关于protel元器件的问题做节能灯用到那些库磁环 电感 DB3在那些库里 应该怎么才能找到

1、2、4都是有极性电容，通常指电解电容。第三个是无极性电容，像瓷片电容、涤纶电容等属于这类。在protel中Miscellaneous Devices.lib中，前两个分别是ELECTOR1、ELECTOR1，后面两个是CAPACITOR、CAPACITOR POL，实际上1、2、4符号是通用的，用那种表示都可以。

第三种国内常用库里的CAP，也就是两个平行直线，3、4一般老外喜欢用。

CAPACITOR－电容

瓷介电容可分为低压低功率和高压高功率，在低压低功率中又可分为I型（CC型）和II型（CT型）。

I型（CC型）特点是体积小， 损耗低，电容对频率，温度稳定性都较高，常用于高频电路。

II型（CT型）特点是体积小，损耗大，电容对温度频率，稳定性都较差，常用于低频电路。

CC1型圆片高频瓷介电容

适用于谐振回路及其他电路做温度补偿，耦合，隔直使用。损耗：《0.025绝缘电阻：10000mohm 试验电压：200v

允许偏差：5p(+-0.5p) 6-10p(+-1P) 10p以上（J,K,M）温度系数：-150--- -1000PPM/C环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C时达96%

CT1型圆形瓷片低频电容：

环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C时达96%工作电压50V电容范围和允差：101—472 （+-10%） 472-403（+80-- -20%）

CC01圆形瓷片电容：

环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C时达96% 大气压力750+-30mmhg允许偏差：5p(+-0.5p) 6-10p(+-1P) 10p以上（J,K,M）

温度系数：1—4P +120(+-60)PPM 4—56P –47(+-60)PPM

56—180P –750(+-250)PPM

180—390P –1300(+-250)PPM

430—820P –3300(+-500)PPM

CT01圆形瓷片电容：

环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C时达96% 大气压力750+-30mmhg损耗《0.05绝缘电阻：1000mohm

允差：+80 -20%容量：1000-47000p

工作电压：63v 试验电压：200v CC10 超高频瓷介电容

可用于《500MHZ下，环境温度：-55—85C 相对湿度：+40C时达98% 压力33mmhg 震动强度：加速度10g 冲击：加速度25g 离心：加速度15g

允差：k容量：1-47p工作电压：500v

CC11,CT11园片无引线瓷片电容

该电容特为高频头设计，频率特性好。

CC11直流电压：250V标称容量：3—39P损耗：《0.0015 绝缘》10000mohm

CT11直流电压：160V标称容量：240—1500 绝缘》2500mohm

CT82,CC82高压高功率瓷片电容：

环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C时达98%大气 压力40000PA 震动：加速度15g 冲击：加速度15g额定电压：1—4kv 试验电压：2.5—8kv允差：K,M

独石瓷介电容器：

CC4D独石瓷介电容器

环境温度：-55—85C 相对湿度：+40C时达98% 大气压力666.6PA损耗《15*10(-4)容量：100-100000p工作电压：40v 试验电压：120v

CT4D独石瓷介电容器

环境温度：-55—85C 相对湿度：+40C时达98% 大气压力1000PA损耗《0.035容量：0.033-2.2uf工作电压：40v-100v 试验电压：3UW允差：+80-20%

CC2,CT2管形瓷介电容器

与片形瓷介电容相比，机械强度高，用作旁路时内电极屏蔽性能好，用在高频电阻杂散耦合好，缺点是固有谐振频率低，制造工艺复杂，产量低。

CT2 损耗《0.04绝缘电阻<1000mohm 试验电压：480v

使用条件：-55—85c相对湿度：40C时达98% CC3,CCTD型叠片瓷介电容器CCTF型方形叠片瓷片电容器

CC3损耗《0.0015 容量：33-1000P 允差：K,M 工作电压：100V

CCTD损耗《0.035 容量：470-33000P 允差：+80-20% 工作电压：250V

CCTF损耗《0.04 容量：10000-47000P 允差：+80-20% 工作电压：160V

CC53,CC52,CT53,CT52穿心式瓷介电容

该类电容使用于VHF,UHF调谐器和其他无线电设备中做高低频旁路滤波用。

CC52E-1C 容量：2-33P工作电压：63V 绝缘电阻：10000mohm损耗：《0.0015

CC53-2C 容量：1000-1500P工作电压：160V 绝缘电阻：1000mohm损耗《0.035

CT87鼓形高压低频瓷介电容器,该电容主要使用于电子设备的脉冲电路。CC87-1 容量：470P工作电压：10KV 绝缘电阻：10000mohm

CCG81型板形高功率瓷介电容：使用于大功率高频电子设备中。容量：1000P 工作电压20KV(高频15KV) 额定无功功率：100KVA最大电流：25A 最大重量：1.3KG

1、材质不同

陶瓷电容无极性，电解电容有极性。

2、容量不同

陶瓷电容的容量一般较小，电解电容的容值可以做得很大。

3、用途不同

陶资电容一般用于信号源滤波，而电解电容一般用于电源部分。

作用：

电解电容器广泛应用于家用电器和各种电子产品中，其容量范围较大，一般为1~33000μF，额定工作电压范围为6.3~700V。其缺点是介质损耗、容量误差较大（最大允许偏差为+100%、-20%），耐高温性较差，存放时间长容易失效。

