性能陶瓷材料一：
68.一种导电性较强的高性能陶瓷材料，该陶瓷材料组分以重量份计：
69.氧化锆重量分数为30份、碳化硅重量分数为120份、氧化铝重量分数为16份、锌粉重量分数为25份、氧化钇重量分数为4份、烧结助剂重量分数为40份、聚乙烯醇重量分数为60份。
70.该陶瓷材料的制备方法如下：
71.(1)将重量分数为30份的氧化锆与120份的碳化硅混合，形成混料；
72.(2)向混料中加入与混料体积比为1：1的无水乙醇，制成湿料，将湿料置于陶瓷球磨机中进行研磨，研磨时间为3h；
73.(3)将混料置于焙烧炉中进行第一次高温煅烧，煅烧温度为1900℃；
74.(4)调节温度为2300℃，通入氮气，进行第二次高温煅烧；
75.(5)保持温度不变，向混料中通入脉冲电流进行第三次高温煅烧，电流大小为1ka，周期为0.08s；
76.(6)高温煅烧后加入重量分数为25份的锌粉，将混料置于陶瓷球磨机中，进行二次球磨；
77.(7)将重量分数为16份的氧化铝和4份的氧化钇浸于三倍体积的聚乙烯醇中，制得烧结助剂；
78.(8)向二次球磨后的混料中加入烧结助剂，进行液相烧结，烧结温度保持在1100℃；
79.(9)烧结完成后进行梯度温度速降式降温，降温速度为200℃/h，每隔1h进行一次保温，保温时间为0.5h，制得成品。
80.对比例1
81.对比例1的处方组成同实施例1。该导电性较强的高性能陶瓷材料的制备方法与实施例1的区别仅在于不进行步骤(3)(4)(5)的制备过程，将步骤(6)修改为：将步骤(2)得到的混料进行高温煅烧，煅烧温度为1900℃，煅烧后加入重量分数为10份的锌粉进行二次球磨。其余制备步骤同实施例1。
82.对比例2
83.对比例2的处方组成同实施例1。该导电性较强的高性能陶瓷材料的制备方法与实施例1的区别仅在于不进行步骤(7)的制备，步骤(8)中依次加入聚乙烯醇、裹氧化铝和氧化
钇。其余制备步骤同实施例1。
84.对比例3
85.对比例3的处方组成同实施例1。该导电性较强的高性能陶瓷材料的制备方法与实施例1的区别仅在于步骤(9)的不同，将步骤(9)修改为：烧结完成后自然冷却至室温，制得成品。其余制备步骤同实施例1。
86.试验例1
87.1、试验方法
88.实施例1与对比例1、2、3为对照试验，将陶瓷材料进行电阻率测量进行对比。
89.2、试验结果
90.实施例1与对比例1、2、3电阻率对比。
91.表1陶瓷材料的电阻率
[0092] 电阻率(ω
·
cm)实施例136.95对比例159.37对比例244.21对比例340.99
[0093]
通过实施例1与对比例1、2、3电阻率进行对比，可以明显发现实施例1制备的陶瓷材料电阻率较低，而对比例1与对比利2电阻率较高，电阻率越低导电性越强，说明实施例1制备的陶瓷材料导电性较强，预示着本发明制备的导电性较强的高性能陶瓷材料具备不仅具备导电性能，且导电性能优异。
[0094]
试验例2
[0095]
1、试验方法
[0096]
实施例1与对比例1为对照试验，将陶瓷材料在空气中加热至1500℃，进行10次急速冷却和加热，观察陶瓷表面变化，进行抗冷热冲击测试进行对比。
[0097]
2、试验结果
[0098]
实施例1与对比例2抗冷热冲击对比
[0099]
表2陶瓷表面变化
[0100] 5次急速冷却和加热10次急速冷却和加热实施例1陶瓷表面光滑陶瓷表面光滑对比例2陶瓷表面出现细小裂纹陶瓷表面出现明显裂纹
[0101]
通过实施例1与对比例2抗冷热冲击对比，可以明显发现实施例1在经过10次急速冷却和加热后，表面仍无裂痕出现，说明实施例1使用的特殊多次煅烧方式，可以提高陶瓷材料的性能，增强陶瓷材料的抗冷热冲击性能，预示着本发明制备的导电性较强的高性能陶瓷材料具备优异的导电性能的同时，还具备较强的抗冷热冲击性。
[0102]
