瓷片电容的测量方法有哪些?
瓷片电容已随着各类电子产品走进人们的生活中,在选型中,遇到测量问题,该如何处理呢一般瓷片电容的测量方法:将万用表置于R*10档,用两表笔分别接触电容器引脚,测得电阻一般在几百千欧至几千千欧;若测得电阻很小甚至为零,说明电容内部已短路
当测量中发现万用表的指针无法达到无穷大的位置时,指针所指的阻值就是该瓷片电容器的漏电电阻
指针距离阻值无穷大的位置越远,说明瓷片电容器漏电越严重
有的电容器在测其漏电电阻时,指针退回无穷大的位置,然后又慢慢的向顺时针方向摆动,摆动的越多说明陶瓷电容的漏电流越严重
瓷片电容的断路测量
瓷片电容的容量范围很宽,用万用表判断电容器的断路情况时,首先要看电容量的大小
对于0.019UF以下的小容量电容器,用万用表不能准确判断其是否断路,只能用其他仪表进行鉴别
对于0.01UF以上的瓷片电容,用万用表测量时,必须根据瓷片电容容量大小,选择合适的量程进行测量,才能正确的给以判断
如测量300UF以上的陶瓷电容,可以选R*10档或者R*1档;如要测10~300UF陶瓷电容时可选用R*100档;如要测0.4710UF的电容可选用R*1K档
按照上述方法选好量程后,便可将万用表的两表笔分别接陶瓷电容的两引脚
测量时,如指针不动,可将两表笔对调后再测,如指针不动,说明瓷片电容断路
用万用表的欧姆档测量瓷片电容的短路
用万用表的两表笔分别接电容器的两引脚,如果指针所指示的阻值很小或者接近为零,而且指针不再退回无穷大的位置,说明瓷片电容已经被击穿短路
需要注意的是在测量容量较大的电容器时,要根据电容量的大小,依照上述介绍的量程选择方法来选择适合的量程,否则可能会把瓷片电容的充电误认为击穿
选择瓷片电容时,产品质量好坏直接关系我们的生活品质及生活安全
请选择原厂正品出产,品质有保证并可安全使用
高压电容所以要并联一个10M的电阻是为了停止工作之后高压电容两端还有剩余电量,并电阻就是为了放电的作用。高压二极管是为了使电流单向流动,因为是高压二极管,正向压降比较高,而一般的万用表电压是9V的,所以测量没有反应,可以接220的灯泡来检测,亮度减半的正常,亮度不亮或者亮度不变都是不正常的。二极管电路已经通过高压变压器隔离了,二极管正极悬空的,人体碰到外壳是没有形成回路所以不会被电到,如果同时接触到二极管正极和负极就会被电。
而瓷片电容是一种用陶瓷材料作介质,在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜,再经高温烧结后作为电极而成的电容器,主要作用是在低频电路中作隔直,耦合,旁路和滤波等电容器使用
一般在电路板上压敏电阻位置标,有:VSR,VDR,RV等字样的是压敏电阻,而瓷片电容是用“C”标识
压敏电阻它的外观颜色一般为蓝色大小一般有5D7D10D14D20D25D等,它的表面刻字都是以XD为开头然后下面接着10XK2XXK18XK等印子,那些印子表示压敏电阻的耐压,例如印有10D471K那么表示这是压敏电阻,然后直径为10mm,耐压为470V误差范围为百分之十
而瓷片电容外观颜色也是蓝色,外观和压敏电阻很像,但是没有用D来作为大小之分,一般印字都是直接印与10X1KV22X1KV等例如印有102M400V,表示这款瓷片电容容量为102耐压为400V误差范围百分之二十
大部分情况下我们都可以通过印字标识来识别到底是瓷片电容还是压敏电阻,但是可能会存在印字错误、印字不清晰、没有印字等情况,这个时候我们就要用仪器去测量才能商机用了,这样才能有保障
容量大的电容其容量值在电容上直接标明,如10 μF/16V
容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示
字母表示法:1m=1000 μF 1P2=1.2PF 1n=1000PF
数字表示法:三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。三位数字的前两位数字为标称容量的有效数字,第三位数字表示有效数字后面零的个数,它们的单位都是pF。
如:102表示标称容量为1000pF。
221表示标称容量为220pF。
224表示标称容量为22x10(4)pF。