陶瓷电容高频特性好，多用于高频电路。瓷片电容可滤除高频纹波，故可用作高通滤波。瓷片电容可用于纯交流电路。

参考资料来源：百度百科-陶瓷电容

参考资料来源：百度百科-电解电容

所谓片式多层瓷介电容器(MLCC)---简称片式电容器,是由印好电极（内电极）的陶瓷介质膜片以错位的方式叠合起来，经过一次性高温烧结形成陶瓷芯片，再在芯片的两端封上金属层（外电极），从而形成一个类似独石的结构体，故也叫独石电容器。

片式电容器除有电容器 “隔直通交”的通性特点外，其还有体积小，比容大，寿命长，可靠性高，适合表面安装等特点。随着世界电子行业的飞速发展，作为电子行业的基础元件，片式电容器也以惊人的速度向前发展，每年以10%～15%的速度递增。目前，世界片式电容的需求量在 2000亿支以上，70%出自日本，其次是欧美和东南亚（含中国）。随着片容产品可靠性和集成度的提高，其使用的范围越来越广，广泛地应用于各种军民用电子整机和电子设备。如电脑、电话、程控交换机、精密的测试仪器、雷达通信等。

高压瓷片电容，即使用在电力系统中的高压陶瓷电容器，它的作用除了计量以外还有一个重要的作用就是储能，所以是能存电的。

高压瓷片电容器，就是以陶瓷材料为介质的电容器，主要的特点就是耐压高，2KV、3KV电压很常见，常用于高压场合。

1. 标准电阻：RES1、RES2；封装：AXIAL-0.3到AXIAL-1.0

两端口可变电阻：RES3、RES4；封装：AXIAL-0.3到AXIAL-1.0

三端口可变电阻：RESISTOR TAPPED，POT1，POT2；封装：VR1-VR5

2.电容：CAP（无极性电容）、ELECTRO1或ELECTRO2（极性电容）、可变电容CAPVAR

封装：无极性电容为RAD-0.1到RAD-0.4，有极性电容为RB.2/.4到RB.5/1.0.

3.二极管：DIODE（普通二极管）、DIODE SCHOTTKY（肖特基二极管）、DUIDE TUNNEL（隧道二极管）DIODE VARCTOR（变容二极管）ZENER1~3（稳压二极管）

PROTEL元件封装总结

□ emcu 发表于 2006-11-28 17:10:00

电阻 AXIAL

无极性电容 RAD

电解电容 RB-

电位器 VR

二极管 DIODE

三极管 TO

电源稳压块78和79系列 TO－126H和TO-126V

场效应管 和三极管一样

整流桥 D－44 D－37 D－46

单排多针插座 CON SIP

双列直插元件 DIP

晶振 XTAL1

电阻：RES1，RES2，RES3，RES4；封装属性为axial系列

无极性电容：cap封装属性为RAD-0.1到rad-0.4

电解电容：electroi封装属性为rb.2/.4到rb.5/1.0

电位器：pot1,pot2；封装属性为vr-1到vr-5

二极管：封装属性为diode-0.4(小功率）diode-0.7(大功率）

三极管：常见的封装属性为to-18（普通三极管）to-22(大功率三极管）to-3(大功率达林

顿管）

电源稳压块有78和79系列；78系列如7805，7812，7820等

79系列有7905，7912，7920等

常见的封装属性有to126h和to126v

整流桥：BRIDGE1,BRIDGE2: 封装属性为D系列（D-44，D-37，D-46）

电阻：　AXIAL0.3-AXIAL0.7其中0.4-0.7指电阻的长度，一般用AXIAL0.4

瓷片电容：RAD0.1-RAD0.3。其中0.1-0.3指电容大小，一般用RAD0.1

电解电容：RB.1/.2-RB.4/.8 其中.1/.2-.4/.8指电容大小。一般<100uF用

RB.1/.2,100uF-470uF用RB.2/.4,>470uF用RB.3/.6

二极管：　DIODE0.4-DIODE0.7 其中0.4-0.7指二极管长短，一般用DIODE0.4

发光二极管：RB.1/.2

集成块：　DIP8-DIP40, 其中8－40指有多少脚，8脚的就是DIP8

贴片电阻

0603表示的是封装尺寸 与具体阻值没有关系

但封装尺寸与功率有关 通常来说

0201 1/20W

0402 1/16W

0603 1/10W

0805 1/8W

1206 1/4W

电容电阻外形尺寸与封装的对应关系是:

