陶瓷电容漏电流的原因有哪些

不只是陶瓷电容，几乎所有电容都有漏电流。只是大小的区别。人们无法找到绝缘电阻无穷大的介质材料。电容介质的绝缘能力都是相对的。自然陶瓷也不例外。

本人亲见过在高温下陶瓷材料漏电而使设备无法正常工作的情况。

瓷片电容已随着各类电子产品走进人们的生活中，在选型中，遇到测量问题，该如何处理呢一般瓷片电容的测量方法：将万用表置于R*10档，用两表笔分别接触电容器引脚，测得电阻一般在几百千欧至几千千欧；若测得电阻很小甚至为零，说明电容内部已短路

当测量中发现万用表的指针无法达到无穷大的位置时，指针所指的阻值就是该瓷片电容器的漏电电阻

指针距离阻值无穷大的位置越远，说明瓷片电容器漏电越严重

有的电容器在测其漏电电阻时，指针退回无穷大的位置，然后又慢慢的向顺时针方向摆动，摆动的越多说明陶瓷电容的漏电流越严重

瓷片电容的断路测量

瓷片电容的容量范围很宽，用万用表判断电容器的断路情况时，首先要看电容量的大小

对于0.019UF以下的小容量电容器，用万用表不能准确判断其是否断路，只能用其他仪表进行鉴别

对于0.01UF以上的瓷片电容，用万用表测量时，必须根据瓷片电容容量大小，选择合适的量程进行测量，才能正确的给以判断

如测量300UF以上的陶瓷电容，可以选R*10档或者R*1档；如要测10~300UF陶瓷电容时可选用R*100档；如要测0.4710UF的电容可选用R*1K档

按照上述方法选好量程后，便可将万用表的两表笔分别接陶瓷电容的两引脚

测量时，如指针不动，可将两表笔对调后再测，如指针不动，说明瓷片电容断路

用万用表的欧姆档测量瓷片电容的短路

用万用表的两表笔分别接电容器的两引脚，如果指针所指示的阻值很小或者接近为零，而且指针不再退回无穷大的位置，说明瓷片电容已经被击穿短路

需要注意的是在测量容量较大的电容器时，要根据电容量的大小，依照上述介绍的量程选择方法来选择适合的量程，否则可能会把瓷片电容的充电误认为击穿

选择瓷片电容时，产品质量好坏直接关系我们的生活品质及生活安全

请选择原厂正品出产，品质有保证并可安全使用

一般铝电解电容器的漏电流计算公式是：I ≤ KCV（μA）。K是常数：0.03；C是电容量；V是工作电压。

小于计算值均为合格品。

你说的陶瓷电容没有“漏电流”这一电性能参数的。

电容器的介质对直流电流具有很大的阻碍作用。然而，由于铝氧化膜介质上浸有电解液，在施加电压时，重新形成的以及修复氧化膜的时候会产生一种很小的称之为漏电流的电流。通常，漏电流会随着温度和电压的升高而增大。

所以说是不是你用的电容太小了使电容温度过高了呢？

如果你说的漏电偏高肯定会导致整个电路无电，你想想电容不就是一端在正，一端在负么。。。

新手回答，望采纳！！！

随着科技进步及发展，高压陶瓷电容已随着各类电子产品走进你们生活当中，为了使用者的安全，对高压陶瓷电容的品质要求也是很高的，那么高压陶瓷电容的额定值及有关注意事项有些什么呢？1.工作电压在交流电路或纹波电流电路中使用直流额定电压电容器时,请务必将外加电压的Vp-p值或包含直流偏置电压的Vo-p值维持在额定电压范围内.若向电路施加电压,开始或停止时可能会因谐振或切换产生暂时的异常电压.请务必使用额定电压范围包含这些异常电压的电容器.2.工作温度和自生热(适用于B/E/F特性)电容器的表面温度应保持在其额定工作温度范围的上限以下.务必考虑到电容器的自生热.电容器在高频电流,冲激电流等中使用时可能会因介电损耗发出自生热.外加电压应使自生热等负荷在25℃周围温度条件下不超过20℃范围.测量时应使用0.1mm小热容量的(K)的热电偶,而且电容器不应受到其它元件的散热或周围温度波动影响.过热可能会导致电容器特性及可靠性下降.(切勿在冷却风扇运转时进行测量.否则无法确保测量数据的精确性)3.耐电压的测试条件(1)测试设备交流耐电压的测试设备应具有能够产生类似于50/60Hz正弦波的性能.如果施加变形的正弦波或超过规定电压值的过载电压,则可能会导致故障.(2)电压外加方法施加耐电压时,电容器的引线或端子应与耐电压测试设备的输出端连接牢固然后再将电压从近零增加到测试电压.如果测试电压不从近零逐渐提高而是直接施加在电容器上,则施加时应包含过零点*.测试结束时,测试电压应降到近零然后再将电容器引线或端子从耐电压测试设备的输出端取下.如果测试电压不从近零逐渐提高而是直接施加在电容器上,则可能会出现浪涌电压,从而导致故障.0V电压正弦波*过零点是指电压正弦通过0V的位置.4.失效安全性当电容器损坏时,失效可能会导致短路.为了避免在短路时引起触电,冒烟,火灾等危险情况,请在电路中使用熔丝等元件来设置自动防故障功能.使用本产品时如忽略上述警告事项,则在严重情况下可能导致短路,并引起冒烟或局部离散

