瓷片电容能不能220v降压用
不能
特别要注意,这个说的并不是普通粉包型的CBB22电容,而是专用于阻容降压电路的CBB22电容,它采用特殊工艺,专门用于LED等阻容降压电路中。它的主要特点是:耐高温、工作温度最高可达120℃。由于金属化薄膜的自愈性、因而具有很高的可靠性,同时它体积小、重量轻、耐压高、寿命长,特别适合作为阻容降压电容使用,容量衰减很小。
检测方法
1、检测10pF以下的小电容——因10pF以下的固定电容器容量太小,用万用表进行测量,只能定性的检查其是否有漏电,内部短路或击穿现象。
测量时,可选用万用表10k挡,用两表笔分别任意接电容的两个引脚,阻值应为无穷大。若测出阻值(指针向右摆动)为零,则说明电容漏电损坏或内部击穿。
2、检测10PF~0 01μF固定电容器是否有充电现象,进而判断其好坏。万用表选用1k挡。两只三极管的β值均为100以上,且穿透电流要小。
可选用3DG6等型号硅三极管组成复合管。万用表的红和黑表笔分别与复合管的发射极e和集电极c相接。由于复合三极管的放大作用,把被测电容的充放电过程予以放大,使万用表指针摆幅度加大,从而便于观察。
3、对于0 01μF以上的固定电容,可用万用表的10k挡直接测试电容器有无充电过程以及有无内部短路或漏电,并可根据指针向右摆动的幅度大小估计出电容器的容量。
4、应注意的是:在测试操作时,特别是在测较小容量的电容时,要反复调换被测电容引脚接触A、B两点,才能明显地看到万用表指针的摆动。
扩展资料
瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器,用于高稳定振荡回路中,作为回路电容器及垫整电容器。
低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用,或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿。
1.MLCC(1类)—微型化,高频化,超低损耗,低ESR,高稳定,高耐压,高绝缘,高可靠,无极性,低容值,低成本,耐高温,主要应用于高频电路中。
2.MLCC(2类)—微型化,高比容,中高压,无极性,高可靠,耐高温,低ESR,低成本,主要应用于中,低频电路中作隔直,耦合,旁路和滤波等电容器使用。
参考资料来源:百度百科- 瓷片电容
参考资料来源:中国电工考试网-用数字万用表测电容好坏
如果是无极性电容器,比如CBB电容、瓷片电容等等,在耐压大于市电的情况下,不会有明显现象出现,此时有电流流过电容,但它的相位与电压相差90°,也就是说瞬时功率P=UI为0,这个电流就是传说中的无功电流。当耐压小于市电时,接入市电电容可能会被击穿,有可能炸裂。
单位:亨(F) 毫亨(mF) 微亨(uF) 纳亨(nF) 皮亨(pF)
1F=1000mF=1000,000uF=1000,000,000nF=1000,000,000,000pF 1mF=0.001F=1000uF=1000,000 nF=1000,000,000pF 1uF=0.000001F=0.001 mF =1000 nF =1000,000pF 1nF=0.000000001F=0.000001 mF=0.001uF=1000pF
1pF=0.000000000001F=0.000000001 mF=0.000001uF=0.001 nF