0402=1.0x0.5

0603=1.6x0.8

0805=2.0x1.2

1206=3.2x1.6

1210=3.2x2.5

1812=4.5x3.2

2225=5.6x6.5

零件封装是指实际零件焊接到电路板时所指示的外观和焊点的位置。是纯粹的空间概念因此

不同的元件可共用同一零件封装，同种元件也可有不同的零件封装。像电阻，有传统的针插

式，这种元件体积较大，电路板必须钻孔才能安置元件，完成钻孔后，插入元件，再过锡炉

或喷锡（也可手焊），成本较高，较新的设计都是采用体积小的表面贴片式元件（SMD）这

种元件不必钻孔，用钢膜将半熔状锡膏倒入电路板，再把SMD元件放上，即可焊接在电路板

上了。

关于零件封装我们在前面说过，除了DEVICE。LIB库中的元件外，其它库的元件都已经有了

固定的元件封装，这是因为这个库中的元件都有多种形式：以晶体管为例说明一下：

晶体管是我们常用的的元件之一，在DEVICE。LIB库中，简简单单的只有NPN与PNP之分，但

实际上，如果它是NPN的2N3055那它有可能是铁壳子的TO—3，如果它是NPN的2N3054，则有

可能是铁壳的TO-66或TO-5，而学用的CS9013，有TO-92A，TO-92B，还有TO-5，TO-46，TO-5

2等等，千变万化。

还有一个就是电阻，在DEVICE库中，它也是简单地把它们称为RES1和RES2，不管它是100Ω

还是470KΩ都一样，对电路板而言，它与欧姆数根本不相关，完全是按该电阻的功率数来决

定的我们选用的1/4W和甚至1/2W的电阻，都可以用AXIAL0.3元件封装，而功率数大一点的话

，可用AXIAL0.4,AXIAL0.5等等。现将常用的元件封装整理如下：

电阻类及无极性双端元件 AXIAL0.3-AXIAL1.0

无极性电容 RAD0.1-RAD0.4

有极性电容 RB.2/.4-RB.5/1.0

二极管 DIODE0.4及 DIODE0.7

石英晶体振荡器 XTAL1

晶体管、FET、UJT TO-xxx(TO-3,TO-5)