最后应说明的是：以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
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该技术已申请专利。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系技术所有人。
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特点：由于其导电层呈现颗粒状结构，所以其噪声大，精度低，主要用他制造高
压， 高阻， 小型电阻器。
130℃是它的工作时的最大温度值。还有其他类似的元件如下：
各种电阻的特性
碳膜电阻器（RT）
材料：高温下将有机化合物（烷，苯等碳氢化合物）热分解产生的碳积在陶瓷肌体表面。碳膜电阻器阻值范围宽，由良好的稳定性，温度系数不大且是负值，是目前应用最广泛的电阻器。
超小型碳膜电阻：RT13功率：0.125W 阻值范围：1-1M 允差：G,J,K环境温度范围： -55---125C 额定温度70 C 最大工作电压：150V温度系数：-400---1500PPM 最大重量： 0.1G
碳膜电阻：RT-0.25功率：0.25W 阻值范围：10-5.1M 允差:J,K环境温度范围： -55---100C 额定温度40 C 最大工作电350V 温度系数：-600---1200PPM 最大重量： 1.5G
碳膜电阻：RT-1功率：1W 阻值范围：27-10M 允差:J,K
环境温度范围： -55---100C 额定温度40 C 最大工作电压：700V温度系数：-600---1200PPM 最大重量：3.4G
金属氧化膜电阻：(RJ)
材料：利用金属氯化物（氯化锑，氯化锌，氯化锡）高温下在绝缘体水解形成金属氧化物电阻膜。
特点：由于其本身即是氧化物，所以高温下稳定，耐热冲击，负载能力强。但其在直流下容易发生电解使氧化物还原，性能不太稳定。
RY 功率：0.25W阻值范围：1-1K 允差：J,K
最大工作电压：250V温度系数：+-700PPM（负温：+-1200PPM）最大重量： 0.25G
RY 功率：2W阻值范围：1-10K 允差：J,K 最大重量： 3.5G最大工作电压：750V 温度系数+-700PPM（负温：+-1200PPM）
RY70 功率：1W阻值范围：10-1K 允差：D,F,G 最大重量： 3.5G温度系数+-200PPM（负温：+300PPM）
SMT 电阻：（RI）
材料：片状电阻是金属玻璃铀电阻的一种形式，他的电阻体是高可靠的钌系列玻璃铀材料经过高温烧结而成，电极采用银钯合金浆料。
特点：体积小，精度高，稳定性好，由于其为片状元件，所以高频性能好。
RI 功率：0.125W 阻值范围：50-10M 允差：J,K,M
最大工作电压：63V温度系数：+-500PPM +-700额定温度： 70C
尺寸：3.2*1.6mm
RI13 功率：0. 25W 阻值范围：5.1-10M 允差：J,K,M,G
温度系数： 500PPM额定温度： 70C尺寸：9*4.5mm
RI 功率：0. 05W 阻值范围：50-10M 允差：J,K,M,
温度系数： +-500PPM+-700PPM额定温度： 70C尺寸：2*1.25mm
金属膜电阻（RJ）
材料：通过真空蒸发或阴极溅射，沉积在陶瓷肌体表面上一层很薄的金属或合金膜。
特点：金属膜电阻比碳膜电阻的精度高，稳定性好，噪声， 温度系数小，金属膜电阻由于结构不均匀，因此使他的脉冲负载能力差。
RJ13功率：0.125W 阻值范围：100-510K 允差：,J,K
最大工作电压：150V 温度系数：+-500PPM 最大重量： 0.1G
RJ17功率：0.25W 阻值范围：1000-1M 允差：B,C,D