在这种表示法中有一个特殊情况,就是当第三位数字用"9"表示时,是用有效数字乘上10的-1次方来表示容量大小。
如:229表示标称容量为22x(10-1)pF=2.2pF。
允许误差 ±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20%
如:一瓷片电容为104J表示容量为0.1 μF、误差为±5%
1960年左右陶瓷叠片电容作为商品开始开发
1970年,随着混合IC、计算机、以及便携电子设备的进步也随之迅速的发展起来,瓷片电容成为电子设备中不可缺少的零部件,而其中技术参数也是学者们研究的重点
现在的陶瓷介质电容的全部数量约占电容市场的70%左右
因为陶瓷介质电容的绝缘体材料主要使用陶瓷,其基本构造是将陶瓷和内部电极交相重叠
陶瓷材料有几个种类
自从考虑电子产品无害化特别是无铅化后,高介电系数的PB(铅)退出瓷片电容技术参数领域,现在主要使用TiO2(二氧化钛)、BaTiO3,CaZrO3(锆酸钙)等
和其它的电容相比具有体积小、容量大、耐热性好、适合批量生产、价格低等优点
由于原材料丰富,结构简单,价格低廉,而且电容量范围较宽(一般有几个PF到上百μF),损耗较小,电容量温度系数可根据要求在很大范围内调整
瓷片电容技术参数品种繁多,外形尺寸相差甚大从0402(约1×0.5mm)封装的贴片电容到大型的功率瓷片电容
按使用的介质材料特性可分为Ⅰ型、Ⅱ型和半导体瓷片电容;按无功功率大小可分为低功率、高功率瓷片电容;按工作电压可分为低压和高压瓷片电容;按结构形状可分为圆片形、管型、鼓形、瓶形、筒形、板形、叠片、独石、块状、支柱式、穿心式等
瓷片电容的分类:瓷片电容技术参数从介质类型主要可以分为两类,即Ⅰ类瓷片电容技术参数和Ⅱ类瓷片电容技术参数
Ⅰ类瓷片电容技术参数(ClassⅠceramiccapacitor),过去称高频瓷片电容技术参数(High-freqencyceramiccapacitor),是指用介质损耗小、绝缘电阻高、介电常数随温度呈线性变化的陶瓷介质制造的电容
它特别适用于谐振回路,以及其它要求损耗小和电容量稳定的电路,或用于温度补偿
Ⅱ类瓷片电容技术参数(ClassⅡceramiccapacitor)过去称为为低频瓷片电容技术参数(Lowfrequencycermiccapacitor),指用铁电陶瓷作介质的电容,因此也称铁电瓷片电容技术参数
这类电容的比电容大,电容量随温度呈非线性变化,损耗较大,常在电子设备中用于旁路、耦合或用于其它对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中
常见的Ⅱ类瓷片电容技术参数有:X7R、X5R、Y5V、Z5U其中:X7R表示为:第一位X为最低工作温度-55℃,第二位的数字7位最高工作温度+125℃,第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%;X5R表示为:第一位X为最低工作温度-55℃,第二位的数字5位最高工作温度+85℃,第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%;Y5V表示为:第一位Y为最低工作温度-30℃,第二位的数字5位最高工作温度+85℃,第三位字母V为随温度变化的容值偏差+22%,-82%±15%
Z5U表示为:第一位Z为最低工作温度+10℃,第二位的数字5位最高工作温度+85℃,第三位字母U为随温度变化的容值偏差+22%,-56%
表示方法:
瓷片电容: 多数在1μF以下,
①直接用数字表示。如: 10、22、0.047、0.1 等等, 这里要注意的是单位。凡用整数表示的, 单位默认pF; 凡用小数表示的,单位默认μF。如以上例子中, 分别是10P、22P、0.047μF、220μF 等。
②现在国际上流行另一种类似色环电阻的表示方法( 单位默认pF) :
前两个数字表示有效读数,第三个数字表示后面追加的“0”的个数。
如: “ 473”(即47加三个0)=47000pF=0.047μF ,
“ 103”即(10+000)pF=10000PF=0.01μF等等, 这种表示法已经相当普遍。