可变电阻（POT1、POT2） VR1-VR5

当然，我们也可以打开C:\Client98\PCB98\library\advpcb.lib库来查找所用零件的对应封

装。

这些常用的元件封装，大家最好能把它背下来，这些元件封装，大家可以把它拆分成两部分

来记如电阻AXIAL0.3可拆成AXIAL和0.3，AXIAL翻译成中文就是轴状的，0.3则是该电阻在印

刷电路板上的焊盘间的距离也就是300mil（因为在电机领域里，是以英制单位为主的。同样

的，对于无极性的电容，RAD0.1-RAD0.4也是一样；对有极性的电容如电解电容，其封装为R

B.2/.4，RB.3/.6等，其中“.2”为焊盘间距，“.4”为电容圆筒的外径。

对于晶体管，那就直接看它的外形及功率，大功率的晶体管，就用TO—3，中功率的晶体管

，如果是扁平的，就用TO-220，如果是金属壳的，就用TO-66，小功率的晶体管，就用TO-5

，TO-46，TO-92A等都可以，反正它的管脚也长，弯一下也可以。

对于常用的集成IC电路，有DIPxx，就是双列直插的元件封装，DIP8就是双排，每排有4个引

脚，两排间距离是300mil,焊盘间的距离是100mil。SIPxx就是单排的封装。等等。

值得我们注意的是晶体管与可变电阻，它们的包装才是最令人头痛的，同样的包装，其管脚

可不一定一样。例如，对于TO-92B之类的包装，通常是1脚为E（发射极），而2脚有可能是

B极（基极），也可能是C（集电极）；同样的，3脚有可能是C，也有可能是B，具体是那个

，只有拿到了元件才能确定。因此，电路软件不敢硬性定义焊盘名称（管脚名称），同样的

，场效应管，MOS管也可以用跟晶体管一样的封装，它可以通用于三个引脚的元件。

Q1-B，在PCB里，加载这种网络表的时候，就会找不到节点（对不上）。

在可变电阻上也同样会出现类似的问题；在原理图中，可变电阻的管脚分别为1、W、及2，

所产生的网络表，就是1、2和W，在PCB电路板中，焊盘就是1，2，3。当电路中有这两种元

件时，就要修改PCB与SCH之间的差异最快的方法是在产生网络表后，直接在网络表中，将晶

体管管脚改为1，2，3；将可变电阻的改成与电路板元件外形一样的1，2，3即可

封装：DIODE0.4和DIODE 0.7（上面已经说了，注意做PCB时别忘了将封装DIODE的端口改为A、K）

4.三极管：NPN，NPN1和PNP，PNP1；引脚封装：TO18、TO92A（普 通三极管）TO220H（大功率三极管）TO3（大功率达林顿管）

以上的封装为三角形结构。T0-226为直线形，我们常用的9013、9014管脚排列是直线型的，所以一般三极管都采用TO-126啦！

5、效应管：JFETN（N沟道结型场效应管），JFETP（P沟道结型场效应管）MOSFETN（N沟道增强型管）MOSFETP（P沟道增强型管）

引脚封装形式与三极管同。

6、电感：INDUCTOR、INDUCTOR1、INDUCTOR2（普通电感），INDUCTOR VAR、INDUCTOR3、INDUCTOR4（可变电感）

8.整流桥原理图中常用的名称为BRIDGE1和BRIDGE2，引脚封装形式为D系列，如D-44，D-37，D-46等。

9.单排多针插座原理图中常用的名称为CON系列，从CON1到CON60，引脚封装形式为SIP系列，从SIP-2到SIP-20。

10.双列直插元件原理图中常用的名称为根据功能的不同而不同，引脚封装形式DIP系列，

不如40管脚的单片机封装为DIP40。

11.串并口类原理图中常用的名称为DB系列，引脚封装形式为DB和MD系列。

12、晶体振荡器：CRYSTAL；封装：XTAL1

13、发光二极管：LED；封装可以才用电容的封装。（RAD0.1-0.4）

14、发光数码管：DPY；至于封装嘛，建议自己做！

15、拨动开关：SW DIP；封装就需要自己量一下管脚距离来做！

16、按键开关：SW-PB：封装同上，也需要自己做。

17、变压器：TRANS1——TRANS5；封装不用说了吧？自己量，然后加两个螺丝上去。

最后在说说PROTEL 99 的原理图库吧！

常用元器件都在protel DOS schematic Libraries.ddb里

此外还有protel DOS schematic 4000 CMOS (4000序列元件)

protel DOS schematic Analog digital (A/D,D/A转换元件)

protel DOS schematic Comparator （比较器，如LM139之类）

protel DOS schematic intel (Intel 的处理器和接口芯片之类)

protel DOS schematic Linear （一些线性器件如555等）

protel DOS schematic TTL（74序列的元件）

protel元件封装库总结

电阻 AXIAL

无极性电容 RAD

电解电容 RB-

电位器 VR

二极管 DIODE

三极管 TO

电源稳压块78和79系列 TO－126H和TO-126V

场效应管 和三极管一样

整流桥 D－44 D－37 D－46

单排多针插座 CON SIP

双列直插元件 DIP

晶振 XTAL1

电阻：RES1，RES2，RES3，RES4；封装属性为axial系列

无极性电容：cap封装属性为RAD-0.1到rad-0.4

电解电容：electroi封装属性为rb.2/.4到rb.5/1.0

电位器：pot1,pot2；封装属性为vr-1到vr-5

二极管：封装属性为diode-0.4(小功率）diode-0.7(大功率）

三极管：常见的封装属性为to-18（普通三极管）to-22(大功率三极管）to-3(大功率达林

顿管）

电源稳压块有78和79系列；78系列如7805，7812，7820等

79系列有7905，7912，7920等

常见的封装属性有to126h和to126v

整流桥：BRIDGE1,BRIDGE2: 封装属性为D系列（D-44，D-37，D-46）

电阻：　AXIAL0.3-AXIAL0.7其中0.4-0.7指电阻的长度，一般用AXIAL0.4

瓷片电容：RAD0.1-RAD0.3。其中0.1-0.3指电容大小，一般用RAD0.1

二极管：　DIODE0.4-DIODE0.7 其中0.4-0.7指二极管长短，一般用DIODE0.4

发光二极管：RB.1/.2

集成块：　DIP8-DIP40, 其中8－40指有多少脚，8脚的就是DIP8贴片电阻

0603表示的是封装尺寸 与具体阻值没有关系但封装尺寸与功率有关 通常来说

0201 1/20W

0402 1/16W

0603 1/10W

0805 1/8W

1206 1/4W

电容电阻外形尺寸与封装的对应关系是:

0402=1.0x0.5

0603=1.6x0.8

0805=2.0x1.2

1206=3.2x1.6

1210=3.2x2.5

1812=4.5x3.2

2225=5.6x6.5

关于零件封装我们在前面说过，除了DEVICE。LIB库中的元件外，其它库的元件都已经有了固定的元件封装，这是因为这个库中的元件都有多种形式：以晶体管为例说明一下：

晶体管是我们常用的的元件之一，在DEVICE。LIB库中，简简单单的只有NPN与PNP之分，但实际上，如果它是NPN的2N3055那它有可能是铁壳子的TO—3，如果它是NPN的2N3054，则有可能是铁壳的TO-66或TO-5，而学用的CS9013，有TO-92A，TO-92B，还有TO-5，TO-46，TO-52等等，千变万化。

还有一个就是电阻，在DEVICE库中，它也是简单地把它们称为RES1和RES2，不管它是100Ω 还是470KΩ都一样，对电路板而言，它与欧姆数根本不相关，完全是按该电阻的功率数来决定的我们选用的1/4W和甚至1/2W的电阻，都可以用AXIAL0.3元件封装，而功率数大一点的话，可用AXIAL0.4,AXIAL0.5等等。现将常用的元件封装整理如下：

电阻类及无极性双端元件 AXIAL0.3-AXIAL1.0

无极性电容 RAD0.1-RAD0.4

有极性电容 RB.2/.4-RB.5/1.0

二极管 DIODE0.4及 DIODE0.7

石英晶体振荡器 XTAL1

晶体管、FET、UJT TO-xxx(TO-3,TO-5)