最大工作电压：250V(脉冲500) 温度系数：+-25PPM（负温：+-100PPM） 最大重量： 2.0G
RJ74功率：0.25W 阻值范围：1000-510K 允差：B,C,D,F
最大工作电压：250V 温度系数：+-15PPM
化学沉积金属膜电阻（RC）
材料：他是镀液中的金属离子在陶瓷肌体表面形成金属薄膜，他是利用化学反应进行镀膜。目前一般沉积的是镍膜。
特点：由于化学沉积膜的电阻可以很低，可弥补精密金属膜电阻的低阻部分，由于化学膜反应时产生大量氢气使镀膜多孔，使其防潮性较差。
RC11 功率：0.25W阻值范围：1-2K 允差:J,K
环境温度范围： -55---125C 额定温度70 C 最大工作电压：250V 温度系数：+-600---+-1000PPM 最大重量： 0.25G
RC70功率：0.25W阻值范围：1-1K 允差:J,D,F
环境温度范围： -55---100C 额定温度40 C
温度系数：+-200----+-300PPM 最大重量：0.5G
合成实心电阻（RS）
材料：将炭黑， 石墨等导电材料及其他材料混合后压制成一个实体的电阻器。
特点：实心电阻的性能不如薄膜电阻，但其有一个突出的特点即高可靠性。
在卫星，海底电缆等场合常采用。
RS11 功率：0. 5W 阻值范围：4.7-22M 允差：M,K,J最大工作电压：350V
金属玻璃铀电阻：（RI）
材料：将金属粉和玻璃铀粉混合，采用丝网印刷法印在基板上。
特点：耐潮湿， 高温， 温度系数小，主要应用于厚膜电路。
RI12 功率：0.25W 阻值范围：1-10M 允差：F,J,G,K
最大工作电压：250V温度系数：300PPM额定温度： 70C
绕线电阻:RX
材料：用高阻合金线绕在绝缘骨架上制造。
特点：绕线电阻具有较低的温度系数，阻值精度高， 稳定性好，耐热耐腐蚀，主要做精密大功率电阻使用，缺点是高频性能差，时间常数大。
RX21功率：2W 阻值范围：0.15-5.1K 允差：J,G额定温度：40C
RX27功率：2W 阻值范围：2.2-33 允差：J,额定温度：70C环境温度范围：-55---275 绝缘电阻：1000mohm耐电压：1000V温度系数：250PPM
融断电阻：他具有双重功能，正常工作时，起电阻作用，过载时电阻将迅速融断，起保险丝的作用，这种电阻在彩电中得到广泛应用。
RRD 额定功率：1W阻值范围：0.47-1K 最大融断时间：10PH 60秒
但由于瓷介电容器所采用的大多数是2类陶瓷介质，都具有铁电特性并呈现出一个居里温度特性，因此，陶瓷电容有老化衰减现象。
往往在这个小小的问题上纠结，电容量是由测量交流容量时所呈现的阻抗决定，通常交流电容量随频率，电压以及测量方法的变化而变化，只不过不同规格的陶瓷电容器变化程度不一样而已，除非要求电容量特别准确，温度特性特别稳定。
尽管陶瓷电容器的电容量在不同的条件，(如频率，温度，电压)下会有些变化，但是，除了高介电系陶瓷电容器外，一般电容器的容量随应用条件的变化而低于电容量的容差。
电容量是电容器重要的电气参数，电容量的大小，电容量的容差，随时间稳定，当了解了电容。
只要找到产品的规律会发现不一样的奇迹。
1、半导体陶瓷湿敏元件。
2、氯化锂湿敏电阻。
3、有机高分子膜湿敏电阻湿敏电阻的特点是在基片上覆盖一层用感湿材料制成的膜，当空气中的水蒸气吸附在感湿膜上时，元件的电阻率和电阻值都发生变化，利用这一特性即可测量湿度。湿敏电容一般是用高分子薄膜电容制成的，常用的高分子材料有聚苯乙烯、聚酰亚胺、酪酸醋酸纤维等。当环境湿度发生改变时，湿敏电容的介电常数发生变化，使其电容量也发生变化，其电容变化量与相对湿度成正比。电子式湿敏传感器的准确度可达2-3%RH，这比干湿球测湿精度高。湿敏元件的线性度及抗污染性差，在检测环境湿度时，湿敏元件要长期暴露在待测环境中，很容易被污染而影响其测量精度及长期稳定性。这方面没有干湿球测湿方法好。