大家都知道每家公司都会标配一名采购人员，所采购的产品型号由技术工程分配到采购者手中，再或者是工程进行直接采购

那么我们如何快速判断陶瓷电容品质呢？判断陶瓷电容品质的方法如下：1）了解清楚陶瓷电容的规格参数（额定值，容值）2）脚距长度3）工作温度4）误差5）漏电流是否符合标准陶瓷电容的测量方法如下：1）电流表测试电压及漏电流2）老化设备测试高压陶瓷电容参数3）解刨高压陶瓷电容看芯片及电容脚材质复杂的实验步骤一定要让专业人员操作，也可以向购买电容的厂家提供可靠性的试验报告！不同的电路要求会有不用的标准要求，而作为采购人员也要注定陶瓷电容的品质，这样可以减少不必要的麻烦哦

工程不在的时候，采购人员可以按照上述所说的方法，交付到专业的技术人员进行检测

希望本文的内容可以帮助到你！

贴片电容漏电的原因有哪些

陶瓷贴片电容MLCC，正常情况下应是高绝缘的，绝缘值高达1．0E＋9欧姆．多种因素会导致MLCC的绝缘下降造成漏电现象．

1>,表面脏污引起的表面绝缘下降，这类漏电电流不十分大，一般是微安级别．热风吹一吹绝缘值会上升．

2>,内部裂纹，有焊接引起的裂纹和MLCC制造不良自带裂纹．这类裂纹引起的漏电电流会不断升高.

出现了漏电，许多公司的技术人员都无法分析出是否为电容问题（一旦动过烙铁或升温，都会恢复正常，），许多工程师都往往错误的分析为焊锡膏问题，我在第一次遇到也没有分析正确，第二次才准确分析，把样品剖开显微镜观察，确实是电容有问题了。

3>,电容漏电,从可靠性角度说，是属于典型的低应力失效，多层陶瓷电容、继电器、涤纶电容都有这些问题，如果供电不干净导致,比如直流电压异常，即使电容的额定电压是50V、25V的也会漏电，但是在1~10V之间的这种电容最为严重,它在这种直流电压异常的情况下工作一定时间后，就会漏电，而且随时间增长越来越多，越来越严重.

陶瓷电容过压能力很强的，稍微超过一点不会烧的，做了12年电子行业，从来没遇到过烧陶瓷电容的情况，也没听说过烧陶瓷电容的情况，我自己测试的结果是两倍电压，电容都没烧，如果确认没有过压还烧这个电容，说明电容质量有问题，或电容耐压非常低。测试方法是用电容耐压测试仪测试，其原理是在电容上加额定电压（50V电容就加50V)，然后看漏电流，这个电压下如果漏电流没有超过电容规格书规定的值，就是合格的。陶瓷电容漏电流非常小，一般都是微安级的。

如果没有电容耐压测试仪，你自己做一个50V的直流电源也可以，把电容串联电流表（万用表电流档也可以）接入电源，看漏电流是否达标。

分析陶瓷电容器，可能会出现以下的失效形式：

1.潮湿对电参数恶化的影响

空气中湿度过高时，水膜凝聚在电容器外壳表面，可使电容器的表面绝缘电阻下降。此外，对于半密封结构电容器来说，水分还可渗透到电容器介质内部，使电容器介质的绝缘电阻绝缘能力下降。因此，高温、高湿环境对电容器参数恶化的影响极为显著。经烘干去湿后电容器的电性能可获改善，但是水分子电解的后果是无法根除的。例如，电容器的工作于高温条件下，水分子在电场作用下电解为氢离子（H+）和氢氧根离子（OH-），引线根部产生电化学腐蚀。即使烘干去湿，也不可能使引线复原。

2.银离子迁移的后果

无机介质电容器多半采用银电极，半密封电容器在高温条件下工作时，渗入电容器内部的水分子产生电解。在阳极产生氧化反应，银离子与氢氧根离子结合生产氢氧化银；在阴极产生还原反应，氢氧化银与氢离子反应生成银和水。由于电极反应，阳极的银离子不断向阴极还原成不连续金属银粒，靠水膜连接成树状向阳极延伸。银离子迁移不仅发生在无机介质表面，还能扩散到无机介质内部，引起漏电流增大，严重时可使用两个银电极之间完全短路，导致电容器击穿。