可变电阻（POT1、POT2） VR1-VR5

元件 代号　 封装　 备注

电阻　 RAXIAL0.3

电阻　 RAXIAL0.4

电阻　 RAXIAL0.5

电阻　 RAXIAL0.6

电阻　 RAXIAL0.7

电阻　 RAXIAL0.8

电阻　 RAXIAL0.9

电阻　 RAXIAL1.0

电容　 CRAD0.1　 方型电容

电容　 CRAD0.2　 方型电容

电容　 CRAD0.3　 方型电容

电容　 CRAD0.4　 方型电容

电容　 CRB.2/.4　电解电容

电容　 CRB.3/.6　电解电容

电容　 CRB.4/.8　电解电容

电容　 CRB.5/1.0 电解电容

保险丝FUSE　 FUSE

二极管D DIODE0.4　IN4148

二极管D DIODE0.7　IN5408

三极管 QT0-126

三极管Q　TO-3 3DD15

三极管Q T0-66 3DD6

三极管　Q　 TO-220 TIP42

电位器VR VR1

电位器 　VR VR2

电位器 　VR VR3

电位器 　VR VR4

电位器 　VR VR5

元件 代号 封装 备注

插座 CON2 SIP2 2脚

插座 CON3 SIP3 3

插座 CON4 SIP4 4

插座 CON5 SIP5 5

插座 CON6 SIP6 6

插座 CON16 SIP16 16

插座 CON20 SIP20 20

整流桥堆D D-37R 1A直角封装

整流桥堆D D-38 3A四脚封装

整流桥堆D D-44 3A直线封装

整流桥堆D D-46 10A四脚封装

集成电路U DIP8(S) 贴片式封装

集成电路U DIP16(S) 贴片式封装

集成电路U DIP8(S) 贴片式封装

集成电路U DIP20(D) 贴片式封装

集成电路U DIP4 双列直插式

集成电路U DIP6 双列直插式

集成电路U DIP8 双列直插式

集成电路U DIP16 双列直插式

集成电路U DIP20 双列直插式

集成电路U ZIP-15H TDA7294

集成电路U ZIP-11H

元件封装电阻 AXIAL

无极性电容 RAD

电解电容 RB-

电位器 VR

二极管 DIODE

三极管 TO

电源稳压块78和79系列 TO－126H和TO-126V

场效应管 和三极管一样

整流桥 D－44 D－37 D－46

单排多针插座 CON SIP(搜索con可找到任何插座)

双列直插元件 DIP

晶振 XTAL1

电阻：RES1，RES2，RES3，RES4；封装属性为axial系列

无极性电容：cap封装属性为RAD-0.1到rad-0.4

电解电容：electroi封装属性为rb.2/.4到rb.5/1.0

电位器：pot1,pot2；封装属性为vr-1到vr-5

二极管：封装属性为diode-0.4(小功率）diode-0.7(大功率）

三极管：常见的封装属性为to-18（普通三极管）to-22(大功率三极管）to-3(大功率达林

顿管）

电源稳压块有78和79系列；78系列如7805，7812，7820等79系列有7905，7912，7920等.常见的封装属

性有to126h和to126v

整流桥：BRIDGE1,BRIDGE2: 封装属性为D系列（D-44，D-37，D-46）

电阻：　AXIAL0.3-AXIAL0.7其中0.4-0.7指电阻的长度，一般用AXIAL0.4

瓷片电容：RAD0.1-RAD0.3。其中0.1-0.3指电容大小，一般用RAD0.1

电解电容：RB.1/.2-RB.4/.8 其中.1/.2-.4/.8指电容大小。一般<100uF用

RB.1/.2,100uF-470uF用RB.2/.4,>470uF用RB.3/.6

二极管：　DIODE0.4-DIODE0.7 其中0.4-0.7指二极管长短，一般用DIODE0.4

发光二极管：RB.1/.2

集成块：　DIP8-DIP40, 其中8－40指有多少脚，8脚的就是DIP8

贴片电阻

0603表示的是封装尺寸 与具体阻值没有关系

但封装尺寸与功率有关 通常来说

0201 1/20W

0402 1/16W

0603 1/10W

0805 1/8W

1206 1/4W

电容电阻外形尺寸与封装的对应关系是:

0402=1.0x0.5

0603=1.6x0.8

0805=2.0x1.2

1206=3.2x1.6

1210=3.2x2.5

1812=4.5x3.2

2225=5.6x6.5

零件封装是指实际零件焊接到电路板时所指示的外观和焊点的位置。是纯粹的空间概念因此

不同的元件可共用同一零件封装，同种元件也可有不同的零件封装。像电阻，有传统的针插

式，这种元件体积较大，电路板必须钻孔才能安置元件，完成钻孔后，插入元件，再过锡炉

或喷锡（也可手焊），成本较高，较新的设计都是采用体积小的表面贴片式元件（SMD）这

种元件不必钻孔，用钢膜将半熔状锡膏倒入电路板，再把SMD元件放上，即可焊接在电路板

上了。

关于零件封装我们在前面说过，除了DEVICE。LIB库中的元件外，其它库的元件都已经有了

固定的元件封装，这是因为这个库中的元件都有多种形式：以晶体管为例说明一下：

晶体管是我们常用的的元件之一，在DEVICE。LIB库中，简简单单的只有NPN与PNP之分，但

实际上，如果它是NPN的2N3055那它有可能是铁壳子的TO—3，如果它是NPN的2N3054，则有

可能是铁壳的TO-66或TO-5，而学用的CS9013，有TO-92A，TO-92B，还有TO-5，TO-46，TO-5

2等等，千变万化。

还有一个就是电阻，在DEVICE库中，它也是简单地把它们称为RES1和RES2，不管它是100Ω

还是470KΩ都一样，对电路板而言，它与欧姆数根本不相关，完全是按该电阻的功率数来决

定的我们选用的1/4W和甚至1/2W的电阻，都可以用AXIAL0.3元件封装，而功率数大一点的话

，可用AXIAL0.4,AXIAL0.5等等。现将常用的元件封装整理如下：

电阻类及无极性双端元件 AXIAL0.3-AXIAL1.0

无极性电容 RAD0.1-RAD0.4

有极性电容 RB.2/.4-RB.5/1.0

二极管 DIODE0.4及 DIODE0.7

石英晶体振荡器 XTAL1

晶体管、FET、UJT TO-xxx(TO-3,TO-5)