湿度传感器能够收集数据主要就是靠湿敏元件，湿敏元件除对环境湿度敏感外，对温度亦十分敏感，其温度系数一般在0.2~0.8%RH/℃范围内，而且有的湿敏元件在不同的相对湿度下，其温度系数又有差别。这时候陶瓷基板的优点就能够凸显出来了，陶瓷基板的导热系数非常高，可以将湿敏元件的温度长期维持在一个稳定的的状态。
2、精度和长期稳定性
湿度传感器的精度应达到±2%~±5%RH，达不到这个水平很难作为计量器具使用，湿度传感器要达到±2%~±3%RH的精度是比较困难的，通常产品资料中给出的特性是在常温（20℃±10℃）和洁净的气体中测量的。在实际使用中，由于尘土、油污及有害气体的影响，使用时间一长，会产生老化，精度下降，湿度传感器的精度水平要结合其长期稳定性去判断，一般说来，长期稳定性和使用寿命是影响湿度传感器质量的头等问题，年漂移量控制在1%RH水平的产品很少，一般都在±2%左右，甚至更高。能够将年漂移量维持在1%RH的都是有使用陶瓷基板，陶瓷基板具有很强的机械强度，并且能够耐强酸强碱，给湿度传感器提供最完美的保护。
3、湿度传感器的供电
金属氧化物陶瓷，高分子聚合物和氯化锂等湿敏材料施加直流电压时，会导致性能变化，甚至失效，所以这类湿度传感器不能用直流电压或有直流成份的交流电压，必须是交流电供电。
4、湿度校正
校正湿度要比校正温度困难得多。温度标定往往用一根标准温度计作标准即可，而湿度的标定标准较难实现，干湿球温度计和一些常见的指针式湿度计是不能用来作标定的，精度无法保证，因其要求环境条件非常严格，一般情况，（最好在湿度环境适合的条件下）在缺乏完善的检定设备时，通常用简单的饱和盐溶液检定法，并测量其温度。
5、互换性
目前，湿度传感器普遍存在着互换性差的现象，同一型号的传感器不能互换，严重影响了使用效果，给维修、调试增加了困难，有些厂家在这方面作出了种种努力，但互换性仍很差。
EDX3600L型仪器在测试陶瓷的同时亦可以测试青铜器(Cu、Sn、Pb、Zn等)、贵金属（Au、Pt、Ag、Pb、Cu、Ni、Ru、Rh、Fe等）等的化学成份和金属镀层厚度，做到一机多用，是古文物检测必备的科学检测仪器。中国历史博物馆、中国收藏家协会等古文物收藏部门都是其用户。
Uh：霍尔电压，标准单位（知SI）是：伏特，符号：V；
d：霍尔样品沿着磁场的尺寸，标准单位（SI）是：米，符号：m；
Is：通过霍尔样品的电流，标准单位（SI）是：安培，符号：A；
B：外磁场，标准单位（SI）是：特斯拉，符号：T。
霍尔效应是一种磁敏效应，一般在半导体薄片的长度X方向上施加磁感应强度为B的磁场，则在宽度Y方向上会产生电动势UH，这种现象即称为霍尔效应。
扩展资料：
霍尔效应在应用技术中度特别重要。例如汽车点火系统，设计者将霍尔传感器放在分电器内取代机械断电器，用作点火脉冲发回生器。这种霍尔式点火脉冲发生器随着转速变化的磁场在带电的半导体层内产生脉冲电压，控制电控单元（ECU）的初级电流。
相对于机械断电器而答言，霍尔式点火脉冲发生器无磨损免维护，能够适应恶劣的工作环境，还能精确地控制点火正时，能够较大幅度提高发动机的性能，具有明显的优势。
陶瓷管材应用范围广，生产厂家在生产时，也更注重品质，直径与直线度尺寸是其两个必要检测信息，为了能提高成材率与品质，将检测方式更换成了在线直线度测量仪。
技术参数
（1）可测棒材直径范围（mm）：50～140（定制）
（2）直线度测量精度（mm）：≤±0.5
（3）测量频率（Hz）：500
（4）环境温度要求（℃）：-20～50
（5）环境湿度要求（%RH）：85（不结露）
（6）测量仪的外形尺寸约（mm）：1240×1150×1660（L×W×H）