3.高温条件下陶瓷电容器击穿机理

半密封陶瓷电容器在高湿度环境条件下工作时，发生击穿失效是比较普遍的严重问题。所发生的击穿现象大约可以分为介质击穿和表面极间飞弧击穿两类。介质击穿按发生时间的早晚又可分为早期击穿与老化击穿两种，早期击穿暴露了电容介质材料与生产工艺方面存在的缺陷，这些缺陷导致陶瓷介质介电强度显著降低，以至于在高湿度环境的电场作用下，电容器在耐压试验过程中或工作初期，就产生电击穿。老化击穿大多属于电化学击穿范畴。由于陶瓷电容器银的迁移，陶瓷电容器的电解老化击穿已成为相当普遍的问题。银迁移形成的导电树枝状物，使漏电流局部增大，可引起热击穿，使电容器断裂或烧毁。热击穿现象多发生在管形或圆片形的小型瓷介质电容器中，因为击穿时局部发热严重，较薄的管壁或较小的瓷体容易烧毁或断裂。

4.电极材料的改进

陶瓷电容器一直使用银电极。银离子迁移和由此而引起含钛陶瓷介质的加速老化是导致陶瓷电容器失效的主要原因。有的厂家生产陶瓷电容器已不用银电极，而改用镍电极，在陶瓷基片上采用化学镀镍工艺。由于镍的化学稳定性比银好，电迁移率低，提高了陶瓷电容器的性能和可靠性。

又如，以银做电极的独石低频瓷介质电容器，由于银电极和瓷料在900℃下一次烧结时瓷料欠烧不能获得致密的陶瓷介质，存在较大的气孔率；此外银电极常用的助溶剂氧化钡会渗透到瓷体内部，在高温下依靠氧化钡和银之间良好的浸润“互熔”能力，使电极及介质内部出现热扩散现象，即宏观上看到的“瓷吸银”现象。银伴随着氧化钡进入瓷体中后，大大减薄了介质的有效厚度，引起产品绝缘电阻的减少和可靠性的降低。为了提高独石电容器的可靠性，改用银-钯电极代替通常含有氧化钡的电极，并且在材料配方中添加了1%的5#玻璃粉。消除了在高温下一次烧结时金属电极向瓷介质层的热扩散现象，能促使瓷料烧结致密化，使得产品的性能和可靠性有较大提高，与原工艺和介质材料相比较，电容器的可靠性提高了1~2个数量级。

5.叠片陶瓷电容器的断裂

叠片陶瓷电容器最常见的失效是断裂，这是叠片陶瓷电容器自身介质的脆性决定的。由于叠片陶瓷电容器直接焊接在电路板上，直接承受来自电路板的各种机械应力，而引线式陶瓷电容器则可以通过引脚吸收来自电路板的机械应力。因此，对于叠片陶瓷电容器来说，由于热膨胀系数不同或电路板弯曲所造成的机械应力将是叠片陶瓷电容器断裂的最主要因素。

6.叠片陶瓷电容器的断裂分析

叠片陶瓷电容器机械断裂后，断裂处的电极绝缘间距将低于击穿电压，会导致两个或多个电极之间的电弧放电而彻底损坏叠片陶瓷电容器。

叠片陶瓷电容器机械断裂的防止方法主要有：尽可能地减少电路板的弯曲，减小陶瓷贴片电容在电路板上的应力，减小叠片陶瓷电容器与电路板的热膨胀系数的差异而引起的机械应力。

如何减小叠片陶瓷电容器在电路板上的应力将在下面另有叙述，这里不再赘述。减小叠片陶瓷电容器与电路板的热膨胀系数的差异而引起的机械应力，可以通过选择封装尺寸小的电容器来减缓，如铝基电路板应尽可能用1810以下的封装，如果电容量不够可以采用多只并联的方法或采用叠片的方法解决，也可以采用带有引脚的封装形式的陶瓷电容器解决。

7.叠片陶瓷电容器电极端头被熔淋

在波峰焊焊接叠片陶瓷电容器时可能会出现电极端头被焊锡熔掉了。其原因主要是波峰焊叠片陶瓷电容器接触高温焊锡的时间过长。现在在市场上的叠片陶瓷电容器分为适用于回流焊工艺的和适用于波峰焊工艺的，如果将适用于回流焊工艺的叠片陶瓷电容器用于波峰焊，很可能发生叠片陶瓷电容器电极端头的熔淋现象。关于不同焊接工艺下叠片陶瓷电容器电极端头可以承受的高温焊锡的时间特性，在后面的叠片陶瓷电容器的适用注意事项中有详尽叙述，这里不在赘述。

消除的办法很简单，就是在使用波峰焊工艺时，尽可能地使用符合波峰焊工艺的叠片陶瓷电容器；或者尽可能不采用波峰焊工艺。

将电容的正负极分别与漏电流测试仪的正负极相连接，设定充电时间为60秒（有些特殊规格产品充电时间为120秒，具体请参照该电容的规格书）然后启动仪器，充电时间完成后，仪器所显示的值即为该电容的漏电流。

漏电流的计算公式很简单：

一般来说：Ir=U*UF*0.01或0.9（取最大值）

Ir

漏电流，U

电容胶管上的电压；

UF

电容胶管上标识的容量值；0.01

系数（有些特殊规格用0.02等）

列如

25V47UF

的普通电容，其漏电流为：25*47*0.01

=11.75

UA.