可变电阻（POT1、POT2） VR1-VR5

当然，我们也可以打开C:Client98PCB98libraryadvpcb.lib库来查找所用零件的对应封

装。

这些常用的元件封装，大家最好能把它背下来，这些元件封装，大家可以把它拆分成两部分

来记如电阻AXIAL0.3可拆成AXIAL和0.3，AXIAL翻译成中文就是轴状的，0.3则是该电阻在印

刷电路板上的焊盘间的距离也就是300mil（因为在电机领域里，是以英制单位为主的。同样

的，对于无极性的电容，RAD0.1-RAD0.4也是一样；对有极性的电容如电解电容，其封装为R

B.2/.4，RB.3/.6等，其中“.2”为焊盘间距，“.4”为电容圆筒的外径。

对于晶体管，那就直接看它的外形及功率，大功率的晶体管，就用TO—3，中功率的晶体管

，如果是扁平的，就用TO-220，如果是金属壳的，就用TO-66，小功率的晶体管，就用TO-5

，TO-46，TO-92A等都可以，反正它的管脚也长，弯一下也可以。

对于常用的集成IC电路，有DIPxx，就是双列直插的元件封装，DIP8就是双排，每排有4个引

脚，两排间距离是300mil,焊盘间的距离是100mil。SIPxx就是单排的封装。等等。

值得我们注意的是晶体管与可变电阻，它们的包装才是最令人头痛的，同样的包装，其管脚

可不一定一样。例如，对于TO-92B之类的包装，通常是1脚为E（发射极），而2脚有可能是

B极（基极），也可能是C（集电极）；同样的，3脚有可能是C，也有可能是B，具体是那个

，只有拿到了元件才能确定。因此，电路软件不敢硬性定义焊盘名称（管脚名称），同样的

，场效应管，MOS管也可以用跟晶体管一样的封装，它可以通用于三个引脚的元件。

Q1-B，在PCB里，加载这种网络表的时候，就会找不到节点（对不上）。

在可变电阻上也同样会出现类似的问题；在原理图中，可变电阻的管脚分别为1、W、及2，

所产生的网络表，就是1、2和W，在PCB电路板中，焊盘就是1，2，3。当电路中有这两种元

件时，就要修改PCB与SCH之间的差异最快的方法是在产生网络表后，直接在网络表中，将晶

体管管脚改为1，2，3；将可变电阻的改成与电路板元件外形一样的1，2，3即可。

中英文对照

1.电阻

固定电阻：RES

半导体电阻：RESSEMT

电位计；POT

变电阻；RVAR

可调电阻res1.....

2.电容

定值无极性电容；CAP

定值有极性电容CAP

半导体电容：CAPSEMI

可调电容：CAPVAR

3.电感：INDUCTOR

4.二极管：DIODE.LIB

发光二极管：LED

5.三极管 :NPN1

6.结型场效应管：JFET.lib

7.MOS场效应管

8.MES场效应管

9.继电器：PELAY. LIB

10.灯泡:LAMP

11.运放:OPAMP

12.数码管：DPY_7-SEG_DP (MISCELLANEOUS DEVICES.LIB)

13.开关sw_pb

原理图常用库文件： Miscellaneous Devices.ddb ,Dallas Microprocessor.ddb ,Intel

Databooks.ddb ,Protel DOS Schematic Libraries.ddb

PCB元件常用库： Advpcb.ddb ,General IC.ddb ,Miscellaneous.ddb

部分 分立元件库元件名称及中英对照

AND ------------------------------------与门

ANTENNA --------------------------------天线

BATTERY --------------------------------直流电源

BELL -----------------------------------铃,钟

BVC ------------------------------------同轴电缆接插件

BRIDEG 1 -------------------------------整流桥(二极管)

BRIDEG 2 -------------------------------整流桥(集成块)

BUFFER--------------------------------- 缓冲器

BUZZER----------------------------------蜂鸣器

CAP ------------------------------------电容

CAPACITOR ------------------------------电容

CAPACITOR POL --------------------------有极性电容

CAPVAR ---------------------------------可调电容

CIRCUIT BREAKER ------------------------熔断丝

COAX -----------------------------------同轴电缆

CON ------------------------------------插口

CRYSTAL --------------------------------晶体整荡器

DB --------------------------------------并行插口

DIODE ---------------------------------二极管

DIODE SCHOTTKY ------------------------稳压二极管

DIODE VARACTOR ------------------------变容二极管

DPY_3-SEG---------------------------- 3段LED

DPY_7-SEG---------------------------- 7段LED

DPY_7-SEG_DP -------------------------7段LED(带小数点)

ELECTRO ------------------------------电解电容

FUSE ----------------------------------熔断器

INDUCTOR -----------------------------电感

INDUCTOR IRON -------------------------带铁芯电感

INDUCTOR3 -----------------------------可调电感

JFET N -------------------------------N沟道场效应管

JFET P --------------------------------P沟道场效应管

LAMP ----------------------------------灯泡

LAMP NEDN -----------------------------起辉器

LED -----------------------------------发光二极管

METER ---------------------------------仪表

MICROPHONE ----------------------------麦克风

MOSFET --------------------------------MOS管

MOTOR AC -----------------------------交流电机

MOTOR SERVO --------------------------伺服电机

NAND ----------------------------------与非门

NOR ----------------------------------或非门

NOT -----------------------------------非门

NPN -----------------------------------NPN----三极管

NPN-PHOTO ------------------------------感光三极管

OPAMP ----------------------------------运放

OR ------------------------------------或门

PHOTO ---------------------------------感光二极管

PNP -----------------------------------三极管

NPN DAR ----------------------------NPN三极管

PNP DAR ----------------------------PNP三极管

POT ----------------------------滑线变阻器

PELAY-DPDT---------------------------- 双刀双掷继电器

RES1.2 ----------------------------电阻

RES3.4 ----------------------------可变电阻

RESISTOR BRIDGE ? ----------------------------桥式电阻

RESPACK ? ----------------------------电阻

SCR ----------------------------晶闸管

PLUG ?---------------------------- 插头

PLUG AC FEMALE---------------------------- 三相交流插头

SOCKET ? ----------------------------插座

SOURCE CURRENT---------------------------- 电流源

SOURCE VOLTAGE ----------------------------电压源

SPEAKER ----------------------------扬声器

SW ? ----------------------------开关

SW-DPDY ?---------------------------- 双刀双掷开关

SW-SPST ? ----------------------------单刀单掷开关

SW-PB ----------------------------按钮

THERMISTOR ----------------------------电热调节器

TRANS1 ----------------------------变压器

TRANS2 ----------------------------可调变压器

TRIAC ?---------------------------- 三端双向可控硅

TRIODE ? ----------------------------三极真空管

VARISTOR ----------------------------变阻器

ZENER ? ----------------------------齐纳二极管

DPY_7-SEG_D---------------------------- 数码管

SW-PB ----------------------------开关

7805----------------------------------LM7805CT

Altium下Miscellaneous Devices.Intlib元件库中常用元件有：

电阻系列（res*）排组（res pack*）

电感（inductor*）

电容（cap*，capacitor*）

二极管系列（diode*，d*）

三极管系列（npn*，pnp*，mos*，MOSFET*，MESFET*，jfet*，IGBT*）

运算放大器系列（op*）

继电器（relay*）

8位数码显示管（dpy*）

电桥（bri*bridge）

光电耦合器( opto* ，optoisolator )

光电二极管、三极管（photo*）

模数转换、数模转换器（adc-8，dac-8）

晶振（xtal）

电源（battery）喇叭（speaker）麦克风（mic*）小灯泡（lamp*）响铃（bell）

天线（antenna）

保险丝（fuse*）

开关系列（sw*）跳线（jumper*）

变压器系列（trans*）

晶振（crystal oscillator）的元件库名称是Miscellaneous Devices.Intlib, 在search栏中输入 *soc 即可。

2

Altium下Miscellaneous connectors.Intlib元件库中常用元件有：

(con*，connector*)

(header*)

(MHDR*)

定时器NE555P 在库TI analog timer circit.Intlib中

电阻 AXIAL

无极性电容 RAD

电解电容 RB-

电位器 VR

二极管 DIODE

三极管 TO

电源稳压块78和79系列 TO-126H和TO-126V

场效应管 和三极管一样

整流桥 D-44 D-37 D-46

单排多针插座 CON SIP

双列直插元件 DIP

晶振 XTAL1

电阻:RES1,RES2,RES3,RES4封装属性为axial系列

无极性电容:cap封装属性为RAD-0.1到rad-0.4

电解电容:electroi封装属性为rb.2/.4到rb.5/1.0

电位器:pot1,pot2封装属性为vr-1到vr-5

二极管:封装属性为diode-0.4(小功率)diode-0.7(大功率)

三极管:常见的封装属性为to-18(普通三极管)to-22(大功率三极管)to-3(大功率达林

顿管)

电源稳压块有78和79系列78系列如7805,7812,7820等

79系列有7905,7912,7920等

常见的封装属性有to126h和to126v

整流桥:BRIDGE1,BRIDGE2: 封装属性为D系列(D-44,D-37,D-46)

电阻: AXIAL0.3-AXIAL0.7 其中0.4-0.7指电阻的长度,一般用AXIAL0.4

瓷片电容:RAD0.1-RAD0.3. 其中0.1-0.3指电容大小,一般用RAD0.1

电解电容:RB.1/.2-RB.4/.8 其中.1/.2-.4/.8指电容大小.一般<100uF用

RB.1/.2,100uF-470uF用RB.2/.4,>470uF用RB.3/.6

二极管: DIODE0.4-DIODE0.7 其中0.4-0.7指二极管长短,一般用DIODE0.4

发光二极管:RB.1/.2

集成块: DIP8-DIP40, 其中8-40指有多少脚,8脚的就是DIP8

贴片电阻

0603表示的是封装尺寸与具体阻值没有关系

但封装尺寸与功率有关 通常来说

0201 1/20W

0402 1/16W

0603 1/10W

0805 1/8W

1206 1/4W

电容电阻外形尺寸与封装的对应关系是:

0402=1.0x0.5

0603=1.6x0.8

0805=2.0x1.2

1206=3.2x1.6

1210=3.2x2.5

1812=4.5x3.2

2225=5.6x6.5

2、无极性可变电容；制作工艺：可旋转动片为陶瓷片表面镀金属薄膜，定片为镀有金属膜的陶瓷底；动片为同轴金属片，定片为有机薄膜片作介质；优点：容易生产，技术含量低。；缺点：体积大，容量小；用途：改变震荡及谐振频率电路。调频、调幅、发射/接收电路

3、无极性无感CBB电容；制作工艺：2层聚丙乙烯塑料和2层金属箔交替夹杂然后捆绑而成。；优点：无感，高频特性好，体积较小；缺点：不适合做大容量，价格比较高，耐热性能较差。；用途：耦合/震荡，音响，模拟/数字电路，高频电源滤波/退耦

4、无极性CBB电容；制作工艺：2层聚乙烯塑料和2层金属箔交替夹杂然后捆绑而成。；优点：有感，高频特性好，体积较小；缺点：不适合做大容量，价格比较高，耐热性能较差。；用途：耦合/震荡，模拟/数字电路，电源滤波/退耦

5、无极性瓷片电容；制作工艺：薄瓷片两面渡金属膜银而成。；优点：体积小，耐压高，价格低，频率高（有一种是高频电容）；缺点：易碎，容量低；用途：高频震荡、谐振、退耦、音响

6、无极性云母电容；制作工艺：云母片上镀两层金属薄膜；优点：容易生产，技术含量低。；缺点：体积大，容量小用途：震荡、谐振、退耦及要求不高的电路无极性独石电容体积比CBB更小，其他同CBB，有感；用途：模拟/数字电路信号旁路/滤波，音响

7、有极性电解电容；制作工艺：两片铝带和两层绝缘膜相互层叠，转捆后浸在电解液中。；优点：容量大。；缺点：高频特性不好。；用途：低频级间耦合、旁路、退耦、电源滤波、音响

8、钽电容；制作工艺：用金属钽作为正极，在电解质外喷上金属作为负极。；优点：稳定性好，容量大，高频特性好。；缺点：造价高。；用途：高精度电源滤波、信号级间耦合、高频电路、音响电路

9、聚酯（涤纶）电容；符号：CL；电容量：40p--4u；额定电压：63--630V；主要特点：小体积，大容量，耐热耐湿，稳定性差；应用：对稳定性和损耗要求不高的低频电路

10、聚苯乙烯电容；符号：CB；电容量：10p--1u；额定电压：100V--30KV；主要特点：稳定，低损耗，体积较大；应用：对稳定性和损耗要求较高的电路

11、聚丙烯电容；符号：CBB；电容量：1000p--10u；额定电压：63--2000V；主要特点：性能与聚苯相似但体积小，稳定性略差；应用：代替大部分聚苯或云母电容，用于要求较高的电路

12、云母电容；符号：CY；电容量：10p--0。1u；额定电压：100V--7kV；主要特点：高稳定性，高可靠性，温度系数小；应用：高频振荡，脉冲等要求较高的电路

13、高频瓷介电容；符号：CC；电容量：1--6800p；额定电压：63--500V；主要特点：高频损耗小，稳定性好；应用：高频电路

14、低频瓷介电容；符号：CT；电容量：10p--4。7u；额定电压：50V--100V；主要特点：体积小，价廉，损耗大，稳定性差；应用：要求不高的低频电路

15、玻璃釉电容；符号：CI；电容量：10p--0。1u；额定电压：63--400V；主要特点：稳定性较好，损耗小，耐高温（200度）；应用：脉冲、耦合、旁路等电路

16、铝电解电容；符号：CD；电容量：0。47--10000u；额定电压：6。3--450V；主要特点：体积小，容量大，损耗大，漏电大；应用：电源滤波，低频耦合，去耦，旁路等

17、钽电解电容（CA）、铌电解电容（CN）；电容量：0。1--1000u；额定电压：6。3--125V；主要特点：损耗、漏电小于铝电解电容；应用：在要求高的电路中代替铝电解电容

18、空气介质可变电容器 ；可变电容量：100--1500p；主要特点：损耗小，效率高；可根据要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式 等；应用：电子仪器，广播电视设备等

19、薄膜介质可变电容器 ；可变电容量：15--550p；主要特点：体积小，重量轻；损耗比空气介质的大；应用：通讯，广播接收机等

20、薄膜介质微调电容器 ；符号： 可变电容量：1--29p；主要特点：损耗较大，体积小；应用：收录机，电子仪器等电路作电路补偿

21、陶瓷介质微调电容器 ；符号： 可变电容量：0。3--22p；主要特点：损耗较小，体积较小；应用：精密调谐的高频振荡回路